科銳首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“英飛凌具有很好的美譽(yù)度，是我們長(zhǎng)期且優(yōu)質(zhì)的商業(yè)伙伴。這項(xiàng)協(xié)議的簽署，體現(xiàn)了
科銳SiC
碳化硅晶圓
片技術(shù)的高品質(zhì)和我們的產(chǎn)能擴(kuò)充，同時(shí)將加速SiC
碳化硅基方案更為廣泛的采用，這對(duì)于實(shí)現(xiàn)更快、更小、更輕、更強(qiáng)大的電子系統(tǒng)至關(guān)重要?！?/div>
2018-04-04 09:00:59
8214 電子發(fā)燒友訊 11月20日消息，科銳（Cree）和意法半導(dǎo)體（ST）將多年的碳化硅晶圓供應(yīng)協(xié)議擴(kuò)展至超過(guò)5億美元。該擴(kuò)展使Cree先進(jìn)的150mm碳化硅裸片和外延片原始協(xié)議的價(jià)值翻了一番，并將在幾年
2019-11-20 10:04:107098 數(shù)量增多。 碳化硅(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應(yīng)用領(lǐng)域具有很好的前景。但盡管商用4H-SiC單晶圓片的結(jié)晶完整性最近幾年顯著改進(jìn)，這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經(jīng)研究證實(shí)，晶圓襯底的表面處理時(shí)間越長(zhǎng)，則表面
2016-11-04 13:00:022402 
從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:03:5613481 摘要 本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯(cuò)缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X
2022-02-15 14:55:382489 
眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于
2023-04-06 16:19:012204 
科銳實(shí)現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來(lái)更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統(tǒng)成本并提升能效
2012-05-10 09:27:161341 全新推出的PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)是對(duì)行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機(jī)臺(tái)產(chǎn)品組合（包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8）的進(jìn)一步增強(qiáng)。該機(jī)臺(tái)采用獨(dú)立雙腔設(shè)計(jì)，兼容6
2024-10-17 14:11:31830 
片銷(xiāo)量第一，營(yíng)收受市場(chǎng)價(jià)格下跌明顯 當(dāng)前，天域半導(dǎo)體已經(jīng)成為中國(guó)首家技術(shù)領(lǐng)先的專(zhuān)業(yè)碳化硅外延片供應(yīng)商，其及其技術(shù)可以用于在汽車(chē)、5G基站、數(shù)據(jù)中心、雷達(dá)及家用電器等場(chǎng)景。同時(shí)也是中國(guó)首批實(shí)現(xiàn)4英吋及6英吋碳化硅外延片量產(chǎn)的公司之一，以及中國(guó)首
2025-01-06 06:58:004476 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 ， 短短兩天內(nèi)，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日，廈門(mén)瀚天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅（SiC）外延晶片；次日， 晶盛機(jī)電 便官宣其自主研發(fā)
2025-12-28 09:55:37820 ，因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻?！ ?4)碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600oC的報(bào)道，而硅器件的最大工作溫度僅為150oC. (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力?！ ?6
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量，并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值，對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07
?！ 」β拾雽?dǎo)體就是這樣。在首度商業(yè)化時(shí)，碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴，盡管認(rèn)識(shí)到了與硅基產(chǎn)品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優(yōu)勢(shì)，大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無(wú)”的清單
2023-02-27 14:28:47
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員！附件是海飛樂(lè)技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購(gòu)！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)更高的直流電輸出?！ ?、SiCMOSFET 對(duì)于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導(dǎo)通狀態(tài)電阻很大，開(kāi)關(guān)損耗很大，額定工作結(jié)溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤(pán)壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
，同比增長(zhǎng)15.77%。2020年H1，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額為3539億元，同比增長(zhǎng)16.1%。碳化硅（SiC）的應(yīng)用碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前制造水平最成熟，應(yīng)用最廣
2021-01-12 11:48:45
10.5公斤/平方厘米，高溫強(qiáng)度很好?？箯潖?qiáng)度直至1400℃仍不受溫度的影響。1500℃時(shí)，彈性模量仍有100公斤/平方厘米。上述數(shù)據(jù)均測(cè)自大塊材料。4)熱膨脹系數(shù)較低，導(dǎo)熱性好。5)碳化硅導(dǎo)電性較強(qiáng)
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱(chēng)金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過(guò)，自1893 年以來(lái)，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
