典型的氧化局限面射型雷射結(jié)構(gòu)
為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點(diǎn)，在1994年從德州大學(xué)奧斯丁分校獲得博士....
增益波導(dǎo)說(shuō)明
其中蝕刻空氣柱法將大多數(shù)可以導(dǎo)通電流的半導(dǎo)體材料以物理性或化學(xué)方式蝕刻移除后，僅保留直徑數(shù)微米至數(shù)十....
半導(dǎo)體雷射相對(duì)強(qiáng)度雜訊
從前面一小節(jié)對(duì)半導(dǎo)體雷射線(xiàn)寬的討論可以知道，即使半導(dǎo)體雷射操作在穩(wěn)態(tài)的狀況下，還是會(huì)有因?yàn)樽园l(fā)輻射所....
半導(dǎo)體雷射之發(fā)光線(xiàn)寬
從前面的例子中，可以知道線(xiàn)寬增強(qiáng)因子會(huì)讓半導(dǎo)體雷射在動(dòng)態(tài)操作時(shí)譜線(xiàn)變寬，接下來(lái)我們要討論的是半導(dǎo)體雷....
大信號(hào)調(diào)制之?dāng)?shù)值解
為要了解半導(dǎo)體雷射的大信號(hào)響應(yīng)，我們先針對(duì)單模雷射的速率方程式求解，我們將使用線(xiàn)性增益近似以及考慮到....
半導(dǎo)體雷射導(dǎo)通延遲時(shí)間
當(dāng)半導(dǎo)體雷射從閾值條件以下要達(dá)到雷射的操作，其主動(dòng)層中的載子必須要先達(dá)到閾值載子濃度才會(huì)有雷射光輸出....
高速調(diào)制半導(dǎo)體雷射結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
從（4-40）式我們知道，要達(dá)到高的弛豫頻率，光子生命期要小而閾值電流要低，然而這兩個(gè)因素是互相沖突....
弛豫頻率與截止頻率計(jì)算
（4-25） 式為我們可以量測(cè)得到的半導(dǎo)體雷射調(diào)制響應(yīng)。將之取對(duì)數(shù)乘上10之后，其單位即為?dB，如....
小信號(hào)響應(yīng)分析
最常見(jiàn)的半導(dǎo)體雷射調(diào)制是如圖4-1 的直接電流調(diào)制，半導(dǎo)體雷射偏壓操作在固定的電流值I0上，欲輸入的....
布拉格反射鏡結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
進(jìn)一步考量到 DBR 的設(shè)計(jì)時(shí)，雖然界面平整的異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以提供較大而明顯的折射率差異以達(dá)到較高的 D....
面射型雷射初期的研發(fā)進(jìn)展
早期面射型雷射由于半導(dǎo)體磊晶技術(shù)簡(jiǎn)在發(fā)展初期階段，因此還無(wú)法直接成長(zhǎng)反射率符合雷射操作需求的全磊晶導(dǎo)....
雷射的發(fā)展歷史
LASER是“l(fā)ight amplification by stimulated emission ....
簡(jiǎn)述方塊電阻的測(cè)試方法
CMOS 工藝技術(shù)平臺(tái)的方塊電阻的測(cè)試結(jié)構(gòu)是NW方塊電阻、PW方塊電阻、Poly 方塊電阻、AA 方....
淺談WAT測(cè)試類(lèi)型
雖然 WAT測(cè)試類(lèi)型非常多，不過(guò)業(yè)界對(duì)于 WAT測(cè)試類(lèi)型都有一個(gè)明確的要求，就是包括該工藝技術(shù)平臺(tái)所....
工商網(wǎng)監(jiān)