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深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司文章

  • 選型手冊(cè):MOT12N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-07 10:31

    仁懋電子(MOT)推出的MOT12N70F是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、UPS等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(
    MOS 仁懋電子 晶體管 353瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT9N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-07 10:23

    仁懋電子(MOT)推出的MOT9N50F是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS
    MOS 仁懋電子 晶體管 436瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT7N65AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-06 16:15

    仁懋電子(MOT)推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高效開關(guān)電源、半橋式電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R
    MOS 仁懋電子 晶體管 446瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT4N70D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-06 16:12

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4N70D是一款面向700V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):700V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{DS
  • 選型手冊(cè):MOT20100D 肖特基勢(shì)壘整流二極管2025-11-06 16:08

    仁懋電子(MOT)推出的MOT20100D是一款20A規(guī)格的肖特基勢(shì)壘整流二極管,憑借100V耐壓、低正向壓降及高浪涌電流特性,適用于開關(guān)電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息核心參數(shù):峰值反向耐壓(\(V_{RRM}\)):100V平均整流輸出電流(\(I_o\)):20A(總電流)正向壓降(\(V_F\)):\(I_F=10A\)時(shí)典型
  • 選型手冊(cè):MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-06 16:05

    仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50BD是一款面向500V高壓高頻場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及500V耐壓,廣泛適用于高頻開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):500V,適配高壓高頻供電系統(tǒng);導(dǎo)通電阻(\(R_{D
    MOS 仁懋電子 晶體管 461瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT100N03MC N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-06 15:44

    仁懋電子(MOT)推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換器、大功率負(fù)載開關(guān)等)。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):30V,適配低壓大電流供電場(chǎng)
    MOS 仁懋電子 晶體管 550瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT70N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 16:01

    仁懋電子(MOT)推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及RoHS合規(guī)性,適用于各類開關(guān)應(yīng)用(如DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)等)。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V_{DSS
    MOS 仁懋電子 晶體管 406瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT5122T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 15:53

    選型手冊(cè):MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)通損耗及260A超大電流承載能力,廣泛適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、電池管理系統(tǒng)(BMS)、無人機(jī)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):
    MOS 仁懋電子 晶體管 334瀏覽量
  • 選型手冊(cè):MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-11-05 15:28

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、無人機(jī)等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性、電氣參數(shù)、封裝應(yīng)用等維度展開說明。一、產(chǎn)品基本信息器件類型:N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù):漏源極耐壓(\(V