5月2日，在本周的季度收益電話會議上，臺積電CEO 兼副董事長魏哲家披露，預計其大部分7nm工藝客戶將轉型至6nm工藝節(jié)點，6nm節(jié)點使用率和產能都會迅速擴大。

臺積電于4月16日宣布推出6nm(N6)制程技術，并預計2020年第1季度進入試產。

臺積電表示，6nm制程技術將大幅強化目前領先業(yè)界的7nm技術，協(xié)助客戶在能耗與成本間取得高度競爭力優(yōu)勢，同時6nm工藝還沿用了7nm技術設計，從而加速了客戶相關產品的推出。

據了解，臺積電的6nm制程將使用極紫外光（EUV）光刻技術，因此相比第二代7nm(N7+)制程又增加了一個極紫外光刻層，相比N7技術可將晶體管密度提升18％，而且設計規(guī)則完全兼容N7，便于升級遷移，降低成本，相比之下第二代7nm工藝則是另一套設計規(guī)則。

如此一來，臺積電的第二代7nm工藝就比較尷尬了，雖然下一代蘋果A系列處理器和華為麒麟將會使用該節(jié)點，但按照魏哲家的說法，可能其他使用第一代7nm工藝的老客戶會選擇跳過N7+節(jié)點，直接升級到6nm工藝。

值得一提的是，臺積電的6nm明年才會試產，而號稱相比于第一代7nm晶體管密度提升45％，可帶來15％的性能提升或20％功耗下降的臺積電5nm工藝已經順利進入試產階段，所以預計蘋果和華為將會跳過6nm，直接選擇更為強悍的5nm工藝。