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分享半導(dǎo)體的“那點(diǎn)事”!晶體管的誕生點(diǎn)亮集成電路

kus1_iawbs2016 ? 來(lái)源:lq ? 2019-04-28 14:51 ? 次閱讀
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編者按:當(dāng)前,中國(guó)經(jīng)濟(jì)進(jìn)入調(diào)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型關(guān)鍵期,過(guò)去的鋼筋水泥無(wú)法帶來(lái)自主產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主導(dǎo)權(quán),中興缺芯之痛,讓國(guó)人不禁唏噓,偌大的國(guó)家,居然連所有人都在使用的芯片都造不出來(lái)。與近鄰韓國(guó)相比,我們?cè)?a target="_blank">半導(dǎo)體行業(yè)落后了30年,80年代的韓國(guó)重金砸研發(fā),搞出了存儲(chǔ)器芯片,這兩年經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇,存儲(chǔ)器芯片價(jià)格翻番漲,韓國(guó)人從我們身上賺取了百億美金利潤(rùn),還有高通博通、英特爾他們。每年,我們進(jìn)口的芯片價(jià)值2000億美金,和進(jìn)口石油的規(guī)模差不多,這每年的2000億美金進(jìn)口額,是中國(guó)現(xiàn)代化的恥辱,是我們“鋼筋水泥”粗放式發(fā)展的帶來(lái)的苦果。

慶幸,政府與產(chǎn)業(yè)界人士已然決心改變現(xiàn)狀。大基金二期已經(jīng)成立,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正煥發(fā)出從未有之勃勃生機(jī)。半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)正如火如荼展開,是挑戰(zhàn)也是機(jī)遇。

值難得的歷史性投資機(jī)遇之際,有幸與各位分享半導(dǎo)體的“那點(diǎn)事”。

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晶體管的誕生點(diǎn)亮集成電路

在1947年12月23日,在美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室中,肖克萊(William Shockley)、巴?。↗ohn Bardeen)和布拉頓(Walter Brattain)組成的研究小組,巴丁和布拉頓把兩根觸絲放在鍺半導(dǎo)體晶片的表面上時(shí)?!半妷涸鲆?00,功率增益40…… 實(shí)驗(yàn)演示日期1947年12月23日下午?!?/p>

布拉頓安耐心中的激動(dòng),記錄下這歷史的一刻。世界上第一只具備放大功能的晶體管誕生了。

從20世紀(jì)50代起,晶體管的出現(xiàn)開始逐漸替代真空電子管,人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件,來(lái)代替體積大、功率消耗大的電子管了。

晶體管的發(fā)明可以說(shuō)是20世紀(jì)最重要的發(fā)明,也同時(shí)為之后集成電路的發(fā)明打下了“堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)”,人類開始逐步踏入了飛速發(fā)展的電子時(shí)代。

1956年,肖克利、巴丁、布拉頓三人,因發(fā)明晶體管同時(shí)榮獲諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

隨著晶體管的在電子器件中的數(shù)量需求越來(lái)越多,晶體管之間的布線變得十分的復(fù)雜。同時(shí)在冷戰(zhàn)時(shí)代的背景下,美國(guó)和蘇聯(lián)在航空上的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈,美國(guó)迫切的希望將各種設(shè)備小型化和集中化和蘇聯(lián)一決高下。

此時(shí)“集成電路”在德州儀器TI和仙童的斗爭(zhēng)中誕生

1955年,晶體管之父肖克利離開了貝爾實(shí)驗(yàn)室,在美國(guó)山景城建立了肖克利實(shí)驗(yàn)室,并且招攬到了八名蓋世之才。由于后期和肖克利不和,八名天才離開肖克利的實(shí)驗(yàn)室并建立的著名的仙童半導(dǎo)體公司(Fairchild),而這八個(gè)人也就是傳奇的“八叛逆”,其中包括提出摩爾定律的摩爾和風(fēng)險(xiǎn)投資巨頭KPCB的創(chuàng)始人克萊納等,IntelAMD公司也是從中誕生出來(lái)的。

1958年7月24日,基爾比在工作筆記上寫到:“由很多器件組成的極小的微型電路是可以在一塊晶片上制作出來(lái)的。由電阻、電容二極管和三極管組成的電路可以被集成在一塊晶片上。之后基爾比不斷嘗試,在同年的8月28日,基爾比就完成了集成電路這一嘗試。

于此同時(shí),1959年1月底,仙童半導(dǎo)體的諾伊斯也有了集成電路的想法。諾伊斯曾是肖克利公司的技術(shù)負(fù)責(zé)人,仙童半導(dǎo)體著名的“叛逆八人幫”領(lǐng)袖。他的想法基于仙童創(chuàng)始人霍尼(Jean Hoerni)的平面工藝(Planner Process)和硅晶片上的擴(kuò)散技術(shù),同年2月提交了集成電路的專利申請(qǐng)書,但是強(qiáng)調(diào)了仙童的集成電路使用平面工藝來(lái)制造集成電路的。

