動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-09-23 08:16

  熱泵及其諧波電流解決方案

  

  1熱泵簡(jiǎn)介熱泵，英文heatpump，它有2個(gè)定義，定義1：從低溫?zé)嵩次鼰崴屯邷責(zé)嵩吹难h(huán)設(shè)備。定義2：以消耗一部分高品位能源(機(jī)械能、電能或高溫?zé)崮?為補(bǔ)償,使熱能從低溫?zé)嵩聪蚋邷責(zé)嵩磦鬟f的裝置。所以，熱泵廣泛用于冬天取暖，產(chǎn)生熱水，工業(yè)烘干，溫室養(yǎng)殖等。簡(jiǎn)單講，熱泵就是一個(gè)能量的搬運(yùn)工，對(duì)于用戶(hù)而言，花了一份電費(fèi)，獲得了四份甚至更多的熱量，這多出來(lái)的熱

  電流 裝置 設(shè)備

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• 發(fā)布了文章 2023-09-16 08:32

  IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？

  

  IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？

  IGBT 器件 電壓

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• 發(fā)布了文章 2023-09-14 08:16

  搭載1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封裝功率密度

  

  繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產(chǎn)品相繼量產(chǎn)并取得客戶(hù)認(rèn)可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應(yīng)用在PrimePACK模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號(hào)有以下兩個(gè)：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進(jìn)一步拓展了PrimePACK封

  IGBT 封裝 芯片 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-09-09 08:16

  ChatGPT變聰明了嗎？如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj

  

  ChatGPT變聰明了嗎？如何計(jì)算IGBT器件的工作結(jié)溫Tvj

  ChatGPT IGBT 器件

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• 發(fā)布了文章 2023-09-04 16:26

  ChatGPT真的懂IGBT嗎

  

  ChatGPT是部萬(wàn)寶全書(shū)，請(qǐng)鑒定一下她是否缺個(gè)角，看看她是在一本正經(jīng)地胡說(shuō)八道，還是一位真知灼見(jiàn)的專(zhuān)家。本期是和ChatGPT辯論的第

  ChatGPT IGBT 電阻

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• 發(fā)布了文章 2023-08-25 08:16

  具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC™ MOSFET M1H

  

  2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設(shè)立“綠色能源與工業(yè)”“電動(dòng)交通和電動(dòng)出行”“智能家居”三大核心展示區(qū)域8月29日-31日，我們現(xiàn)場(chǎng)不見(jiàn)不散！點(diǎn)擊上方圖片，了解更多本次展會(huì)上，英飛凌將展出豐富的SiC系列產(chǎn)品，包括CoolSiCMOSFET以及相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)評(píng)估板CoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFETEasy2B三電

  MOSFET SiC 電壓

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• 發(fā)布了文章 2023-08-25 08:16

  談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

  

  談?wù)凷iC MOSFET的短路能力

  IGBT MOSFET SiC 電壓 短路

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• 發(fā)布了文章 2023-08-17 09:27

  如何更好的使用EiceDRIVER™ IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET

  

  2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設(shè)立“綠色能源與工業(yè)”“電動(dòng)交通和電動(dòng)出行”“智能家居”三大核心展示區(qū)域碳化硅（SiCMOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對(duì)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER1

  IC MOSFET SiC 驅(qū)動(dòng)

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• 發(fā)布了文章 2023-08-02 08:17

  來(lái)自英飛凌開(kāi)發(fā)者社區(qū)的10問(wèn)10答——IGBT篇

  

  Q在IGBT器件的開(kāi)通過(guò)程中，柵極電荷Qg的充電過(guò)程是怎樣的？A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數(shù)據(jù)手冊(cè)中如圖1所示，給出了柵極電荷Qg和柵極電壓Vge的關(guān)系。圖2為IGBT器件簡(jiǎn)化示意圖。柵極電荷的充電過(guò)程可以分為以下三個(gè)區(qū)域。

  IGBT 電壓 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-07-31 22:55

  基于IM828-XCC的高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

  

  隨著現(xiàn)代機(jī)床向高速、高精度方向發(fā)展，對(duì)機(jī)床主軸的技術(shù)要求越來(lái)越高。電主軸作為高速機(jī)床的重要組成部件之一，因其轉(zhuǎn)速高、體積小和優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能等特性，可有效提高機(jī)床的動(dòng)態(tài)平衡，避免了振動(dòng)和噪聲。主軸電機(jī)放置在機(jī)床的主軸單元內(nèi)，直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載。因此，簡(jiǎn)化了傳統(tǒng)的機(jī)械驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了“零驅(qū)動(dòng)”。由于電主軸的廣泛應(yīng)用，推動(dòng)著電機(jī)主軸系統(tǒng)向高精度、高速、低能耗、高效率、高

  機(jī)床 電機(jī) 驅(qū)動(dòng)器 高速

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