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• 發(fā)布了文章 2025-12-01 11:10

  選型手冊(cè)：VS4401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借1.4mΩ極致低導(dǎo)通電阻與400A大電流承載能力，適用于低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V

  MOS MOSFET 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-01 11:02

  選型手冊(cè)：VS3620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

  MOS MOSFET 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-28 12:14

  選型手冊(cè)：VS1401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  選型手冊(cè)：VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借1.0mΩ極致低導(dǎo)通電阻與200A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOS

  MOS MOSFET 晶體管

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  選型手冊(cè)：VS8402ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與160A大電流承載能力，適用于中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：80V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通

  MOS MOSFET 晶體管

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  選型手冊(cè)：VS3618BE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）

  MOS MOSFET 晶體管

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  選型手冊(cè)：VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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  選型手冊(cè)：VS3510AP P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AP是一款面向-30V低壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V，適配低壓負(fù)電壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-27 16:52

  選型手冊(cè)：VS3618AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_

  MOS MOSFET 晶體管

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  選型手冊(cè)：VS3698AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AP是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，憑借105A大電流承載能力，適用于低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、高功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-27 14:53

  選型手冊(cè)：VS3633GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)與高能量效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開(kāi)關(guān)等中功率領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)

  MOS MOSFET 晶體管

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