Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1436 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 Vishay 12 月12 日推出實驗室樣品套件，讓設(shè)計者觸手可及精密MELF電阻的常用阻值，簡化各種電子系統(tǒng)的原型
2012-12-12 09:42:361147 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 雙通道UCS2112器件。這一新款端口電源控制器可支持2個端口，而每個端口有8個可編程的連續(xù)電流限值，范圍為0.53到3.0安培，可實現(xiàn)以更大電流進(jìn)行更快充電。
2015-11-20 16:28:412004 Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型柵極驅(qū)動變壓器---MGDT，可在高功率的國防和航天、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用中顯著節(jié)省空間。
2018-03-07 13:57:099669 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 Vishay宣布，推出節(jié)省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 08:08:001250 Vishay 推出小型可潤濕側(cè)翼DFN1110-3A封裝新款雙向對稱（BiSy）兩線ESD保護(hù)二極管---VBUS05M2-HT5。
2021-04-19 14:13:061805 
和0207封裝薄膜MELF電阻推出提高阻值范圍的精密版器件--- MMU 0102、MMA 0204和MMB 0207。Vishay Beyschlag 的這三款器件的溫度系數(shù)（TCR）低至 ± 15 ppm/K，公差僅為 ±?0.1 %，阻值高達(dá)10?MW，滿足各種應(yīng)用高穩(wěn)定性和高可靠性的
2024-12-19 16:29:45922 `Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
; VSMP0603采用 Vishay 的“Z箔”技術(shù)，可大幅降低電阻元件對環(huán)境溫度變化 (TCR) 和外加功率變化
2008-09-26 13:42:57
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用導(dǎo)電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。MC ATAU系列的外形尺寸為0402和0603，可在+ 155 ℃高溫下工
2014-08-08 14:15:16
汽車級電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
DN407 - 雙通道電流檢測放大器簡化了 H 橋負(fù)載監(jiān)視
2019-07-25 14:57:14
(POL)、高效負(fù)載開關(guān)和低端切換、穩(wěn)壓器模塊(VRM)以及ORing功能。設(shè)計人員使用FDMC8010器件，能夠?qū)⒎庋b尺寸從5mmx6mm減小為3.3mmx3.3mm，節(jié)省66%的MOSFET占位面積
2012-04-28 10:21:32
點（IIP3）、10dB的噪聲指數(shù)和1.3W功耗。 LTC559x雙通道高性能混頻器系列非常適用于無線基礎(chǔ)設(shè)施MIMO接收器。此類雙通道解決方案減少了組件數(shù)目、簡化了LO信號的布線、以及減小
2019-07-04 08:29:18
：POWI）今日推出適用于流行的“新型雙通道”100mm x 140mm IGBT模塊的SCALE-iFlex? Single門極驅(qū)動器。這款緊湊型新驅(qū)動器支持耐壓在3.3kV以內(nèi)的模塊，現(xiàn)可隨時供貨
2021-09-09 11:00:41
在當(dāng)今功率電子設(shè)計中，驅(qū)動器的性能往往決定著整個系統(tǒng)的效率與可靠性，SiLM27524NCA-DG雙通道低邊門極驅(qū)動器，以其18ns的極速傳輸延遲和4.5A/5.5A的非對稱驅(qū)動能力，提供了全新
2025-11-17 08:25:27
實現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進(jìn)步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡化設(shè)計，同時實現(xiàn)現(xiàn)在的消費電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。本新聞來自大聯(lián)大云端`
2013-12-23 11:55:35
的那些家用電器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封裝（參見圖2），新型MOSFET的尺寸約有其六分之一左右。它還意味著不僅RDS(ON)降低，還實現(xiàn)了占位面積大幅減小的優(yōu)點，面積比傳統(tǒng)
2018-08-29 16:09:11
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
單通道STGAP2SiCSN柵極驅(qū)動器旨在優(yōu)化SiC MOSFET的控制，采用節(jié)省空間的窄體SO-8封裝，通過精確的PWM控制提供強大穩(wěn)定的性能。隨著SiC技術(shù)廣泛應(yīng)用于提高功率轉(zhuǎn)換效率，STGAP2SiCSN簡化了設(shè)計、節(jié)省了空間，并增強了節(jié)能型動力系統(tǒng)、驅(qū)動器和控制的穩(wěn)健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號處理及功率管理方案供應(yīng)商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02688 雙通道場效應(yīng)管混頻器射頻電路 (Dual MOSFET mixer RF circuit)
2008-11-21 18:37:051447 
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
日前，Vishay Intertechnology宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT 芯片級封裝的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。
Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:222091 Vishay推出LC EMI/ESD濾波器陣列：四通道的VEMI45LA-HNH和八通道的VEMI85LA-HGK
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款LC EMI/ESD濾波器
2009-05-18 18:29:19861 Vishay宣布推出四通道和八通道的LC EMI/ESD濾波器陣列--LLP1713/LLP3313
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出四通道和八通道的LC EMI/ESD濾波器陣列，在超級
2009-05-20 15:53:14894 Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅(qū)動器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55778 Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器136D
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應(yīng)用，136D器件
2009-11-06 08:38:411235 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28917 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 德州儀器最新數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)可大幅降低功耗、空間和成本
