動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-04-11 14:21

  SiC MOSFET的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性

  

  作者簡(jiǎn)介作者：FriedrichsPeter翻譯：趙佳碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計(jì)者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計(jì)方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計(jì)都會(huì)非常關(guān)注導(dǎo)通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標(biāo)（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應(yīng)用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當(dāng)?shù)钠胶狻?yōu)

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2023-04-07 06:38

  英飛凌強(qiáng)化低碳化形象：工業(yè)應(yīng)用部門(mén)將以零碳工業(yè)功率（GIP）事業(yè)部為名開(kāi)展經(jīng)營(yíng)

  

  德國(guó)慕尼黑-2023年4月3日-英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）已將其工業(yè)功率控制（IPC,IndustrialPowerControl）事業(yè)部更名為零碳工業(yè)功率（GIP,GreenIndustrialPower）事業(yè)部。自此，英飛凌強(qiáng)調(diào)其將持續(xù)緊跟低碳化和數(shù)字化趨勢(shì)。對(duì)于重新命名為零碳工業(yè)功率（GIP）的事業(yè)部，綠色能源

  數(shù)字化 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-04-03 16:52

  英飛凌為世界注入無(wú)限綠色能源，助力零碳轉(zhuǎn)型

  

  聚焦“碳中和”，探討運(yùn)用創(chuàng)新技術(shù),以可持續(xù)的發(fā)展方式為世界節(jié)能減排的IICShanghai2023近日在上海舉辦。陳立烽英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)高級(jí)技術(shù)總監(jiān)英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)高級(jí)技術(shù)總監(jiān)陳立烽受邀出席“2023'碳中和'暨綠色能源電子產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展高峰論壇”發(fā)表主題演講，深入淺出地分享英飛凌如何“為世界注入無(wú)限綠色能源”。美好明

  能源 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點(diǎn)得益于著名的英飛凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技術(shù)高速開(kāi)關(guān)，低EMI輻射針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管，實(shí)現(xiàn)了低Qrr可選擇較低的柵極電阻（低至5Ω），同時(shí)保持出色的開(kāi)

  1200V IGBT

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:41

  是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎？

  

  作者簡(jiǎn)介作者：UweJansen翻譯：陳子穎在過(guò)去的幾年里，碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件，特別是SiCMOSFET，已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動(dòng)車(chē)（BEV）驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來(lái)越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都必須評(píng)估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么

  SiC 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號(hào)：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE

  IGBT 分立器件

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器

  

  新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器X3Compact(1ED31xx)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器系列，容易使用，最近發(fā)布的柵極驅(qū)動(dòng)器系列又增加了一個(gè)新的產(chǎn)品系列，DSO-8150mil窄體封裝（1ED314x），帶一個(gè)米勒鉗位選項(xiàng)。相關(guān)器件：1ED3140MU12F1ED3141MU12F1ED3142

  柵極 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:40

  SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)

  

  原文標(biāo)題：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：ThomasBasler原文發(fā)表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2023-03-28 16:40

  新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊

  

  新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊，采用M1H芯片，導(dǎo)通電阻8-17毫歐五個(gè)規(guī)格，PressFIT壓接針和NTC。產(chǎn)品型號(hào)：DF17MR12W1M1HDF16MR12W1M1HDF14MR12W1M1HDF11MR12W1M1HDF8MR12W1M1H產(chǎn)品特點(diǎn)Best-

  光伏 模塊

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-03-17 13:31

  1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

  

  產(chǎn)品型號(hào)：IKQ140N120CH7 電壓：1200V 電流：140A 封裝：TO-247-3, TO-247-4

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