在德州儀器的基爾比和仙童的諾伊斯幾乎同時(shí)申請(qǐng)了集成電路的專利。TI公司和仙童公司進(jìn)入了一個(gè)長(zhǎng)達(dá)十年的專利訴訟之旅。最后法庭將集成電路的發(fā)明權(quán)授予了基爾比,內(nèi)部連線技術(shù)專利授予了諾伊斯。

1966年,雙方達(dá)成協(xié)議,承認(rèn)對(duì)方享有部分集成電路發(fā)明專利權(quán),其他任何生產(chǎn)集成電路的廠商,都要從TI和仙童取得授權(quán)。

人類開始順著摩爾定律,在集成電路的道理上前行著,一步步的不斷提升晶體管的集成度。

而如今物理的極限已經(jīng)開始讓我們思考摩爾定律的極限在哪里?

2

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大遷移

在摩爾定律提出之后,全球半導(dǎo)體行業(yè)需求受到電視、PC電腦手機(jī)等各類電子產(chǎn)品的需求推動(dòng)下,產(chǎn)量持續(xù)的攀升著。

半導(dǎo)體行業(yè)在經(jīng)歷長(zhǎng)期發(fā)展以后,其下游的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛,并且制作工序和技術(shù)的更新速度快。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了兩次大規(guī)模性的全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,從美國(guó)到日本,再?gòu)拿廊辙D(zhuǎn)向韓臺(tái)。

起源:美國(guó),垂直整合模式(IDM模式)

半導(dǎo)體最初由美國(guó)發(fā)明制造,采用的是IDM(Integrated DeviceManufacturer,垂直器件制造)模式,即IC設(shè)計(jì),制造,封裝和測(cè)試等所有芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)都由一家公司獨(dú)立完成。Intel公司可以說(shuō)是典型的代表之一。

第一次大遷移:美國(guó)向日本轉(zhuǎn)移,裝配轉(zhuǎn)移

1970s,美國(guó)將裝配產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移到日本,日本從裝配的技術(shù)開始全方面的學(xué)習(xí)美國(guó)的半導(dǎo)體技術(shù),在美國(guó)的大力支持下。在1980s電子產(chǎn)業(yè)從家電進(jìn)入到了PC時(shí)代,對(duì)于DRAM的需求迅速的提升,日本把握機(jī)會(huì)快速的反超了美國(guó)。誕生出了SONY,東芝等廠商。

第二次大遷移:美日向韓國(guó)、***地區(qū)轉(zhuǎn)移,設(shè)計(jì)+晶圓代工模式產(chǎn)生

1990s,由于日本經(jīng)濟(jì)泡沫,缺乏持續(xù)投資的動(dòng)力,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)開始轉(zhuǎn)向了韓國(guó);***地區(qū)也抓住機(jī)會(huì)開啟了晶圓代工(Foundry)模式,幫助設(shè)計(jì)公司(Fabless)解決巨額投資晶圓制造產(chǎn)線的問(wèn)題。IC設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)開始獨(dú)立開來(lái),設(shè)計(jì)公司不用在考慮昂貴的晶圓制造線的問(wèn)題,而晶圓代工產(chǎn)專心的建設(shè)芯片代工廠,兩者之間配合十分的完美。

半導(dǎo)體行業(yè)模型的改變是市場(chǎng)自有發(fā)展的結(jié)果,充分的調(diào)動(dòng)全球的資源進(jìn)行了合理的配置。

3

產(chǎn)業(yè)鏈分工明確

集成電路就是之前說(shuō)講述的,將晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上,然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)形成所需的相應(yīng)功能。

其中集成電路就是我們通常所說(shuō)的IC(integrated circuit)行業(yè)占據(jù)整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)的80%以上,所以一般我們也就將半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)為是集成電路產(chǎn)業(yè)。

經(jīng)過(guò)市場(chǎng)長(zhǎng)期的發(fā)展,集成電路已經(jīng)形成了清晰的產(chǎn)業(yè)鏈。

上游產(chǎn)業(yè)鏈:主要為原材料供應(yīng)、設(shè)備的支撐型產(chǎn)業(yè)。

核心產(chǎn)業(yè)鏈:其中包括芯片的設(shè)計(jì)、制造和封裝測(cè)試,也是最為半導(dǎo)體最為關(guān)注的一個(gè)環(huán)節(jié)。從全球產(chǎn)業(yè)鏈分布而言,芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和封裝測(cè)試的收入約占產(chǎn)業(yè)鏈整體銷售收入的 27%、 51%和 22%。

