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• 發(fā)布了文章 2025-12-04 09:22

  選型手冊：VS3610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-03 09:53

  VS3615GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS

  MOS MOSFET 威兆半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-12-03 09:48

  選型手冊：VS40200AT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與200A大電流承載能力，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供

  MOS MOSFET 威兆半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-12-03 09:23

  選型手冊：VS1602GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263封裝，憑借1.9mΩ極致低導(dǎo)通電阻與170A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-02 09:32

  選型手冊：VS4610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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  選型手冊：VSP015N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配中高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：150V，適配中高壓供電場景；導(dǎo)通電阻（

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-02 09:25

  選型手冊：VS5814DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS5814DS是一款面向55V中壓場景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，基于VeriMOS?技術(shù)實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配中壓雙路電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：55V，適配中壓雙路供電場景

  MOS 威兆半導(dǎo)體 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-01 16:36

  選型手冊：VSE025N10HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSE025N10HS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具備快速開關(guān)特性與高可靠性，適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-01 15:32

  選型手冊：VSE002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)極致低導(dǎo)通電阻，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（

  MOS MOSFET 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-12-01 15:07

  選型手冊：VS4620GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o

  MOS MOSFET 晶體管

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