高溫半導體解決方案供應商CISSOID日前宣布:公司已與中國科學院電工研究所(簡稱中科院電工所)達成戰(zhàn)略合作關系,將共同開展基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目,攻克技術難題,實現耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,推動碳化硅功率器件在新能源汽車領域實現廣泛應用。
近年來,碳化硅功率器件憑借多方面的性能優(yōu)勢,在一些領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。同時,新能源汽車在全球各地快速發(fā)展,推動碳化硅器件的市場規(guī)模不斷擴大,目前國際頂級的特斯拉和豐田等車廠已開啟了碳化硅功率器件在新能源汽車領域的早期應用。然而,在汽車應用中,為了充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢,需要驅動器在耐高溫以及異常嚴苛的保護機制等方面提供充分支持。CISSOID公司是來自比利時的高溫半導體解決方案廠商,擁有在航空航天、石油、汽車等多個高端領域驗證過的,應用超過10年的耐高溫、高可靠性、高魯棒性元器件及驅動器產品,可以使碳化硅功率模塊在系統(tǒng)中充分發(fā)揮性能,進而幫助提升新能源汽車的電力運轉水平和續(xù)航里程。
中科院電工所是以電氣科學與工程為學科方向的國立科研機構,定位于電能領域的高新技術研發(fā)與電氣科學的前沿研究,在中國能源技術與電氣科學領域具有重要地位。中科院電工所在電動汽車領域有超過20年的研究歷史,承擔并完成了數十項國家、地方的電動汽車相關重要科技攻關任務,在中國率先開展了車用高功率密度電機驅動的基礎理論和關鍵技術開發(fā),其產品和技術成功應用于北京市2008年奧運會、上海市2010年世博會等運行示范項目,在國際同行中享有很高的聲譽和廣泛的影響。近年來,中科院電工所在寬禁帶半導體方面率先開展研究,成功研發(fā)出具有自主知識產權的直接冷卻碳化硅混合功率模塊、新型間接冷卻膜電容組件和全碳化硅高功率密度驅動電機控制器樣機,功率密度和效率等部分關鍵指標方面達到國際領先水平。本次CISSOID公司和中科院電工所攜手研發(fā)高質量的基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng),將利用各自優(yōu)勢形成強大合力,助力中國新能源汽車領域實現更快、更好發(fā)展。
“2018年,中國新能源汽車產銷量均有大幅度增長,突破了125萬臺。這對中國碳化硅功率器件市場的發(fā)展有著極大的推動作用。中科院電工所近年來在新能源利用領域投入了大量的研發(fā)力量,新能源汽車就是其中非常的重要領域,此次與CISSOID公司合作研發(fā)的基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)就是我們推動中國新能源汽車發(fā)展的關鍵一步?!敝锌圃弘姽に鶞匦褫x研究員表示?!靶履茉雌噷Ω咝?、小體積、耐高溫的碳化硅器件及其驅動器件有很強的需求,CISSOID公司多年來在高溫驅動器和高溫封裝方面的技術可以助力碳化硅器件在系統(tǒng)級上實現耐高溫、高能量密度,同時可極大地提高電控系統(tǒng)整體的可靠性?!?/div>“中科院電工所是中國一流的研究機構,他們在新能源汽車領域的研究與我們一拍即合。十分期待雙方的研究可以將碳化硅功率模塊的效率及能量密度推向新高。CISSOID將利用自己久經驗證、享譽業(yè)界的高溫驅動芯片和高溫封裝設計團隊為本次研發(fā)合作提供大力支持,解決碳化硅器件應用的技術難題,使碳化硅功率模塊在新能源汽車領域實現廣泛而深入的應用?!盋ISSOID首席執(zhí)行官Dave Hutton先生表示?!癈ISSOID非??粗刂袊履茉雌囶I域的發(fā)展,同時十分注重與中國半導體產業(yè)的融合發(fā)展,我們已經融入了來自中國的投資,并在芯片制造、封裝測試等方面,開始與中國公司進行廣泛的合作。此次我們與中國頂級研究機構共同開發(fā)則進一步體現了CISSOID以求廣泛融入中國半導體產業(yè)生態(tài)的戰(zhàn)略?!?/div>市場研究公司 Yole Development 的報告指出,在過去幾十年里,市場的需求、技術的進步及設計的改良等因素一直驅使功率半導體的平均結溫不斷上升,已由1980年的100℃增加了到2018年的150℃。這一現象一方面表明功率器件品質和可靠性越做越好,另一方面也體現了整個行業(yè)對高功率密度的不斷追求。按其報告預測,對功率半導體的結溫要求在近幾年內將很快達到并超過175℃。這與第三代半導體功率器件(碳化硅和氮化鎵)的普及,以及市場對高功率密度設計的需求直接相關。在新能源汽車領域亦是如此,采用碳化硅器件可以帶來頻率高、內阻小等優(yōu)點,并充分提高能源效率,但是需要耐高溫驅動器的良好配合。此次CISSOID公司和中科院電工所的強強聯合,將利用業(yè)界領先的耐高溫驅動器件以充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢,為新能源汽車的發(fā)展提供強大助力。
- CISSOID(15700)
- SiC(68646)
