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深圳市首質(zhì)誠科技有限公司文章

  • 選型手冊：VST012N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-24 13:07

    威兆半導(dǎo)體推出的VST012N06MS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配低壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  • 選型手冊：VS4N65CD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-24 13:04

    威兆半導(dǎo)體推出的VS4N65CD是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓小功率電源管理、開關(guān)電路等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典

  • 選型手冊：VS3508AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-24 13:01

    威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的高側(cè)開關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配30V低壓場景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}

  • 選型手冊：VS6038AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-23 11:43

    威兆半導(dǎo)體推出的VS6038AD是一款面向60V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252/TO-251封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：典型值35mΩ（\(V

  • 選型手冊：VS4518AD P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-23 11:39

    威兆半導(dǎo)體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓電源的高側(cè)開關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-40V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配40V中壓場景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

  • 選型手冊：VSI080N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-23 11:26

    威兆半導(dǎo)體推出的VSI080N06MS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-251-S封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  • 選型手冊：VSE090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-23 11:22

    威兆半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3x3封裝，適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

  • 選型手冊：VS4080AI N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-23 11:18

    威兆半導(dǎo)體推出的VS4080AI是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DIPPAK封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值

  • 選型手冊：VS2622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-18 17:42

    威兆半導(dǎo)體推出的VS2622AE是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持2.5V邏輯電平控制，采用PDFN3x3封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

  • 選型手冊：VS6808DH 共漏極雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-18 17:40

    威兆半導(dǎo)體推出的VS6808DH是一款面向20V低壓場景的共漏極雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持2.0V邏輯電平控制，采用SOT23-6L封裝，適配小型化低壓雙路電源的負(fù)載開關(guān)、電源通路控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：共漏極雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配雙路低壓供電場景；導(dǎo)通電