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在 2.2 V 電壓下電源流耗僅為 600 μA 的完整型片上數(shù)據(jù)采集系統(tǒng) (DAS) 100 kSPS AD
2009-12-23 08:52:06796 Vishay推出超小型雙向對稱單線ESD保護(hù)二極管
日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護(hù)二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極
2010-01-09 09:42:28955 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291767 韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能
首爾大學(xué)指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術(shù)，可大幅提升手機性能。
2010-01-28 09:23:521308 
推出汽車應(yīng)用的新款表面貼裝白光LED：VLMW321xx/VLMW322xx
Vishay推出采用兩種分裝版本的新款表面貼裝白光LED——VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。為了與類似器件保持大范圍的引腳
2010-02-08 08:37:19823 什么是雙通道/怎么組建雙通道
雙通道，就是在北橋（又稱之為ＭＣＨ）芯片級里設(shè)計兩個內(nèi)存控制器，這兩個內(nèi)存控制器可相互獨
2010-02-25 10:21:322852 Vishay推出新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害
2010-03-23 11:53:111452 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54877 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:231339 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301776 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內(nèi)工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301730 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18 09:42:402992 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出最新款雙通道 500 MSPS 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC)，可為寬帶傳輸系統(tǒng)降低材料清單成本。該 12 位 DAC3162 與 10 位 DAC3152 是同類產(chǎn)品中尺寸最小、成本最低和功耗最低的
2011-11-07 09:34:29965 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護(hù)陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容
2011-11-08 09:14:11710 全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司（納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL）宣布，今天推出一款節(jié)省空間和通過了AEC-Q100認(rèn)證的雙通道同步降壓直流/直流穩(wěn)壓器---I
2011-11-10 13:49:411020 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR?家族雙芯片不對稱功率MOSFET
2011-11-15 10:34:07889 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有14pF低容量的新款雙向非對稱(BiSy)單線ESD保護(hù)二極管--- VCUT07B1-HD1，該器件采用超小LLP1006-2L封裝。
2012-06-25 12:00:023841 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用鐵粉材料，符合WPC(無線充電聯(lián)盟)標(biāo)準(zhǔn)的接收線圈--- IWAS-3827EC-50
2012-07-13 18:42:57954 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的新款通過AEC-Q101認(rèn)證的表面貼裝透射式光傳感器---單通道TCPT1350X01和雙通道TCUT1350X01。
2013-06-26 11:39:171339 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布用于便攜式電子產(chǎn)品的采用超小尺寸CLP0603封裝的新款雙向對稱（BiSy）單線ESD保護(hù)二極管
2013-08-16 12:07:181029 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:131158 更高的驅(qū)動電流，從而提高發(fā)光強度。新款VLM.334…系列LED在Vishay的VLM.31…系列基礎(chǔ)上進(jìn)行了大幅改進(jìn)，可搭配更大尺寸的芯片，能夠承受70mA的驅(qū)動電流。
2013-12-18 13:36:322379 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 ---SiZ340DT。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。
2014-02-10 15:16:511504 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道
2014-04-29 16:30:441122 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布有助于在智能手機、平板電腦、可穿戴設(shè)備和高端筆記本電腦中減少功耗并延長電池使用時間的新款功率MOSFET---Si8457DB。
2014-10-21 14:18:221366 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡化電機驅(qū)動和電感無線充電電路。
2015-03-03 10:43:402499 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強
2015-03-05 16:30:041121 安華高科技推出一對雙通道高速光電隔離MOSFET輸出固態(tài)繼電器
2016-01-06 17:28:12
0 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 3 月 7 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出厚度為0.35mm的超薄
2016-03-07 11:33:06893 Vishay推出新系列厚膜電阻---CDMV系列，其在高壓工業(yè)和新能源設(shè)備應(yīng)用中可幫助分壓設(shè)計節(jié)約寶貴空間，簡化生產(chǎn)設(shè)計，提高設(shè)計靈活性。
2016-06-14 10:14:191030 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出帶有平衡p濾波器電路的新型表面貼裝厚膜片式衰減器---CZB。Vishay Dale CZB衰減器使用電阻陣列封裝，能替換3個或更多的分立器件，在通信和移動無線產(chǎn)品中能減少電路板空間，簡化生產(chǎn)制造流程。