- 碳化硅(51891)
相關推薦熱點推薦中科院成功制備8英寸碳化硅襯底;華強北二手iPhone價格大跳水
中科院成功制備8英寸碳化硅襯底 ? 近日中科院物理研究所在官網發(fā)文表示,科研人員通過優(yōu)化生長工藝,進一步解決了多型相變問題,持續(xù)改善晶體結晶質量,成功生長出單一4H晶型的8英寸SiC晶體,加工出厚度2022-05-07 00:55:004626
碳化硅功率器件封裝關鍵技術
二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關注。與硅相比,碳化硅具有很多優(yōu)點,如:碳化硅的禁帶寬度更大,這使碳化硅器件擁有更低的漏電2022-11-12 10:01:261984
CISSOID和清華大學電機系共同研發(fā)碳化硅功率模塊系統(tǒng)
CISSOID與清華大學電機工程與應用電子技術系(簡稱電機系)達成技術合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng),期望共同攻克技術難題以求實現其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢,并將大力支持在新能源汽車領域開展廣泛應用。2019-04-08 11:39:362845
基本半導體與廣電計量達成戰(zhàn)略合作,加快推出車規(guī)級碳化硅器件
深圳基本半導體與廣州廣電計量檢測股份有限公司(簡稱廣電計量)在廣州舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式,雙方宣布將圍繞第三代半導體功率器件開展上下游全產業(yè)鏈的深度合作,加快推出車規(guī)級碳化硅器件,共同推動第三代半導體支撐新能源汽車行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。2019-05-14 08:45:562486
CISSOID和Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器
CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車緊湊及高效碳化硅逆變器,并以此體現其所建立的合作伙伴關系。2021-12-09 10:01:432607
650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型
碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點,被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料2020-09-24 16:22:14中科院剖析 LED怎樣克服困難
實現了LED標準的互認?! ∵@傳遞了一個令人興奮的信號。中科院院士洪茂椿說:“大陸和***地區(qū)LED產業(yè)和技術具有很強的互補性,我們正通過信息交流、標準互認、專利共享、合作研究等方式共同加速產業(yè)發(fā)展2012-07-18 11:31:19中科院深耕網絡攝像機領域
立視I1和I2。如今雙方達成合作,對雙方來說都是重要的戰(zhàn)略舉措。 對于中科院與ithink公司的“聯姻”,業(yè)界認為:一方為技術雄厚的科研機構;一方專業(yè)專注于網絡攝像機領域,擁有產、研、供、銷等一體化2015-02-05 10:09:03功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊?! 》至?b class="flag-6" style="color: red">器件(如 TO-247)是將碳化硅集成到各種應用中的第一步,但對于更強大和更2023-02-20 16:29:54碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點
PN結器件優(yōu)越的指標是正向導通電壓低,具有低的導通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點,一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?、碳化硅半導體材料和用它制成的功率2019-01-11 13:42:03碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅動碳化硅場效應管?
充電器、電機和太陽能逆變器,不僅可以從這些新器件中受益匪淺,不僅在效率上,而且在尺寸上,可實現高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇,也是意法半導體的戰(zhàn)略。碳化硅(SiC)技術是意2023-02-24 15:03:59碳化硅二極管選型表
反向恢復電流,其關斷過程很快,開關損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應用領域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快2019-10-24 14:21:23碳化硅半導體器件有哪些?
