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• 選型手冊(cè)：MOT3140G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-27 17:30

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT3140G是一款面向低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力及緊湊封裝設(shè)計(jì)，廣泛適用于便攜式設(shè)備電源、筆記本功率管理、電池供電系統(tǒng)等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開詳細(xì)說明。一、品牌背景：仁懋電子（MOT）與低壓大電流功率半導(dǎo)體布局仁懋電子（MOT）聚焦低壓大電流功率半導(dǎo)

  MOS MOSFET 仁懋電子 317瀏覽量

• 選型手冊(cè)：MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管2025-10-27 17:19

  

  仁懋電子（MOT）推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關(guān)場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通損耗及高速開關(guān)特性，廣泛適用于高效開關(guān)電源、電子鎮(zhèn)流器、LED電源等領(lǐng)域。以下從品牌定位、器件特性、電氣參數(shù)等維度展開詳細(xì)說明。一、品牌背景：仁懋電子（MOT）與高壓功率半導(dǎo)體布局仁懋電子（MOT）聚焦功率半導(dǎo)體器件研發(fā)，在中高壓MOSFET

  MOS MOSFET 仁懋電子 晶體管 326瀏覽量

• MOT6586T N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析2025-10-27 10:49

  

  一、產(chǎn)品概述MOT6586T是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用TOLL-8L表面貼裝封裝，基于超級(jí)溝槽（SuperTrench）工藝設(shè)計(jì)，聚焦大功率系統(tǒng)逆變器、輕型電動(dòng)車、無人機(jī)等高功率密度場(chǎng)景，具備超低導(dǎo)通損耗、超大電流承載能力與高可靠性的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓電流特性：漏源電壓（V????）最大25V，連續(xù)漏極電流（I

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• MOT4162G N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析2025-10-27 10:34

  

  一、產(chǎn)品概述MOT4162G是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN506-8L封裝形式，聚焦電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)、電池管理等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通電阻、優(yōu)異散熱性能和高可靠性為核心技術(shù)亮點(diǎn)，且符合RoHS和無鹵環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓電流特性：漏源電壓（V????）最大40V，連續(xù)漏極電流（I?D?）達(dá)45A（25℃下），脈沖漏極電流

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• MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析2025-10-24 16:21

  

  一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，聚焦計(jì)算設(shè)備電源管理、快速/無線充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，以超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷為核心技術(shù)亮點(diǎn)，且采用無鉛鍍層工藝，滿足環(huán)保合規(guī)要求。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓電流特性：漏源電壓（V????）最大100V，柵源電壓（V?????）最大±20V

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• MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析2025-10-24 15:59

  

  一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗、小型化封裝為核心技術(shù)亮點(diǎn)，且為無鉛產(chǎn)品，滿足環(huán)保合規(guī)要求。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓電流特性：漏源電壓（V????）最大-30V，柵源電壓（V?????）范圍±

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• MBR10200A 肖特基勢(shì)壘整流器技術(shù)解析2025-10-24 11:27

  

  一、產(chǎn)品概述MBR10200A是仁懋電子（MOT）推出的10A肖特基勢(shì)壘整流器，具備低正向壓降、高浪涌電流容量等技術(shù)特性，適配TO-220、TO-220F、TO-263多種封裝形式，聚焦高效整流、高可靠性功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景，可滿足工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子等領(lǐng)域?qū)﹄娔苻D(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性的雙重需求。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓承載能力：峰值反向電壓（VR）達(dá)200V，可在200

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• MOT3910J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析2025-10-24 11:14

  

  一、產(chǎn)品定位與結(jié)構(gòu)MOT3910J是仁懋電子（MOT）推出的雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，將兩只N溝道MOSFET集成于單顆芯片內(nèi)，適配高頻功率轉(zhuǎn)換、同步整流等對(duì)空間與性能均有要求的場(chǎng)景，在小型化布局中實(shí)現(xiàn)雙路功率控制。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓電流特性：漏源電壓（VDS）最大30V，柵源電壓（VGS）最大20V；連續(xù)漏極電流（ID

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• MOT2165J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析2025-10-24 10:22

  

  MOT2165J是仁懋電子（MOT）推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)特性和小型化封裝為核心技術(shù)亮點(diǎn)。一、核心參數(shù)與技術(shù)意義電壓電流特性：漏源電壓（VDS）最大20V，適配20V及以下低壓電路；連續(xù)漏極電流（ID）達(dá)55A，脈沖漏極電流（IDM）可至200A，能滿足

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• MOT2045D 20A 肖特基勢(shì)壘整流器技術(shù)解析：高效整流的可靠之選2025-10-23 17:32

  

  在開關(guān)電源、高頻整流等高效電力電子場(chǎng)景中，肖特基整流器憑借低正向壓降、快開關(guān)速度的優(yōu)勢(shì)成為核心器件之一。本文針對(duì)仁懋電子（MOT）的MOT2045D型號(hào)，從參數(shù)特性、工藝設(shè)計(jì)到應(yīng)用場(chǎng)景展開深度剖析，為高效整流系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品定位與封裝設(shè)計(jì)MOT2045D是一款20A肖特基勢(shì)壘整流器，采用TO-252封裝，包裝規(guī)格為2500片/卷，適配規(guī)?；a(chǎn)

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