，熱導(dǎo)率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。材料特性對(duì)比如圖（1）所示?！ D（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對(duì)比 在硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期時(shí)，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場(chǎng)（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
基本半導(dǎo)體推出的1200V 80mΩ的碳化硅MOSFET兩種封裝的典型產(chǎn)品B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）為例，從理論上來(lái)解釋TO-247-4中輔助源
2023-02-27 16:14:19
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開(kāi)碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊?！ 》至⑵骷ㄈ?TO-247）是將碳化硅集成到各種應(yīng)用中的第一步，但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54
的效率也會(huì)更高。當(dāng)客戶選擇碳化硅MOSFET為主開(kāi)關(guān)管后，通常也會(huì)愿意多花額外的成本將工頻整流二極管D3和D4換成普通的低導(dǎo)通電阻（Rdson）的硅-MOSFET ［B1］ ，降低整流器件的導(dǎo)通損耗
2023-02-28 16:48:24
員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的設(shè)計(jì)要求。650V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管器件在推出之后，可以補(bǔ)充之前只有1200V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)器件設(shè)計(jì)需求，碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（SiC MOSFET）由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅
2023-03-14 14:05:02
用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號(hào) BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車(chē)級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢(shì)性能則給封裝技術(shù)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問(wèn)題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題，如果你有類(lèi)似的困惑，歡迎前來(lái)探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
管子開(kāi)關(guān)影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率大于100kHz，應(yīng)用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動(dòng)器提供更低的信號(hào)
2023-02-27 16:03:36
面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專(zhuān)利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善?！ 腖ED成本上來(lái)看，用
2012-03-15 10:20:43
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了，它的特點(diǎn)是：化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
碳化硅功率器件市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比，科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性，并為能源效
2011-10-12 09:30:281466 科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。
2011-12-19 09:03:162139 碳化硅(SiC)功率器件的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下，該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:401701 碳化硅市場(chǎng)，X—Fab、日本羅姆等企業(yè)早些時(shí)候也相繼宣布將擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能，碳化硅產(chǎn)業(yè)海外重要玩家已開(kāi)始備戰(zhàn)。從產(chǎn)業(yè)鏈角度看，碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié)，但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。
2018-12-06 16:08:00140328 隨著汽車(chē)電子、工控等應(yīng)用領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)碳化硅（SiC）的需求持續(xù)增長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)外碳化硅企業(yè)陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，日前碳化硅大廠Cree（科銳）也宣布將投資10億美元擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。
2019-05-08 16:40:054715 美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––Cree，Inc.（Nasdaq:CREE）宣布，科銳正在推進(jìn)從硅（Si）向碳化硅（SiC）的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)于Cree開(kāi)創(chuàng)性Wolfspeed技術(shù)的需求
2020-09-02 14:35:242868 在科銳 (Cree, Inc., 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼: CREE)，我們正在推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)于我們開(kāi)創(chuàng)性 Wolfspeed 技術(shù)的需求
2020-09-15 13:56:162947 控制技術(shù)——Dynamic AGE-ing。該技術(shù)可以讓任何尺寸、任意供應(yīng)商的SiC襯底的BPD（基平面位錯(cuò)）降低到1以下。 圖1?豐田Dynamic?AGE-ing技術(shù) 無(wú)獨(dú)有偶，2021年3月3日，瀚天天成電子科技(廈門(mén))有限公司發(fā)布消息稱(chēng)，突破了碳化硅超結(jié)深槽外延關(guān)鍵制造工藝。 圖2?