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管2020-06-28 17:30:27碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
和發(fā)電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 302024-03-08 08:37:49碳化硅基板——三代半導體的領軍者
超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,2019年中國半導體產業(yè)市場規(guī)模達7562億元2021-01-12 11:48:45碳化硅深層的特性
碳化硅的顏色,純凈者無色透明,含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍,淺綠等色,少數呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射,在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光,無2019-07-04 04:20:22碳化硅的歷史與應用介紹
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。2019-07-02 07:14:52碳化硅肖特基二極管技術演進解析
),P阱與N-形成的PiN會投入工作,減小浪涌時刻VF的增長,降低器件功耗,提升器件的抗浪涌能力。 圖(4)二極管正向與電流密度關系圖 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管均采用JBS結構?! ?52023-02-28 16:55:45碳化硅肖特基二極管的基本特征分析
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(49W/mK)使功率半導體器件效率更高,運行速度更快2023-02-28 16:34:16碳化硅陶瓷線路板,半導體功率器件的好幫手
材料的兩倍以上。因此,SiC所能承受的溫度更高,一般而言,使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件所能達到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比,SiC的擊穿場強是Si的十倍多2021-03-25 14:09:37DENC和REAS確立戰(zhàn)略合作關系
`DENC官方日前宣布:DENC與基于在教育和培訓領域區(qū)塊鏈項目REAS (REASSURED)雙方正式確立了戰(zhàn)略合作關系。?DENC為什么選擇REAS (REASSURED)?據了解,REAS作為2018-08-31 10:25:55【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究
項目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃:申請理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能2020-04-21 16:04:04什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命2025-01-04 12:37:34傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身2021-09-23 15:02:11圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
的功率半導體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?! ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期(VAC大于0)的時候,T2為主開關管。 當T2開通時,電感L儲能,電流2023-02-28 16:48:24在開關電源轉換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢
MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性,在持續(xù)使用內部體二極管的連續(xù)導通模式(CCM)功率因數校正(PFC)設計,例如圖騰功率因數校正器的硬開關拓撲中,碳化硅2023-03-14 14:05:02安森美半導體與奧迪攜手建立戰(zhàn)略合作關系
安森美半導體被德國汽車制造商奧迪挑選加入推進半導體計劃(PSCP),這一合作將推動即將到來的自動和電動汽車的電子創(chuàng)新和質量。這一跨領域的半導體戰(zhàn)略旨在推動創(chuàng)新及品質,并在早期為奧迪車型提供最新的技術2018-10-11 14:33:43歸納碳化硅功率器件封裝的關鍵技術
的一大難點所在。3 多功能集成封裝技術3.1 多功能集成封裝技術碳化硅器件的出現推動了電力電子朝著小型化的方向發(fā)展,其中集成化的趨勢也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見,通過將瓷片電容盡可能靠近功率芯片2023-02-22 16:06:08淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動的區(qū)別
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大,碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統(tǒng)硅器件,主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面,具體如下2023-02-27 16:03:36被稱為第三代半導體材料的碳化硅有著哪些特點
是寬禁帶半導體材料的一種,主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等,因此被應用于各種半導體材料當中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基(JBS)二極管2023-02-20 15:15:50請教碳化硅刻蝕工藝
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅2022-08-31 16:29:50南車與中科院聯合發(fā)力“綠色中國芯”
南車與中科院聯合組建研發(fā)中心將致力于以碳化硅功率器件為主的新型“綠色中國芯”研發(fā),全力打造強大的新型電力電子器件研發(fā)與產業(yè)平臺2011-12-23 19:54:56945
CISSOID和清華大學電機系達成合作 攜手推進基于碳化硅功率模塊系統(tǒng)研發(fā)
高溫與長壽命半導體解決方案領先供應商CISSOID日前宣布:公司已與清華大學電機工程與應用電子技術系(簡稱電機系)達成技術合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng),期望共同攻克技術難題以求實現其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢,并將大力支持在新能源汽車領域開展廣泛應用。2019-04-08 13:51:172000
CISSOID推出新型柵極驅動器板 提供全面基于碳化硅解決方案
各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID,在2019年歐洲功率電子及智能傳動產品展覽會(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅動器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模塊2019-05-16 09:10:564561
CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關系 推動碳化硅功率器件廣泛應用
各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID日前宣布:公司已與中國科學院電工研究所(簡稱中科院電工所)達成戰(zhàn)略合作關系,將共同開展基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng)研發(fā)項目,攻克技術難題,實現耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢,推動碳化硅功率器件在新能源汽車領域實現廣泛應用。2019-06-11 14:50:594189
碳化硅對比硅材料器件有哪些優(yōu)勢
碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀90年代,目前已成為新型功率半導體器件研究開發(fā)的主流。業(yè)界普遍認為碳化硅功率器件是一種真正的創(chuàng)新技術,有助于對抗全球氣候變化,推動太陽能和節(jié)能照明系統(tǒng)的市場發(fā)展。2020-10-02 17:48:0010572
碳化硅材料技術對器件可靠性有哪些影響
碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義,基本半導體從產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件2021-08-16 10:46:406521
英特爾攜中科院計算所建立oneAPI卓越中心加速開源軟件創(chuàng)新
? ? ? ?2021年11月12日,北京—— 在今天舉行的第三屆中國超級算力大會(ChinaSC 2021)上,英特爾宣布與中國科學院計算技術研究所(以下簡稱“中科院計算所”)結成戰(zhàn)略合作伙伴關系2021-11-12 18:21:294122
平創(chuàng)半導體與CISSOID共建高功率密度和高溫應用中心
供應商CISSOID S. A.(CISSOID),與第三代功率半導體技術領域先進的芯片設計、器件研發(fā)、模塊制造及系統(tǒng)應用創(chuàng)新解決方案提供商重慶平創(chuàng)半導體研究院有限責任公司,今日共同宣布:雙方已建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,將針對碳化硅等第三代功率半導體的應用共同開展研發(fā)項目2022-10-18 17:35:101395
碳化硅功率器件技術可靠性!
碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義,從產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。2023-01-05 11:23:192135
SiC碳化硅功率器件測試哪些方面?碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000
SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領域。 近年來,全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移。目前2023-01-13 11:16:442373
中科院物理研究所探索用一種新的方法生長碳化硅晶體
碳化硅晶體是一種性能優(yōu)異的半導體材料,在信息、交通、能源、航空、航天等領域具有重要應用。春節(jié)期間,中科院物理研究所科研團隊們正在探索用一種新的方法生長碳化硅晶體,研制情況如何?2023-01-31 11:52:10973
SiC碳化硅功率器件測試哪些方面
SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā) 電、光伏發(fā)電等新能源領域。 近年來,全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移2023-02-16 15:28:255
什么是碳化硅器件
SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結組成。 在眾多半導體器件中,碳化硅材料具有低熱2023-03-03 14:18:565771
碳化硅功率模組有哪些
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位2023-05-31 09:43:201105
7.3.4 電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.3.4電流-電壓關系7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.3.3“i”區(qū)的電勢下降∈《碳化硅技術基本原理——生長2022-02-14 09:44:161538
11.6 碳化硅和硅功率器件的性能比較∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線:器件主控:1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera2022-04-24 11:34:511403
8.2.3 MOSFET電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.3MOSFET電流-電壓關系8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.2.2分裂準費米能級2022-02-24 10:08:251173
8.1.6 功率JFET器件的實現∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.1.6功率JFET器件的實現8.1結型場效應晶體管(JFET)第8章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:8.1.5增強型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術2022-02-21 09:29:281484
不同類型的碳化硅功率器件
目前市場上出現的碳化硅半導體包括的類型相對較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導體場效應、晶體管、晶閘管、結算場、效應晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件,單元結構和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關內容進行分析。2023-08-31 14:14:22994
碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢
? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,碳化硅功率器件在新能源汽車領域中的應用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關速度和更小的尺寸等優(yōu)點,因此在新能源2023-09-05 09:04:423465
碳化硅功率器件的結構和工作原理
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點,被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。2023-09-28 18:19:572336
碳化硅器件的生產流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?
中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎上進行產線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當然碳化硅材料的特殊性質決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設備進行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現。2023-10-27 12:45:366818
三菱電機和安世半導體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導體
11月13日, 三菱電機株式會社(TOKYO:6503)宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片,Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。2023-11-14 10:34:331268
三菱電機與安世半導體共同開發(fā)碳化硅(SiC)功率半導體
三菱電機今天宣布,將與安世半導體建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅 (SiC) 功率半導體。2023-11-15 15:25:521553
碳化硅功率器件的特點和應用現狀
隨著電力電子技術的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,在電力電子領域的應用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點2023-12-14 09:14:461428
碳化硅功率器件的原理和應用
隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進的電力電子設備,已經廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、技術挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。2023-12-16 10:29:202172
碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎
碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢,主要體現在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn),但2023-12-21 11:27:091237
碳化硅功率器件的優(yōu)勢應及發(fā)展趨勢
隨著科技的不斷進步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導體材料,在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?,將在多個領域展現出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢2024-01-06 14:15:031442
碳化硅功率器件的優(yōu)勢及應用
傳統(tǒng)的硅基功率器件在應對這一挑戰(zhàn)時,其性能已經接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現,為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關鍵所在。2024-01-06 11:06:57796
碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括2024-01-09 09:26:494326
