深圳市首質(zhì)誠科技有限公司文章

• 選型手冊：MOT3520J N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-18 16:08

  

  選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓

  MOS 仁懋電子 晶體管 630瀏覽量

• 選型手冊：MOT5146T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-18 16:04

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT5146T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借4.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、250A超大電流承載能力及先進溝槽單元設(shè)計，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：1

  MOS 仁懋電子 晶體管 405瀏覽量

• 選型手冊：MOT8120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-18 15:58

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動車、BMS（電池管理系統(tǒng)）、無人機等大功率場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)

  MOS 仁懋電子 晶體管 350瀏覽量

• 選型手冊：MOT65R180HF N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管2025-11-18 15:39

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道超級結(jié)功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓功率轉(zhuǎn)換場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

  MOS 仁懋電子 晶體管 320瀏覽量

• 選型手冊：MOT65R380F N 溝道超級結(jié)功率 MOSFET 晶體管2025-11-18 15:32

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道超級結(jié)功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓功率轉(zhuǎn)換場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{

  MOS 仁懋電子 晶體管 349瀏覽量

• 選型手冊：MOT4633G 互補增強型 MOSFET 晶體管2025-11-17 14:43

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4633G是一款N+P互補增強型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借先進溝槽設(shè)計、低導(dǎo)通電阻及低熱阻特性，適用于電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N+P互補增強型MOSFET（同時集成N溝道與P溝道單元）核心參數(shù)：N溝道：漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：40V；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on

  MOS 仁懋電子 晶體管 400瀏覽量

• 選型手冊：MOT2N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-17 14:37

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及TO-220F封裝適配性，適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_

  MOS 仁懋電子 晶體管 351瀏覽量

• 選型手冊：MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-17 11:27

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

  MOS 仁懋電子 晶體管 386瀏覽量

• 選型手冊：MOT3650J N+P 增強型 MOSFET 晶體管2025-11-14 16:12

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P增強型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷特性，適用于計算設(shè)備電源管理、負載開關(guān)、快速無線充電、電機驅(qū)動等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N+P增強型MOSFET（同時集成N溝道與P溝道單元）核心參數(shù)：N溝道：漏源耐壓（\(BV_{DSS}\)）：30V；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

  MOS 仁懋電子 晶體管 691瀏覽量

• 選型手冊：MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-14 16:04

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負載開關(guān)、電源管理等場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P-溝道增強型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：-20V，適配低壓負電源供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

  MOS 仁懋電子 晶體管 485瀏覽量