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• 發(fā)布了文章 2025-11-27 14:48

  選型手冊：VSP004N10MSC-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻與高效能，憑借1.00mΩ極致低阻、125A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、高功率電源管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-27 14:42

  選型手冊：VSP004N10MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率，憑借超低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、電源管理系統(tǒng)等大電流領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-26 15:24

  選型手冊：VSP007N12HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSP007N12HS-G是一款面向120V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)高效能與快速開關(guān)特性，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、電源管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：120V，適配中

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-26 15:21

  選型手冊：VS3618AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具備快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等低壓大電流領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{

  MOS 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-26 15:18

  選型手冊：VSP007P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借超低導(dǎo)通電阻與高電流承載能力，適用于負(fù)載開關(guān)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-60V，適配低壓負(fù)電壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(

  MOSFET 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-26 15:13

  選型手冊：VSP003N10HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VSP003N10HS-G是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持10V邏輯電平控制，基于FastMOSII技術(shù)實現(xiàn)快速開關(guān)與高效能，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通

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  選型手冊：VS4020AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

  

  威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓大電流供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o

  MOSFET 仁懋電子 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-11-25 15:31

  選型手冊：MOT6180J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT6180J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓大電流供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)

  MOS 仁懋電子 晶體管

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  選型手冊：MOT4180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓大電流供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o

  MOS 仁懋電子 晶體管

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  選型手冊：MOT4522J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

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