英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體文章

• SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性2023-04-11 14:21

  

  作者簡介作者：FriedrichsPeter翻譯：趙佳碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)：確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設(shè)計都會非常關(guān)注導(dǎo)通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準(zhǔn)參數(shù)。然而，工程師們必須在主要性能指標(biāo)（如電阻和開關(guān)損耗），與實際應(yīng)用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當(dāng)?shù)钠胶狻?yōu)

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• 英飛凌強(qiáng)化低碳化形象：工業(yè)應(yīng)用部門將以零碳工業(yè)功率（GIP）事業(yè)部為名開展經(jīng)營2023-04-07 06:38

  

  德國慕尼黑-2023年4月3日-英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）已將其工業(yè)功率控制（IPC,IndustrialPowerControl）事業(yè)部更名為零碳工業(yè)功率（GIP,GreenIndustrialPower）事業(yè)部。自此，英飛凌強(qiáng)調(diào)其將持續(xù)緊跟低碳化和數(shù)字化趨勢。對于重新命名為零碳工業(yè)功率（GIP）的事業(yè)部，綠色能源

  數(shù)字化 英飛凌 2035瀏覽量

• 英飛凌為世界注入無限綠色能源，助力零碳轉(zhuǎn)型2023-04-03 16:52

  

  聚焦“碳中和”，探討運用創(chuàng)新技術(shù),以可持續(xù)的發(fā)展方式為世界節(jié)能減排的IICShanghai2023近日在上海舉辦。陳立烽英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)高級技術(shù)總監(jiān)英飛凌科技工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)高級技術(shù)總監(jiān)陳立烽受邀出席“2023'碳中和'暨綠色能源電子產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展高峰論壇”發(fā)表主題演講，深入淺出地分享英飛凌如何“為世界注入無限綠色能源”。美好明

  能源 英飛凌 1128瀏覽量

• 新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H72023-03-28 16:41

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封裝分立器件，旨在滿足光伏、不間斷電源和電池充電的應(yīng)用。產(chǎn)品特點得益于著名的英飛凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技術(shù)高速開關(guān)，低EMI輻射針對目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管，實現(xiàn)了低Qrr可選擇較低的柵極電阻（低至5Ω），同時保持出色的開

  1200V IGBT 1597瀏覽量

• 是時候從Si切換到SiC了嗎？2023-03-28 16:41

  

  作者簡介作者：UweJansen翻譯：陳子穎在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關(guān)器件，特別是SiCMOSFET，已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。最初是在光伏（PV）逆變器和電池電動車（BEV）驅(qū)動系統(tǒng)中采用，但現(xiàn)在，越來越多的應(yīng)用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設(shè)備和系統(tǒng)設(shè)計中都必須評估SiC在系統(tǒng)中可能的潛力，以及利用這一潛力的最佳策略是什么

  SiC 碳化硅 949瀏覽量

• 新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S72023-03-28 16:41

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封裝分立器件，可快速、方便地替換上一代T2芯片產(chǎn)品系列產(chǎn)品型號：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE

  IGBT 分立器件 2331瀏覽量

• 新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms單通道隔離柵極驅(qū)動器2023-03-28 16:41

  

  新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)單通道隔離柵極驅(qū)動器X3Compact(1ED31xx)隔離柵極驅(qū)動器系列，容易使用，最近發(fā)布的柵極驅(qū)動器系列又增加了一個新的產(chǎn)品系列，DSO-8150mil窄體封裝（1ED314x），帶一個米勒鉗位選項。相關(guān)器件：1ED3140MU12F1ED3141MU12F1ED3142

  柵極 驅(qū)動器 2636瀏覽量

• SiC MOSFET的短溝道效應(yīng)2023-03-28 16:40

  

  原文標(biāo)題：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：ThomasBasler原文發(fā)表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，PracticalAspectsandBod

  MOSFET SiC 2155瀏覽量

• 新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模塊2023-03-28 16:40

  

  新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模塊，采用M1H芯片，導(dǎo)通電阻8-17毫歐五個規(guī)格，PressFIT壓接針和NTC。產(chǎn)品型號：DF17MR12W1M1HDF16MR12W1M1HDF14MR12W1M1HDF11MR12W1M1HDF8MR12W1M1H產(chǎn)品特點Best-

  光伏 模塊 1181瀏覽量

• HV SJ MOSFET工作在第三象限時電流路徑探究2023-03-15 22:10

  

  熊康明英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部主任工程師1引言相信各位工程師在日常的電源設(shè)計中，當(dāng)面對ZVS的場景時，經(jīng)常會有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死區(qū)時，MOSFET寄生二極管續(xù)流，當(dāng)完成了對結(jié)電容的充放電之后，再打開MOSFET以降低器件的損耗。細(xì)心的工程師可能就會發(fā)現(xiàn)一個有趣的問題，我們這里拿IPW60R024CFD7舉例說明，假設(shè)死區(qū)時刻，流過二

  MOSFET 二極管 電流 3178瀏覽量