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點,被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域以及未來發(fā)展趨勢。2024-02-21 09:27:131996
碳化硅功率器件的特點和應用
隨著全球能源危機和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術成為了當今研究的熱點。在這一領域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學特性,正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件,引領著電力電子技術的發(fā)展方向。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的特點、優(yōu)勢、應用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來的發(fā)展趨勢。2024-02-22 09:19:211495
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性,可以在更高的溫度和電壓下工作,實現更高的功率密度和效率。2024-02-29 14:23:242376
碳化硅功率器件:高效能源轉換的未來
碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導體器件,常見的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)、碳化硅Schottky二極管、碳化硅JFET(結型場效應晶體管)等。這些器件與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,具有以下突出特性:2024-04-29 12:30:081082
X-Fab與Soitec攜手推進碳化硅功率器件生產
近日,純晶圓代工廠X-Fab與Soitec宣布將開展深度合作,共同推動碳化硅(SiC)功率器件的生產。此次合作將依托X-Fab位于德克薩斯州拉伯克的工廠,利用Soitec的SmartSiC技術生產碳化硅功率器件。2024-05-30 11:39:201194
碳化硅(SiC)功率器件的開關性能比較
過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉換器中的高功率密度和高效率而備受關注。制造商們已經開始采用碳化硅技術來開發(fā)基于各種半導體器件的功率模塊,如雙極結晶體管(BJT)、結型場效應晶體管2024-05-30 11:23:032192
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和分類
碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅功率器件具有更高的禁帶寬度、更高的臨界擊穿電場、更高的熱導率和更高的飽和電子漂移速度等優(yōu)異特性,這使得它們在電力電子領域具有極大的發(fā)展?jié)摿蛻脙r值。2024-08-07 16:22:301938
碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢
碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅半導體材料的電力電子器件,近年來在功率電子領域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅(Si)功率器件相比,碳化硅器件具有更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的飽和電子漂移速度以及更高的工作溫度等優(yōu)勢,因此在高壓、高頻和高溫等苛刻條件下表現優(yōu)異。2024-09-11 10:25:441708
碳化硅功率器件的優(yōu)點和應用
碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)點、應用領域及其發(fā)展前景。2024-09-11 10:44:301739
碳化硅功率器件的原理簡述
隨著科技的飛速發(fā)展,電力電子領域也迎來了前所未有的變革。在這場變革中,碳化硅(SiC)功率器件憑借其獨特的性能優(yōu)勢,逐漸成為業(yè)界關注的焦點。本文將深入探討碳化硅功率器件的原理、應用、優(yōu)勢以及未來的發(fā)展趨勢。2024-09-11 10:47:001907
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應用領域
在電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,使得碳化硅功率器件在高溫、高頻、大功率應用領域展現出顯著的優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢、應用領域以及未來發(fā)展趨勢。2024-09-13 10:56:421990
碳化硅功率器件的工作原理和應用
碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應用中具有明顯的優(yōu)勢。本文將探討碳化硅功率器件的原理、優(yōu)勢、應用及其未來的發(fā)展前景。2024-09-13 11:00:371836
碳化硅功率器件有哪些應用領域
碳化硅功率器件作為下一代半導體技術的重要代表,以其優(yōu)越的性能和廣闊的應用前景,成為能源革命中的重要推動力。本文將從市場資訊的角度,深入探討碳化硅功率器件的發(fā)展趨勢、應用領域和市場前景。2024-10-24 15:46:411490
碳化硅功率器件在能源轉換中的應用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉換技術,因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、特點以及在能源轉換中的應用,展示其在能源領域的前景和潛力。2024-10-30 15:04:14966
碳化硅功率器件的散熱方法
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導體材料,因其耐高壓、耐高溫、高開關速度和高導熱率等優(yōu)良特性,在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網等領域得到廣泛應用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高功率應用中會2025-02-03 14:22:001255
國內碳化硅功率器件設計公司的倒閉潮是市場集中化的必然結果
碳化硅行業(yè)觀察:國內碳化硅功率器件設計公司加速被行業(yè)淘汰的深度分析 近年來,碳化硅(SiC)功率器件市場雖高速增長,但行業(yè)集中度快速提升,2024年以來多家SiC器件設計公司接連倒閉,國內碳化硅功率2025-02-24 14:04:38933
全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革: 傾佳電子楊茜致力于推動國產2025-03-13 00:27:37768
碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢
在現代電子技術飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領域的熱門選擇。本文將探討碳化硅功率器件的基本概念、工作原理、主要應用領域以及未來發(fā)展趨勢。2025-04-09 18:02:041275
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現代電子技術的重要組成部分。本文將詳細探討碳化硅功率器件的特點及其應用現狀。2025-04-21 17:55:031081
碳化硅器件的應用優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數瓶頸,直接促進了新能源等產業(yè)的升級。2025-08-27 16:17:431261
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報告
汽車產業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動化和數字化轉型三大方向,力推BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET功率模塊,SiC模塊驅動板等功率半導體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動國產SiC碳化硅模塊在電力電子應用2025-12-14 07:32:011375
電子發(fā)燒友App
























評論