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選型手冊(cè)：VS320N10AU N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-12 15:26
威兆半導(dǎo)體推出的VS320N10AU是一款面向100V中壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-247封裝，適配中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS -
選型手冊(cè)：VST009N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-12 14:34
威兆半導(dǎo)體推出的VST009N15HS-G是一款面向150V中高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中高壓電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：150V，適配中高壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{G -
選型手冊(cè)：VS3602GPMT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-11 15:36
威兆半導(dǎo)體推出的VS3602GPMT是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS -
選型手冊(cè)：VS4603DM6 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-11 11:52
威兆半導(dǎo)體推出的VS4603DM6是一款面向40V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263-RL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{G -
選型手冊(cè)：VST002N06MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-11 11:20
威兆半導(dǎo)體推出的VST002N06MS-K是一款面向60V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V -
選型手冊(cè)：VS3610AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-11 10:52
威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\( -
選型手冊(cè)：VS3640DS 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-11 10:48
威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DS是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配雙路低壓電源管理、小型負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配雙路低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，單 -
選型手冊(cè)：VS3622AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-10 14:53
威兆半導(dǎo)體推出的VS3622AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\ -
選型手冊(cè)：VS3640DE 雙通道 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-10 14:50
威兆半導(dǎo)體推出的VS3640DE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用PDFN3333封裝，適配雙路低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配雙路低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\) -
選型手冊(cè)：VS3640AA N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管2025-12-10 11:48
威兆半導(dǎo)體推出的VS3640AA是一款面向30V低壓小電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DFN2x2封裝，適配小型化低壓電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)