英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 新品 | 第2代CoolSiC™ MOSFET 400V2024-09-27 08:05

  

  新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起，同時改善了系統(tǒng)成本。400VSiCMOSFET可在2電平和3電平硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)渲刑峁┏錾墓β拭芏群拖到y(tǒng)效率。目標(biāo)應(yīng)用為人工智能服務(wù)器PSU、SMPS、電機(jī)控制、可再生能源和儲能以及D類放大器中的功率轉(zhuǎn)換。產(chǎn)品型號：■IMBG4

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• 新品 | 用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的ISOFACE™四通道數(shù)字隔離器2024-09-26 08:05

  

  新品用于工業(yè)和汽車應(yīng)用的ISOFACE四通道數(shù)字隔離器ISOFACE四通道數(shù)字隔離器系列支持高達(dá)40Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，可確保在寬環(huán)境條件下進(jìn)行穩(wěn)健的數(shù)據(jù)通信。工作溫度范圍（-40°C至+125°C）。寬體DSO-16封裝中的四個數(shù)據(jù)通道可簡化高功率密度設(shè)計，并以低電流消耗提高系統(tǒng)效率?，F(xiàn)在還提供4+0通道配置。產(chǎn)品型號：■4DIR0400H■4DIR0

  四通道 數(shù)字隔離器 汽車 1136瀏覽量

• 功率半導(dǎo)體讓生活更美好2024-09-20 08:06

  

  功率半導(dǎo)體讓生活更美好

  功率半導(dǎo)體 電力電子 電機(jī)驅(qū)動 1161瀏覽量

• 新品 | 英飛凌無芯變壓器固態(tài)隔離器交流固態(tài)開關(guān)評估板2024-09-19 08:03

  

  新品英飛凌無芯變壓器固態(tài)隔離器交流固態(tài)開關(guān)評估板英飛凌固態(tài)隔離器高壓側(cè)不需要輔助電源供電就可以驅(qū)動功率晶體管，如CoolMOS、OptiMOS或TRENCHSTOPIGBT。英飛凌SSI系列提供快速開通/關(guān)斷、過流保護(hù)和過溫保護(hù)等控制功能，驅(qū)動功率半導(dǎo)體實現(xiàn)固態(tài)繼電器。產(chǎn)品特點評估板用于8引腳固態(tài)隔離器的快速評估和設(shè)計評估板為交流固態(tài)開關(guān)配置快速開通過流/過

  英飛凌 評估板 隔離器 2372瀏覽量

• 英飛凌助力奇點能源，打造高效可靠的工商業(yè)儲能解決方案2024-09-14 08:04

  

  近日，英飛凌宣布攜手西安奇點能源股份有限公司，將為其提供業(yè)界領(lǐng)先的1200V450AEconoDUAL3功率模塊，用于215kW工商業(yè)及源網(wǎng)側(cè)eblock儲能應(yīng)用，依托于英飛凌TRENCHSTOPIGBT7創(chuàng)新的產(chǎn)品，助力奇點能源打造高可靠、高效率的儲能PCS系統(tǒng)。英飛凌推出的EconoDUAL3中功率IGBT模塊封裝，自面世以來，迅速贏得業(yè)界認(rèn)可，成為市場

  IGBT 儲能 英飛凌 1365瀏覽量

• 英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革2024-09-13 08:04

  

  ●憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù)，英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●300mmGaN的成本將逐漸與硅的成本持平英飛凌科技股份公司今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項

  半導(dǎo)體 氮化鎵 英飛凌 1040瀏覽量

• 直播預(yù)告 | 電氣隔離新勢力——英飛凌新型SSI系列固態(tài)隔離器的創(chuàng)新技術(shù)與應(yīng)用設(shè)計2024-09-12 08:04

  

  英飛凌最新推出的SSI系列固態(tài)隔離器面向交流和直流固態(tài)繼電器、可編程邏輯控制器、智能樓宇和家庭自動化系統(tǒng)（溫控器、照明、供暖控制）、工業(yè)自動化和控制、儀器設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、配電柜等等多個領(lǐng)域。其創(chuàng)新技術(shù)在兼顧可靠性和穩(wěn)定性的同時，并實現(xiàn)電路設(shè)計簡化和成本降低。通過研討會，您將了解：技術(shù)革新亮點：詳細(xì)介紹英飛凌最新固態(tài)隔離器的核心技術(shù)優(yōu)勢，以及在快速開通和關(guān)

  電氣 英飛凌 隔離器 812瀏覽量

• 新品 | 6500V、1000A 單開關(guān) IGBT 模塊 FZ1000R65KE42024-09-10 08:03

  

  新品6500V、1000A單開關(guān)IGBT模塊FZ1000R65KE46500V1000A，190mmIHV單開關(guān)IGBT模塊采用IGBT4溝槽柵場終止技術(shù)，是HVDC-VSC、牽引和工業(yè)應(yīng)用的最佳解決方案。產(chǎn)品特點低VCEsat碳化硅鋁基板存儲溫度低至-55°CCTI600應(yīng)用價值實現(xiàn)緊湊型逆變器設(shè)計低功率損耗標(biāo)準(zhǔn)化封裝競爭優(yōu)勢高性能堅固可靠低功率損耗應(yīng)用領(lǐng)

  IGBT 模塊 逆變器 1393瀏覽量

• 新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動器2024-09-05 08:03

  

  新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機(jī)的驅(qū)動器REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機(jī)的驅(qū)動器應(yīng)用而開發(fā)的升級版逆變器和柵極驅(qū)動器板。設(shè)計用于評估采用TO-263-7封裝的第二代1200VCoolSiCMOSFET。采用IMBG120R040M2H作為三相逆變器板的功率開關(guān)。驅(qū)動電路采用了具有米勒鉗位功能的EiceDRI

  MOSFET 伺服電機(jī) 驅(qū)動器 1091瀏覽量

• 兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級研修班10月上海開班2024-09-04 08:02

  

  來源：內(nèi)容來自中國電源學(xué)會01組織機(jī)構(gòu)主辦單位：中國電源學(xué)會承辦單位：中國電源學(xué)會科普工作委員會、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實驗中心、上海臨港電力電子研究院02培訓(xùn)時間地點2024年10月11-13日中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)上海海事大學(xué)物流工程學(xué)院03培訓(xùn)介紹培訓(xùn)內(nèi)容本課程旨在全面系統(tǒng)深入地介紹第三代功率半導(dǎo)體新技術(shù)的發(fā)展，重點講授碳

  半導(dǎo)體器件 氮化鎵 電力電子 1262瀏覽量