2016-06-27 09:50:141175 安立公司在其市場領(lǐng)先的 E 系列 Site Master?、Spectrum Master? 和 Cell Master? 手持式現(xiàn)場分析儀中推出 CPRI RF 測量性能，可大幅簡化安裝在 4G 塔上的遠(yuǎn)端射頻頭 (RRH) 的測試過程，并降低相關(guān)成本。
2016-07-06 16:47:451476 Vishay宣布，推出業(yè)內(nèi)首批通過AEC-Q101認(rèn)證的采用雙片不對稱功率封裝的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽車應(yīng)用的高效同步降壓
2016-07-11 14:33:171295 Vishay Intertechnology， Inc.宣布，發(fā)布功率等級提高到1.0W，采用0612小外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip? 檢流電阻---WSKW0612。為
2016-09-21 17:12:412130 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，其光電子產(chǎn)品部推出可用于智能家居、工業(yè)和辦公設(shè)備的新反射式光傳感器---VCNT2020。Vishay Semiconductors
2017-01-16 14:55:321286 電阻---RCWH，電阻的功率等級達(dá)到0.33W，外形尺寸為0805。Vishay Dale RCWH系列電阻的功率密度是相同占位的標(biāo)準(zhǔn)電阻的2.5倍以上，在通信、計算機、工業(yè)和消費應(yīng)用中能夠節(jié)省空間，并減少元器件數(shù)量。
2017-05-24 10:48:451235 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 6 月26 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用4端子 Kelvin連接
2017-06-26 09:42:341917 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過AEC-Q200認(rèn)證的新系列中壓厚膜片式電阻。Vishay Techno CRMA系列電阻是針對
2018-01-17 11:30:379205 Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴充其microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節(jié)省空間，在小尺寸
2018-05-21 10:56:002471 AS5200L采用緊湊型堆疊式裸片結(jié)構(gòu)，可配合更小的磁鐵使用，在嚴(yán)苛的汽車線控驅(qū)動應(yīng)用中，能有效節(jié)省空間艾邁斯半導(dǎo)體（ams AG）今日推出了 AS5200L。這款配備 I2C 接口的雙通道旋轉(zhuǎn)磁性位置傳感器，是可在安全性至關(guān)重要的汽車應(yīng)用中實現(xiàn)節(jié)省空間的新型設(shè)計
2018-06-30 08:02:005504 Allegro MicroSystems宣布推出符合ISO-26262標(biāo)準(zhǔn)的全新N溝道功率MOSFET驅(qū)動器AMT49105，新產(chǎn)品能夠簡化電機系統(tǒng)設(shè)計，并通過集成所需的功率模擬系統(tǒng)而減少了PCB面積。
2018-12-24 16:54:366717 Vishay推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A，擴展其汽車級IHLP薄形大電流電感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作溫度+155 C，高度2mm
2019-05-16 14:26:463851 日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代號：VSH）宣布，推出節(jié)省空間的小型0402外形尺寸新型器件，擴充其TNPU e3系列汽車級高精度薄膜扁平片式電阻。
2020-03-03 15:05:144896 美國國家半導(dǎo)體公司 （NS）推出的業(yè)界首款雙通道16位、160MSPS的流水線結(jié)構(gòu)模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器。這款型號為ADC16DV160的流水線結(jié)構(gòu)模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器設(shè)有兩條高速通道，其全球領(lǐng)先的動態(tài)性能和僅有10mmx10mm的小巧封裝，可以使系統(tǒng)設(shè)計工程師縮小系統(tǒng)設(shè)計體積，簡化電路設(shè)計并節(jié)省開發(fā)成本。
2020-08-10 11:35:524488 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，這是采用PowerPAK? SO-8L
2020-12-15 16:09:502090 DN407 - 雙通道電流檢測放大器簡化了 H 橋負(fù)載監(jiān)視
2021-03-20 22:39:079 ADP3629_3630_3631：高速雙通道2 A MOSFET驅(qū)動器
2021-04-17 15:29:101 意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。
2022-02-15 14:23:261774 
意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡化電路設(shè)計。
2022-02-17 10:06:142770 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出面向電感-電感-電容（LLC）應(yīng)用，變壓器和集成電感采用單體封裝的新型諧振變壓器---MRTI5R5EZ。5.5 kW Vishay Custom
2022-09-29 16:43:001064 
中。 Vishay Siliconix SiZF5300DT 和 SiZF5302DT 適用于計算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換，在提高能效的同時，減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。 日前發(fā)布的雙通道 MOSFET 可用來取代兩個 PowerPAK 1212 封裝分立器件，節(jié)省 50% 基板空間，同時
2023-02-04 06:10:041603 
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導(dǎo)通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導(dǎo)通電阻分別為2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22919 PowerPAIR? 3x3FS封裝，30V對稱雙通道MOSFET
2023-02-06 15:34:151480 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 英飛凌近期推出的EiceDRIVER? 2ED314xMC12L系列，是一款專為驅(qū)動Si MOSFET、IGBT及SiC MOSFET而設(shè)計的雙通道隔離柵極驅(qū)動器IC。該系列以緊湊的14引腳DSO封裝形式呈現(xiàn)，不僅節(jié)省空間，還確保了設(shè)計的靈活性。
2024-09-03 14:55:581475 ）的一種全新配置，能夠根據(jù)應(yīng)用程序需求自動擴展計算和內(nèi)存資源。Amazon DocumentDB Serverless簡化了數(shù)據(jù)庫管理，無需前期承諾，也不會產(chǎn)生額外成本，與為應(yīng)對峰值負(fù)載而長期預(yù)置資源的方式
2025-08-15 13:11:22475
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