下游產(chǎn)業(yè)鏈:包含各個(gè)領(lǐng)域?qū)τ谛酒男枨?,包括通訊?a href="http://www.makelele.cn/soft/data/39-96/" target="_blank">消費(fèi)電子汽車電子等等。

核心產(chǎn)業(yè)鏈中最為關(guān)鍵的三大環(huán)節(jié)就是芯片設(shè)計(jì)、芯片制造和封裝測(cè)試

1)芯片設(shè)計(jì):這個(gè)就相當(dāng)于建筑中的畫設(shè)計(jì)圖,需要精確的設(shè)計(jì)出邏輯、模塊、門電路關(guān)系,布局布線。相當(dāng)于要考慮如何在納米級(jí)別的空間中設(shè)計(jì)各層的結(jié)構(gòu)將保證大樓可以合理的運(yùn)行。

2)芯片制造:在拿到芯片設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)圖時(shí),此時(shí)芯片制造發(fā)揮的作用就是講設(shè)計(jì)圖給現(xiàn)實(shí)化,開始根據(jù)設(shè)計(jì)圖建造大樓。由于芯片生產(chǎn)過(guò)程極其復(fù)雜,工序繁瑣,工藝要求極高,必須做到零差錯(cuò),生產(chǎn)過(guò)程中不能受到外界的任何干擾。并且半導(dǎo)體設(shè)備非常昂貴,一座全新的晶圓廠的投入在十億到百億不等。

3)封裝測(cè)試:晶圓工廠加工完畢后,送到專門的封裝測(cè)試公司,進(jìn)行切割封裝,成品測(cè)試。將產(chǎn)品送回至芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)品客戶的手中。

4

中國(guó):半導(dǎo)體第三次大轉(zhuǎn)移的目的地

根據(jù)前兩次半導(dǎo)體大轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)來(lái)看,每一次的轉(zhuǎn)移都是離不開兩點(diǎn)重要的要素:

1、人力成本的驅(qū)動(dòng)。韓國(guó)和***地區(qū)最初都是從芯片代工產(chǎn)業(yè)開始滲透,當(dāng)時(shí)韓國(guó)和***地區(qū)的人力成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于日本地區(qū)。目前中國(guó)大陸的人力市場(chǎng)也是遠(yuǎn)優(yōu)于韓國(guó)和***地區(qū)。

2、電子行業(yè)新興終端市場(chǎng)的興起。日本家電市場(chǎng)的興起促生了日本半導(dǎo)體業(yè)繁榮的時(shí)代,PC個(gè)人電腦的風(fēng)靡將DRAM生產(chǎn)和晶圓代工帶到了韓國(guó)和***地區(qū)。而智能手機(jī)的市場(chǎng)興起給中國(guó)大陸地區(qū)的發(fā)展帶來(lái)了絕佳的機(jī)會(huì)。

半導(dǎo)體技術(shù)的轉(zhuǎn)移往往伴隨著一定的滯后性。勞動(dòng)密集型的環(huán)節(jié)往往轉(zhuǎn)移的最快并且差距最小,像IC封測(cè)技術(shù);而一些知識(shí)密集型的環(huán)節(jié)往往技術(shù)轉(zhuǎn)移需要長(zhǎng)時(shí)間來(lái)進(jìn)行追趕,比如IC設(shè)計(jì)和IC制造環(huán)節(jié)。

無(wú)論是從電子行業(yè)終端的需求市場(chǎng),還是從半導(dǎo)體整個(gè)行業(yè)來(lái)看的。中國(guó)目前正在積極的承接著半導(dǎo)體行業(yè)的趨勢(shì)的大轉(zhuǎn)移。

從下游的終端市場(chǎng)來(lái)看:

中國(guó)半導(dǎo)體需求急劇上升,主要受益于智能手機(jī)終端的興起,大陸智能手機(jī)品牌在全球出貨的份額持續(xù)上升。2018年大陸品牌的智能手機(jī)出貨量達(dá)7.15億部,而全球智能手機(jī)出貨量為14.4億部。大陸智能手機(jī)品牌的市場(chǎng)份額已經(jīng)從2013年的31%提升到了2018年的50%,并且大陸品牌的手機(jī)的海外出貨量仍然呈現(xiàn)一個(gè)較為強(qiáng)勢(shì)的增長(zhǎng),尤其是在東南和新興國(guó)家仍處于飛速上升的趨勢(shì),中國(guó)大陸已經(jīng)成為全球智能手機(jī)最重要的生產(chǎn)地并且相關(guān)手機(jī)供應(yīng)鏈配套齊全。

從需求來(lái)看:

