動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-01-07 17:06

  新品 | 采用半橋架構(gòu)的 1ED3330MC12M 隔離式柵極驅(qū)動的評估板設(shè)計(jì)

  

  新品采用半橋架構(gòu)的1ED3330MC12M隔離式柵極驅(qū)動的評估板設(shè)計(jì)該評估板用于在半橋配置下評估1ED3330MC12M隔離柵極驅(qū)動芯片與分立功率開關(guān)。該評估板搭載兩枚1ED3330MC12M芯片，并采用2EP130R變壓器驅(qū)動芯片構(gòu)建隔離式板載電源。板上預(yù)留兩個TO247-4封裝的IMZC120R012M2HCoolSiC1200VSiCMOSFET位置（

  變壓器 評估板 驅(qū)動芯片

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• 發(fā)布了文章 2026-01-05 17:14

  重磅干貨 | 英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體年度十大熱門技術(shù)文章

  

  1英飛凌IGBT7系列芯片大解析IGBT7從2019年問世至今，從首發(fā)的T7，到成為擁有S7，H7，T7，E7，P7等完整系列的大家族。這幾大系列之間，究竟有何區(qū)別？它們各自的適用領(lǐng)域又都在哪里？今天這篇文章就帶大家一起來解析一下。2IGBT的電流是如何定義的英飛凌IGBT模塊型號上

  工業(yè)半導(dǎo)體 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-01-04 17:06

  新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC™ 1400V MOSFET G2

  

  新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳封裝，兼具前沿的SiC技術(shù)與高爬電距離的堅(jiān)固封裝特性。該器件支持直流母線電壓超過1000V的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，既為現(xiàn)有應(yīng)用提供額外的電壓裕量與增強(qiáng)的可靠性，又能實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)速度，從而提升系統(tǒng)效率。其引腳與現(xiàn)有封裝完

  MOSFET SiC 工業(yè)

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• 發(fā)布了文章 2025-12-31 09:05

  新品 | CoolSiC™ MOSFET 400V與440V第二代器件

  

  新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢，同時有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V與440V碳化硅MOSFET可在兩電平和三電平的硬開關(guān)與軟開關(guān)拓?fù)渲?，提供卓越的功率密度和系統(tǒng)效率，主要面向人工智能服務(wù)器電源、開關(guān)電源、電機(jī)控制、可再生能源與儲能

  MOSFET SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-12-30 09:04

  年終盤點(diǎn)：2025載譽(yù)而歸，2026蓄力向新

  

  在2025年行業(yè)和科技浪潮中，英飛凌再次憑借卓越技術(shù)、創(chuàng)新產(chǎn)品與優(yōu)質(zhì)服務(wù)，于客戶與行業(yè)層面收獲滿滿、載譽(yù)而歸。英飛凌始終堅(jiān)持以客戶為中心，將客戶的需求作為業(yè)務(wù)發(fā)展的核心驅(qū)動力。這一年的客戶信賴與行業(yè)認(rèn)可。不僅是對過往努力的高度肯定，更激勵著全體英飛凌人在2026年新征程蓄力向新，砥礪前行。*以下獎項(xiàng)排名不分先后大洋電機(jī)：30周年特別貢獻(xiàn)獎德業(yè)科技：2025年

  SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-12-23 18:04

  年終盤點(diǎn)：英飛凌2025年碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相

  

  歲末將至，回顧2025年科技領(lǐng)域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動力，成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點(diǎn)產(chǎn)品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產(chǎn)品發(fā)布：多元布局，精準(zhǔn)覆蓋多領(lǐng)域需求1CoolSiCMOSFETG21200V和1400V單管：多種封

  SiC 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-12-22 18:26

  頂部散熱封裝QDPAK安裝指南

  

  由于QDPAK封裝是英飛凌新一代大功率產(chǎn)品的表貼頂部散熱產(chǎn)品，其安裝方式有所不同，所以針對其安裝方式做一些詳細(xì)的介紹。如下圖，英飛凌針對600V以上高壓器件推出了HDSOP封裝系列(D-DPAK,TOLT,及QDPAK)。如下圖列出了該系列已發(fā)布的封裝型號及其關(guān)鍵參數(shù)信息。所有封裝均具有統(tǒng)一的2.3mm標(biāo)準(zhǔn)本體厚度，這一特性使得不同分立器件（如650V碳化硅

  散熱 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-12-18 17:08

  QDPAK頂部散熱封裝簡介

  

  QDPAK頂部散熱器件是一種表貼器件產(chǎn)品。相對于傳統(tǒng)表貼產(chǎn)品只能從底部進(jìn)行散熱的方式，頂部散熱器件分離了電氣路徑和熱流路徑，尤其適合在高功率密度的應(yīng)用，如AI服務(wù)器電源和車載充電器等應(yīng)用。而英飛凌不久前推出的QDPAK封裝也是目前英飛凌量產(chǎn)的封裝中最大尺寸的頂部散熱產(chǎn)品。QDPAK封裝目前包含600V，650V，750V，1200V電壓等級的SiCMOSFE

  器件 電氣 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-12-15 17:17

  新聞速遞丨英飛凌高功率碳化硅技術(shù)升級優(yōu)化，助力 Electreon 動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)升級

  

  動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時為其充電英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實(shí)現(xiàn)24小時全天候運(yùn)行動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)解決方案是減少交通運(yùn)輸領(lǐng)域碳排放的一項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）將為領(lǐng)先的電動汽車（EV）無線充電解決方案提供商Electreon（TA

  無線充電 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-12-13 08:49

  來看看你上榜了嗎？第三屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽獲獎公布

  

  電力電子技術(shù)，這一在新能源發(fā)電、輸配電及高效用電領(lǐng)域扮演著舉足輕重角色的科技力量，憑借高效的功率變換技術(shù)，不僅推動了生產(chǎn)活動的綠色節(jié)能轉(zhuǎn)型，更讓我們的生活變得更加舒適便捷，出行方式也更加環(huán)保無憂。為此，中國電源學(xué)會科普工作委員會與英飛凌科技（中國）有限公司共同主辦了第三屆電力電子科普作品創(chuàng)作大賽，鼓勵用多種形式、多個角度詮釋電力電子極其相關(guān)技術(shù)的應(yīng)用，讓更多

  新能源 電力電子 英飛凌

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