頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因為 Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而....

IMD4 工藝是形成 TMV （Top Metal VIA，頂層金屬通孔）的介質(zhì)隔離材料，同時IMD....

IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質(zhì)隔離材料，....

接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填....

IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質(zhì)隔離材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）....

金屬層1工藝是指形成第一層金屬互連線，第一層金屬互連線的目的是實現(xiàn)把不同區(qū)域的接觸孔連起來，以及把不....

ILD 工藝是指在器件與第一層金屬之間形成的介質(zhì)材料，形成電性隔離。ILD介質(zhì)層可以有效地隔離金屬互....

Salicide 工藝是指在沒有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多....

與亞微米工藝類似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重摻雜的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提....

與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護LDD 結(jié)構(gòu)，防止重摻雜的源漏離子....

與亞微米工藝類似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。....

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

與亞微米工藝類似，雙阱工藝是指形成NW和PW的工藝，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW....

STI 隔離工藝是指利用氧化硅填充溝槽，在器件有源區(qū)之間嵌入很厚的氧化物，從而形成器件之間的隔離。利....

有源區(qū)工藝是指通過刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

集成電路的可靠性與內(nèi)部半導(dǎo)體器件表面的性質(zhì)有密切的關(guān)系，目前大部分的集成電路采用塑料封裝而非陶瓷封裝....

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實現(xiàn)把第二層金屬連接起來。頂層金屬需要....

IMD2 工藝與 IMD1工藝類似。IMD2 工藝是指在第二層金屬與第三層金屬之間形成的介質(zhì)材料，形....

金屬層2（M2）工藝與金屬層1工藝類似。金屬層2工藝是指形成第二層金屬互連線，金屬互連線的目的是實現(xiàn)....

隨著器件的特征尺寸減少到90mm 以下，柵氧化層厚度也不斷減小，載流子的物理特性不再遵從經(jīng)典理論，其....

隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成....

當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時，它們之間存在電場，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并....

SMT僅僅是用來提高NMOS 的速度，當(dāng)工藝技術(shù)發(fā)展到45nm 以下時，半導(dǎo)體業(yè)界迫切需要另一種表面....

應(yīng)力記憶技術(shù)（Stress Memorization Technique, SMT），是一種利用覆蓋....

與通過源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料來提高NMOS 的速度類似，通過源漏嵌入 SiGe 應(yīng)變材料可以提高....

源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長....

按照基本工藝制程技術(shù)的類型，BiCMOS 工藝制程技術(shù)又可以分為以 CMOS 工藝制程技術(shù)為基礎(chǔ)的 ....

BCD 工藝制程技術(shù)只適合某些對功率器件尤其是BJT 或大電流 DMOS 器件要求比較高的IC產(chǎn)品。....

1986年，意法半導(dǎo)體（ST）公司率先研制成功BCD工藝制程技術(shù)。BCD工藝制程技術(shù)就是把BJT，C....

PMOS（Positive channel Metal Oxide Semiconductor，P ....