英飛凌工業(yè)半導體文章

• IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？2023-09-16 08:32

  

  IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？

  IGBT 器件 電壓 5576瀏覽量

• 搭載1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封裝功率密度2023-09-14 08:16

  

  繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應用在PrimePACK模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。目標應用領域：1200VP7模塊首發(fā)型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產品，新的IGBT7產品進一步拓展了PrimePACK封

  IGBT 封裝 芯片 英飛凌 1832瀏覽量

• ChatGPT變聰明了嗎？如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj2023-09-09 08:16

  

  ChatGPT變聰明了嗎？如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj

  ChatGPT IGBT 器件 2046瀏覽量

• ChatGPT真的懂IGBT嗎2023-09-04 16:26

  

  ChatGPT是部萬寶全書，請鑒定一下她是否缺個角，看看她是在一本正經地胡說八道，還是一位真知灼見的專家。本期是和ChatGPT辯論的第

  ChatGPT IGBT 電阻 1141瀏覽量

• 具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC™ MOSFET M1H2023-08-25 08:16

  

  2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設立“綠色能源與工業(yè)”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區(qū)域8月29日-31日，我們現場不見不散！點擊上方圖片，了解更多本次展會上，英飛凌將展出豐富的SiC系列產品，包括CoolSiCMOSFET以及相應的驅動評估板CoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFETEasy2B三電

  MOSFET SiC 電壓 1329瀏覽量

• 談談SiC MOSFET的短路能力2023-08-25 08:16

  

  談談SiC MOSFET的短路能力

  IGBT MOSFET SiC 電壓 短路 3476瀏覽量

• 如何更好的使用EiceDRIVER™ IC驅動SiC MOSFET2023-08-17 09:27

  

  2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設立“綠色能源與工業(yè)”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區(qū)域碳化硅（SiCMOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動系統的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER1

  IC MOSFET SiC 驅動 2506瀏覽量

• 來自英飛凌開發(fā)者社區(qū)的10問10答——IGBT篇2023-08-02 08:17

  

  Q在IGBT器件的開通過程中，柵極電荷Qg的充電過程是怎樣的？A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數據手冊中如圖1所示，給出了柵極電荷Qg和柵極電壓Vge的關系。圖2為IGBT器件簡化示意圖。柵極電荷的充電過程可以分為以下三個區(qū)域。

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• 基于IM828-XCC的高速電機驅動器設計2023-07-31 22:55

  

  隨著現代機床向高速、高精度方向發(fā)展，對機床主軸的技術要求越來越高。電主軸作為高速機床的重要組成部件之一，因其轉速高、體積小和優(yōu)異的動態(tài)性能等特性，可有效提高機床的動態(tài)平衡，避免了振動和噪聲。主軸電機放置在機床的主軸單元內，直接驅動負載。因此，簡化了傳統的機械驅動結構，實現了“零驅動”。由于電主軸的廣泛應用，推動著電機主軸系統向高精度、高速、低能耗、高效率、高

  機床 電機 驅動器 高速 3446瀏覽量

• 使用新型160V MOTIX™三相柵極驅動器IC實現更好的電池供電設計（第一部分）2023-07-31 22:55

  

  作者簡介作者:SrivatsaRaghunath翻譯：趙佳MOTIX三相柵極驅動器集成電路6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX品牌的新成員，該品牌通過可擴展的產品組合提供低壓電機控制解決方案。它是一款160V絕緣體上硅(SOI)柵極驅動器IC，采用5x5mm²QFN-32封裝，帶有熱效率高的裸露功率焊盤，并集成了電源管理單元(PMU)。這種易于使用的器件

  IC 供電 電池 驅動器 1487瀏覽量