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選型手冊(cè)：VSE011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-30 14:58
威兆半導(dǎo)體推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配中壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{ -
選型手冊(cè)：VSP005NE8HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-30 11:59
威兆半導(dǎo)體推出的VSP005NE8HS-G是一款面向85V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：85V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS} -
選型手冊(cè)：VSI008N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-30 10:55
威兆半導(dǎo)體推出的VSI008N10MS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-251封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\ -
選型手冊(cè)：VSO013N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-29 11:52
威兆半導(dǎo)體推出的VSO013N10MS是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)1 -
選型手冊(cè)：VST018N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-29 11:30
威兆半導(dǎo)體推出的VST018N10MS是一款面向100V中壓大功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS} -
選型手冊(cè)：VS7N65AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-29 10:24
威兆半導(dǎo)體推出的VS7N65AD是一款面向650V高壓小功率場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓電源開關(guān)、小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}= -
選型手冊(cè)：VSD007N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-29 10:03
威兆半導(dǎo)體推出的VSD007N06MS是一款面向60V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓大功率電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS -
選型手冊(cè)：VSF013N10MS3-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-29 09:53
威兆半導(dǎo)體推出的VSF013N10MS3-G是一款面向100V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220SF封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS} -
選型手冊(cè)：VSP020P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-26 12:01
威兆半導(dǎo)體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓電源的高側(cè)開關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-40V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配40V中壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\ -
選型手冊(cè)：VS6880AT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-26 11:58
威兆半導(dǎo)體推出的VS6880AT是一款面向68V中壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：68V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典