英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• 新品 | 采用950V IGBT7和1200VSiC二極管的三路45A 三電平Boost MPPT模塊2023-01-18 22:11

  

  新品光伏組串逆變器用45A三路MPPT模塊光伏組串逆變器用45A三路MPPT模塊，由950VIGBT7和1200VSiC二極管構(gòu)成相關(guān)器件：FS3L400R10W3S7F_B1145A3路MPPTFS3L400R10W3S7F_B11是EasyPACK3B封裝的三路45AMPPT模塊。它采用950V的TRENCHSTOPIGBT7和1200V的CoolSiC

  二極管 模塊 MPPT 2767瀏覽量

• 是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案2023-01-16 22:11

  

  作者簡介作者：sureshthangavel翻譯：趙佳與硅技術(shù)相比，SiCMOSFET在光伏和儲能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時(shí)候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個(gè)工人來搬運(yùn)和安裝該系統(tǒng)，將會(huì)非常利于運(yùn)維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這

  逆變器 SiC 1574瀏覽量

• 如何手動(dòng)計(jì)算IGBT的損耗2023-01-12 22:11

  

  現(xiàn)今隨著高端測試儀器和仿真軟件的普及，大部分的損耗計(jì)算都可以使用工具自動(dòng)完成，節(jié)省了不少精力，不得不說這對工程師來說是一種解放，但是這些工具就像黑盒子，好學(xué)的小伙伴總想知道工作機(jī)理。其實(shí)基礎(chǔ)都是大家學(xué)過的基本高等數(shù)學(xué)知識。今天作者就幫大家打開這個(gè)黑盒子，詳細(xì)介紹一下IGBT損耗計(jì)算方法同時(shí)一起復(fù)習(xí)一下高等數(shù)學(xué)知識。我們先來看一個(gè)IGBT的完整工作波形：IGB

  IGBT 損耗 2952瀏覽量

• SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？2023-01-11 15:09

  

  眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì)干別的了嗎？非也。因?yàn)镾iC材料獨(dú)有的特性，Si

  MOSFET SiC 2370瀏覽量

• 探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性2023-01-11 15:09

  

  探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性

  二極管 MOSFET 3495瀏覽量

• 新品 | 采用IPM IM323 1500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)的評估板2023-01-11 15:09

  

  新品采用IPMIM3231500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)的評估板評估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的評估，它的目標(biāo)應(yīng)用為三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)，大家電，如空調(diào)、泵、風(fēng)扇和其他變頻驅(qū)動(dòng)器。產(chǎn)品型號：EVAL-M1-IM323產(chǎn)品特點(diǎn)輸入電壓165Vac至265Vac165Vac時(shí)最大12A的輸入電流220V

  驅(qū)動(dòng) 電機(jī) 評估板 1750瀏覽量

• 通過柵極驅(qū)動(dòng)器提高開關(guān)電源功率密度2023-01-11 15:08

  

  作者：HubertBaierl，英飛凌科技市場總監(jiān)校對：柯春山英飛凌科技高級主任工程師像許多電子領(lǐng)域一樣，進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前，在3.3kW開關(guān)電源(SMPS)中，產(chǎn)品效率高達(dá)98%，1U結(jié)構(gòu)尺寸，其功率密度可達(dá)100W/in³。這之所以可以實(shí)現(xiàn)是因?yàn)槲覀冊趫D騰柱PFC級中明智地選擇了超結(jié)(SJ)功率MOSFET（例如CoolMOS），碳化硅(SiC)MOSF

  電源 驅(qū)動(dòng)器 1681瀏覽量

• 探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性2023-01-04 09:45

  

  SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)镾iC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨(dú)有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個(gè)影響因素，并且闡明了快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET的反向恢復(fù)損耗概

  二極管 MOSFET 3835瀏覽量

• 魚與熊掌皆可得？當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC2022-05-27 01:47

  

  引言事物皆有兩面：SiCMOSFET以更快的開關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計(jì)都帶來了額外的挑戰(zhàn)。應(yīng)用痛點(diǎn)氫燃料系統(tǒng)中的高速空壓機(jī)控制器功率35kW上下，轉(zhuǎn)速高達(dá)10萬轉(zhuǎn)以上，輸出頻率可達(dá)2000Hz，調(diào)制頻率50kHz以上是

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• IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀2022-05-26 02:14

  

  什么是窄脈沖現(xiàn)象IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會(huì)引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì)無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)流時(shí)反向恢復(fù)特性也會(huì)變快。以1700V/1000A

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