動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-12-08 17:04

  新品 | 搭載2.2kV整流器的EconoPIM™ 3模塊 - FP75R17N3E4_B20

  

  新品搭載2.2kV整流器的EconoPIM3模塊-FP75R17N3E4_B20FP75R17N3E4_B20是一款EconoPIM3IGBT模塊，采用TRENCHSTOPIGBT4技術(shù)、發(fā)射極控制4代（EC4）二極管并集成NTC。該模塊適用于690V驅(qū)動系統(tǒng)，通過內(nèi)置2.2kV整流器和制動斬波器，降低系統(tǒng)成本。產(chǎn)品型號：■FP75R17N3E4_B20產(chǎn)品

  pim 整流器

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• 發(fā)布了文章 2025-12-03 17:07

  深入解析IPM器件數(shù)據(jù)手冊中的電流定義：Ic、Icp、Io(peak)和Io(rms)

  

  在設(shè)計和應(yīng)用IPM器件時，電流參數(shù)是影響性能的關(guān)鍵指標(biāo)之一。然而，不同電流參數(shù)的含義可能會對應(yīng)用設(shè)計產(chǎn)生重要影響。本文將詳細(xì)解析IPM數(shù)據(jù)手冊中常見的幾種電流定義，包括IC、ICP、IO(peak)和IO(RMS)的具體意義、測試條件及其設(shè)計建議。為了更清晰地展示各電流參數(shù)的定義及其在實際應(yīng)用中的差異，下面提供了一張直觀的圖示供參考：1IC：額定連續(xù)集電極電

  IPM 數(shù)據(jù)手冊 電流 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-12-01 12:04

  英飛凌與陽光同行，助力第十一屆高校電力電子應(yīng)用設(shè)計大賽完美收官

  

  2025年11月5-7日，作為中國大學(xué)電力電子應(yīng)用設(shè)計大賽的一部分，第十一屆“英飛凌杯”先進(jìn)功率轉(zhuǎn)換技術(shù)大賽決賽和“陽光杯”新能源和儲能大賽決賽在廣東深圳市舉行。這項久負(fù)盛名的比賽由英飛凌冠名贊助，自2015年以來由中國電源學(xué)會主辦，是中國電力電子行業(yè)最高級別的學(xué)生比賽。觀看了解活動精彩片段其中，“陽光杯”比賽的核心是使用英飛凌最新的WBG器件設(shè)計用于儲能的

  電力電子 英飛凌 轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2025-11-27 17:29

  英飛凌3.3kV SiC XHP2模塊：重新定義高壓牽引系統(tǒng)的性能標(biāo)桿

  

  在軌道交通、風(fēng)電變流器等高壓大功率應(yīng)用中，提升功率密度和系統(tǒng)效率是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)硅基IGBT模塊雖成熟可靠，但受限于材料特性，難以滿足高頻、高效的新需求。英飛凌推出的3.3kVCoolSiCMOSFETXHP2模塊，結(jié)合創(chuàng)新的“.XT互連技術(shù)”，為高壓牽引系統(tǒng)提供了更高性能的解決方案。模塊核心優(yōu)勢：性能與可靠性01高電流密度與低損耗額定電流1000A，導(dǎo)通電

  MOSFET 牽引系統(tǒng) 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-11-26 09:32

  英飛凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎

  

  11月25日，英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎（WorldElectronicsAchievementAwards）年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器獎項，再次彰顯英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越實力和領(lǐng)先地位。英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)市場經(jīng)理劉倩出席頒獎典禮并領(lǐng)獎英飛凌EconoDUAL3CoolSiC

  MOSFET 電子 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-11-24 17:05

  新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

  

  新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及EasyPACK1C1200V13mΩ四單元模塊，搭載第二代CoolSiCMOSFET技術(shù)，集成NTC溫度傳感器，采用大電流PressFIT引腳，并預(yù)涂2.0代導(dǎo)熱界面材料。產(chǎn)品型號：■F4

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-11-20 17:04

  應(yīng)用實例——如何解決雙管反激變換器中的關(guān)斷電壓不均衡

  

  反激變換器作為電源產(chǎn)品中幾乎不可缺少的一個拓?fù)?，從事電力電子產(chǎn)品開發(fā)的工程師是相當(dāng)?shù)氖煜ぃ绕涫菃喂芊醇ぷ儞Q器，更是工程師從小白開始修煉的起點，萬丈高樓平地起嘛。在經(jīng)典的單管反激變換器上，又衍生出各種各樣的變化，開關(guān)方式從硬開關(guān)變化為準(zhǔn)諧振（QR），有源鉗位(ACF)，零電壓開通（ZVS）等，以及拓?fù)涞难葑儯瑥膯喂芊醇ぷ優(yōu)殡p管反激。簡單講，這些演變都是基于經(jīng)

  關(guān)斷電壓 反激變換器 變換器 電源產(chǎn)品

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• 發(fā)布了文章 2025-11-17 17:02

  新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 1400V，TO-247PLUS-4回流焊封裝

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是電動汽車充電、儲能系統(tǒng)、工業(yè)變頻器等大功率輸出應(yīng)用的理想選擇。第二代1400VCoolSiCMOSFET前沿技術(shù)具有前沿性，可顯著提升熱管理性能、功率密度及系統(tǒng)可靠性。其封裝支持回流

  MOSFET SiC 回流焊

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• 發(fā)布了文章 2025-11-12 17:02

  ANPC拓?fù)湔{(diào)制策略特點及損耗分析(下)

  

  上篇（ANPC拓?fù)湔{(diào)制策略特點及損耗分析(上)）我們討論了ANPC的基本原理，換流路徑及調(diào)制策略，本文通過PLECS仿真工具來分析在不同的調(diào)制方式和工況下ANPC各位置芯片的開關(guān)狀態(tài)和損耗分布情況。ANPC-PWM1設(shè)計實例由于不同特性和規(guī)格的芯片各自靜態(tài)和動態(tài)參數(shù)不同，使用相規(guī)格的芯片便于分析損耗分布，在這里選用Econodual3半橋模塊FF900R12

  ANPC PCS 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-11-07 13:21

  英飛凌攜手SolarEdge共同推進(jìn)AI數(shù)據(jù)中心高效電力基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展

  

  英飛凌攜手SolarEdge，推動面向人工智能（AI）及超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的新一代高效固態(tài)變壓器（SST）技術(shù)發(fā)展。全新的固態(tài)變壓器（SST）專為實現(xiàn)在中壓至800–1500伏直流電（DC）轉(zhuǎn)換而設(shè)計，其轉(zhuǎn)換效率超過99%，同時減小設(shè)備體積、降低重量，并有效減少了碳排放足跡。此次合作將SolarEdge在直流電（DC）領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)與英飛凌的半導(dǎo)體創(chuàng)新相結(jié)合，

  AI 電力 英飛凌

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