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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

同名公眾號致力于打造電力電子工程師園地,英飛凌功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、技術(shù)和應(yīng)用的交流平臺,包括工程師應(yīng)用知識和經(jīng)驗分享,在線課程、研討會視頻集錦。

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英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

  • 新品 | 600V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列2024-09-03 08:02

    新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展,在全球范圍內(nèi)樹立了技術(shù)和性價比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌新一代硅基MOSFET技術(shù),旨在取代現(xiàn)有的高/低功率開關(guān)電源(SMPS)的CoolMOS7產(chǎn)品系列(包括P7、S7、CFD7、C7、G7和PFD7)。它也是CoolGa
    MOS MOSFET 英飛凌 1185瀏覽量
  • 離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢2024-08-30 12:25

    *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/工商業(yè)側(cè)儲能正以其經(jīng)濟性,電網(wǎng)友好性等特點蓬勃發(fā)展,其中離網(wǎng)應(yīng)用場景下,不平衡負載帶載能力,諧波畸變度等都是其PCS的重要指標(biāo)。三相四橋臂(3P4L)變流器具有最強的不平衡負載能力,但對比三相三線(3P3W)系統(tǒng),成本增加,諧波畸變度更高。SiCMOSFETs由于其優(yōu)越的材料特性與器件特性,相較IGBT可大幅提升開關(guān)
    MOSFET SiC 變流器 2276瀏覽量
  • 新品 | EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 6.5 A、5.7 kV(有效值)雙通道隔離柵極驅(qū)動器2024-08-30 12:24

    新品EiceDRIVER2ED314xMC12L6.5A、5.7kV(有效值)雙通道隔離柵極驅(qū)動器EiceDRIVER2ED314xMC12L是一個雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC系列,用于驅(qū)動SiMOSFET、IGBT和SiCMOSFET。所有產(chǎn)品均采用14引腳DSO封裝,輸入-輸出爬電間距為8mm,加強絕緣。所有型號都具有死區(qū)時間控制(DTC)功能和獨立驅(qū)動通道
    MOSFET SiC 驅(qū)動器 1634瀏覽量
  • 系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC器件開關(guān)的影響分析2024-08-30 12:24

    *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開關(guān)開通時的過流機理,以及開通電流振蕩的原因。除了寄生電感對功率器件電壓應(yīng)力的影響外,本文還討論了系統(tǒng)設(shè)計中寄生電容對開通電流應(yīng)力、電流振蕩和開通損耗的負面影響。01導(dǎo)言隨著SiC技術(shù)的發(fā)展和電力電子行業(yè)的增長,SiC器件越來越受到工程師
    MOS sic器件 二極管 1331瀏覽量
  • 新品 | 集成溫度傳感器工業(yè)和汽車級CoolMOS™ S7T和S7TA SJ MOSFET2024-08-30 12:24

    新品集成溫度傳感器工業(yè)和汽車級CoolMOSS7T和S7TASJMOSFET集成溫度傳感器的CoolMOSS7T和S7TA提高了結(jié)溫測量的準(zhǔn)確性和穩(wěn)健性,測溫簡單,并實現(xiàn)了功能安全。該器件針對低頻和大電流開關(guān)應(yīng)用進行優(yōu)化。它非常適合固態(tài)繼電器、固態(tài)斷路器和SMPS中的輸入整流等工業(yè)應(yīng)用,以及汽車中的電池分?jǐn)唷㈦娮颖kU絲和車載充電器。溫度傳感器增強了CoolM
    MOSFET 傳感器 工業(yè) 1163瀏覽量
  • 英飛凌推出高性能 CIPOS™ Maxi 智能功率模塊,適用于功率高達 4 千瓦的工業(yè)電機驅(qū)動器2024-08-14 08:14

    英飛凌科技推出用于電機驅(qū)動的低功耗CIPOSMaxi智能功率模塊(IPM)系列,進一步擴展了其第七代TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品系列。新型IM12BxxxC1系列基于最新的TRENCHSTOPIGBT71200V和快速二極管EmCon7技術(shù)。由于采用了最新的微溝槽設(shè)計,該產(chǎn)品具有卓越的控制能力和性能。這大大降低了損耗,提高了效率和功率密度。該產(chǎn)品組合包
  • 新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL™ 3 IGBT7 模塊2024-08-13 08:14

    新品900A1700VWave基板的EconoDUAL3IGBT7模塊EconoDUAL3FF900R17ME7W_B11基板采用Wave波浪結(jié)構(gòu),針對開放式液冷散熱器應(yīng)用進行了優(yōu)化,以實現(xiàn)更高的功率密度和更長的使用壽命。目前的EconoDUAL3Wave產(chǎn)品組合新增了1700V電壓等級的900A模塊。產(chǎn)品型號:FF900R17ME7W_B11900A170
    IGBT 散熱器 模塊 1202瀏覽量
  • 墻邊的英雄--關(guān)于插座的二三事2024-08-11 08:14

    想象一下,如果沒有插座,我們的生活將會是怎樣一番景象?插座,這個平凡的小方塊,默默地承擔(dān)著連接我們與電力世界的重任。但是,它并不是簡單的電流輸送者,它是家庭和辦公室中不可或缺的一員,是現(xiàn)代生活的靜默伙伴。然而,雖然插座如此重要,它的設(shè)計、功能以及安全性卻常常被人們忽視。在這里我們將深入探討插座的歷史,它是如何從一個簡單的電力接入設(shè)備發(fā)展成為今天這樣一個集安全
    家用電器 插座 連接器 2195瀏覽量
  • 英飛凌于馬來西亞啟用全球最大且最高效的碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠2024-08-10 08:14

    ●馬來西亞***、吉打州州務(wù)大臣與英飛凌管理層共同出席了新工廠一期項目的生產(chǎn)啟動儀式。●新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位?!駨娪辛Φ目蛻糁С峙c承諾以及重要的設(shè)計訂單為持續(xù)擴建提供了支撐。●居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節(jié)能和可持續(xù)舉措。全球推進低碳化的舉措拉動了對功率半導(dǎo)體的市場需求。順應(yīng)這一趨勢,英飛凌科技股
  • PCIM2024論文摘要|新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機驅(qū)動2024-08-08 08:14

    /摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOSFET技術(shù)開關(guān)損耗低、導(dǎo)通電阻小,非常適合三電平拓撲結(jié)構(gòu)。本文簡要介紹了該器件的設(shè)計理念,并研究了其在ANPC拓撲的三相交流通用工業(yè)驅(qū)動器中的性能,該驅(qū)動器工作在高達750VDC的輸入電壓下。簡介目前400V
    MOSFET SiC 電機驅(qū)動 3154瀏覽量