英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)2024-12-23 17:31

  

  樣品活動進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)？在功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章《功率半導(dǎo)體殼溫和

  函數(shù) 功率器件 熱設(shè)計 1849瀏覽量

• 新品 | 750V 8mΩ CoolSiC™ MOSFET2024-12-20 17:04

  

  750V8mΩCoolSiCMOSFET采用TO-247-4封裝的新型CoolSiCMOSFET750VG1是高度堅固的SiCMOSFET，具有最佳的系統(tǒng)性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經(jīng)驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優(yōu)勢，并具有柵極驅(qū)動靈活性，從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計，提高了成本效益，實現(xiàn)了最高的效率和功率

  MOSFET SiC 英飛凌 1122瀏覽量

• 新品 | 6EDL04x065xT 系列三相柵極驅(qū)動器2024-12-19 19:00

  

  樣品活動進(jìn)行中，掃碼了解詳情新品6EDL04x065xT系列三相柵極驅(qū)動器650V三相柵極驅(qū)動器，帶過電流保護(hù)(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號：■6EDL04I065NT■6EDL04I065PT■6EDL04N065PT產(chǎn)品特點英飛凌薄膜-SOI技術(shù)最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0.165A/-0.375A集成

  三相柵極驅(qū)動器 英飛凌 驅(qū)動器 1068瀏覽量

• 搶先領(lǐng)??！高壓CoolGaN™ GIT HEMT可靠性白皮書推薦2024-12-18 17:20

  

  高壓CoolGaNGITHEMT（高電子遷移率晶體管）可靠性和驗證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實現(xiàn)CoolGaN技術(shù)和器件使用壽命，且大幅超過標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定，詳細(xì)闡述了英飛凌用于驗證CoolGaN器件的四個方面的流程。硅的故障機(jī)制清晰，驗證方法非常成熟，但傳統(tǒng)的硅驗證工藝無法直接應(yīng)用于GaN技術(shù)產(chǎn)品，因為GaN器件的材料和結(jié)構(gòu)特性與

  HEMT 晶體管 白皮書 高壓 968瀏覽量

• 英飛凌CoolSiC™ MOSFET 2000V再獲殊榮，榮獲極光獎兩項大獎2024-12-17 17:03

  

  英飛凌的CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件再度贏得行業(yè)殊榮，榮獲2024年度極光獎“年度影響力產(chǎn)品”獎項。與此同時，憑借其在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新突破及產(chǎn)品性能的顯著提升，英飛凌被授予“第三代半導(dǎo)體年度標(biāo)桿領(lǐng)軍企業(yè)”的榮譽(yù)。點擊可查看大圖此外，作為功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌持續(xù)致力于碳化硅技術(shù)的革新與發(fā)展，推動市場向更高功率等級與更高能

  MOSFET 半導(dǎo)體 英飛凌 1292瀏覽量

• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散2024-12-16 17:22

  

  樣品活動進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理

  功率半導(dǎo)體 功率器件 測量 熱設(shè)計 1769瀏覽量

• 新品 | 6EDL04x065xR 和 6EDL04N03PR 系列三相柵極驅(qū)動器2024-12-13 17:04

  

  新品6EDL04x065xR和6EDL04N03PR系列三相柵極驅(qū)動器650V和300V三相柵極驅(qū)動器，帶過電流保護(hù)(OCP)、使能(EN)、故障檢測和集成自舉二極管(BSD)產(chǎn)品型號：■6EDL04I065NR■6EDL04I065PR■6EDL04N065PR■6EDL04N03PR產(chǎn)品特點英飛凌薄膜-SOI技術(shù)最大阻斷電壓+650V輸出源/吸收電流+0

  BSD 二極管 驅(qū)動器 1150瀏覽量

• 新品 | 3300V,1600A二極管IHV B模塊2024-12-12 17:03

  

  新品3300V,1600A二極管IHVB模塊知名的IHVBIHVB3.3kV單開關(guān)IGBT模塊經(jīng)過了重大改進(jìn)，以滿足牽引和工業(yè)應(yīng)用（如中壓傳動或HVDC）當(dāng)前和未來的要求。這是首次擴(kuò)展二極管產(chǎn)品組合，DD1600S33HE4是同類最佳的3.3kV二極管模塊，足以取代原來2個雙二極管3.3kV模塊。它采用發(fā)射極可控EmCon4二極管，功率循環(huán)能力更強(qiáng)，標(biāo)準(zhǔn)封裝

  二極管 模塊 997瀏覽量

• 深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？2024-12-11 17:04

  

  /編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體

  GaN SiC 功率半導(dǎo)體 半導(dǎo)體 開關(guān)電源 1899瀏覽量

• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流2024-12-11 01:03

  

  /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。上一篇講了兩種熱等效電路模型，Cauer模型和Foster模型，這一篇以二極管的浪涌電流為例，講

  二極管 功率器件 浪涌電流 熱設(shè)計 1321瀏覽量