中國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)。18年中國(guó)消費(fèi)的半導(dǎo)體價(jià)值已經(jīng)達(dá)到1500億美元,占全球總量的34%,遠(yuǎn)超過(guò)了美國(guó)、歐洲和日本,成為全球最大的市場(chǎng)。從成長(zhǎng)性來(lái)看,中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)同比增速持續(xù)高于全球。今年1月份中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)的同比增速略超20%,創(chuàng)下歷史新高,且高出全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增速將近7個(gè)百分點(diǎn)。

中國(guó)未來(lái)已經(jīng)成為晶圓廠建設(shè)熱地。根據(jù)SEMI預(yù)測(cè),2017~2020年全球?qū)⒂?8座新的晶圓廠投入營(yíng)運(yùn)。中國(guó)大陸2017-2020年將有接近30座新的晶圓廠投入營(yíng)運(yùn),投資額為620億美元,投資額占全球晶圓廠投資額的28%,比韓國(guó)晶圓廠建設(shè)總投資額低10億元。

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國(guó)產(chǎn)化芯片加速奔跑

我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)自給率不足,芯片產(chǎn)品高度依賴進(jìn)口。我國(guó)作為全第一大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng),但由于芯片水平長(zhǎng)期發(fā)展首先,導(dǎo)致我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)對(duì)外嚴(yán)重依賴,尤其是在高端芯片領(lǐng)域上幾乎全部依賴于進(jìn)口。

2018年我國(guó)集成電路自給率也僅僅為13.0%,在過(guò)去發(fā)展的十年呈現(xiàn)一個(gè)極度緩慢上升的態(tài)度。在電子需求端和勞動(dòng)力等多方面的帶動(dòng)下,中國(guó)目前正處于半導(dǎo)體第三次大轉(zhuǎn)移的黃金發(fā)展階段。

特別是核心芯片自給率極低。我國(guó)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的CPUMPU、通用電子統(tǒng)中的FPGA/EPLD和DSP通信裝備中的嵌入式MPU和DSP等各類芯片的國(guó)產(chǎn)化率極地,急需國(guó)內(nèi)廠商支持發(fā)展。

中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展類似于“***地區(qū)+韓國(guó)”的雙軌道發(fā)展版本。

1、首先學(xué)習(xí)***模式,大量的引入晶圓代工,同時(shí)實(shí)施“晶圓代工+封裝測(cè)試”的戰(zhàn)略增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈整體黏性。

2、學(xué)習(xí)韓國(guó)儲(chǔ)存發(fā)展模型,由國(guó)家大基金引導(dǎo),大力幫助中國(guó)儲(chǔ)存行業(yè)發(fā)展,類似于當(dāng)年韓國(guó)的三大財(cái)團(tuán)聯(lián)合模式,在逆周期中不斷投資,利用自身雄厚的資金后盾。

整體來(lái)看半導(dǎo)體行業(yè)向中國(guó)開始了第三次轉(zhuǎn)移,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也正在從勞動(dòng)密集型向著資本密集型開始轉(zhuǎn)變。

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原文標(biāo)題:為什么投資半導(dǎo)體,就是投資中國(guó)的未來(lái)?

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    一文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別

    在電子世界的晶體管家族中,NMOS(N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與 PMOS(P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    的頭像 發(fā)表于 07-14 17:05 ?2.8w次閱讀
    一文詳解NMOS與PMOS<b class='flag-5'>晶體管</b>的區(qū)別

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
    發(fā)表于 07-12 16:18

    晶體管光耦的工作原理

    晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件,用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?1067次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!

    先進(jìn)的晶體管架構(gòu),是納米片晶體管(Nanosheet FET)的延伸和發(fā)展,主要用于實(shí)現(xiàn)更小的晶體管尺寸和更高的集成密度,以滿足未來(lái)半導(dǎo)體
    發(fā)表于 06-20 10:40

    鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

    半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái),集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?,而這一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
    的頭像 發(fā)表于 06-03 18:24 ?2187次閱讀
    鰭式場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的原理和優(yōu)勢(shì)

    低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

    集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路集成度不斷提升,目前單個(gè)芯片上已經(jīng)可以
    的頭像 發(fā)表于 05-22 16:06 ?1423次閱讀
    低功耗熱發(fā)射極<b class='flag-5'>晶體管</b>的工作原理與制備方法

    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1556次閱讀
    無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    是關(guān)于晶體管的詳細(xì)解析: 一、核心定義與歷史背景 ?定義?: 晶體管利用半導(dǎo)體材料(如硅、鍺)的特性,通過(guò)輸入信號(hào)(電流或電壓)控制輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路通斷。 ?發(fā)明?: 19
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?5126次閱讀

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路
    發(fā)表于 04-14 17:24