2021-05-07 14:43:0013833 
來(lái)探討一下碳化硅襯底的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。 ◆ 碳化硅襯底類(lèi)型 碳化硅分為立方相（閃鋅礦結(jié)構(gòu)）、六方相（纖鋅礦結(jié)構(gòu)）和菱方相3大類(lèi)共 260多種結(jié)構(gòu)，目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業(yè)價(jià)值。另碳化硅根據(jù)電學(xué)性能的不同主要可分
2021-07-29 11:01:185164 前言 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521 國(guó)產(chǎn)之光希科半導(dǎo)體： 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 希科半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿成功 中國(guó)蘇州，2022年11月23日——希科半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司于
2022-11-29 18:06:053670 前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135 希科半導(dǎo)體（蘇州）有限公司宣布碳化硅外延片投產(chǎn)。據(jù)悉，該產(chǎn)品通過(guò)了行業(yè)權(quán)威企業(yè)歐陸埃文思材料科技（上海）有限公司和寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的雙重檢測(cè)，具備媲美國(guó)際大廠碳化硅外延片的品質(zhì)，解決了國(guó)外產(chǎn)品的卡脖子問(wèn)題，為我國(guó)碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個(gè)新紀(jì)錄。
2023-01-13 10:54:281826 碳化硅技術(shù)龍頭企業(yè) 碳化硅市場(chǎng)格局 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環(huán)節(jié)，目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約占據(jù)了90％的SiC
2023-02-02 15:02:545134 碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍，熱導(dǎo)率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:413554 
碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在新能源汽車(chē)、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸配線和智能電站等
2023-02-16 10:50:0912988 外(UV-C，100-280nm波長(zhǎng))發(fā)光二極管(LED)。使用薄膜翻轉(zhuǎn)芯片設(shè)備的表面粗糙化，使光提取效率(LEE)比光滑表面的LED提高了3倍。在低TDD[線程位錯(cuò)密度]的碳化硅上生長(zhǎng)AlGaNLE
2023-02-21 09:21:58
1 進(jìn)過(guò)晶圓切磨拋就變成碳化硅二極管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅襯底；再經(jīng)過(guò)外延生長(zhǎng)就變成碳化硅外延片，也就是雛形的芯片。碳化硅外延片經(jīng)過(guò)光刻、刻蝕、離子注入、CVD、PVD背面減薄、退火變成碳化硅晶
2023-02-21 10:04:113178 
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16742 按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類(lèi)型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過(guò)在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:373931 希科半導(dǎo)體的外延片產(chǎn)品主要用于制造MOSFET、JBS、SBD等碳化硅（SiC）電力電子器件。公司創(chuàng)始核心團(tuán)隊(duì)擁有15年以上的規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，憑借業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的高品質(zhì)量產(chǎn)工藝和最先進(jìn)的測(cè)試設(shè)備，為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6寸導(dǎo)電型碳化硅外延晶片。
2023-05-17 09:47:001568 
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱(chēng)外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
來(lái)源：碳化硅芯觀察對(duì)于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:203965 
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底、外延、器件和應(yīng)用四大環(huán)節(jié)，襯底與外延占據(jù) 70%的碳 化硅器件成本。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，碳化硅器件的成本構(gòu)成中，襯底、外延、前段、 研發(fā)費(fèi)用和其他分別占比為 47%，23%，19%，6%，5%，襯底+外延合計(jì)約 70%
2023-06-26 11:30:561557 
眾所周知，對(duì)于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購(gòu)買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購(gòu)買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對(duì)于器件的設(shè)計(jì)和制造工藝有著極高的要求，
2023-07-10 10:49:091795 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國(guó)防軍工、新能源汽車(chē)和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（semi）正式公布了世界最早的“碳化硅半導(dǎo)體外延晶片全球首個(gè)semi國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)——《4H-SiC同質(zhì)外延片標(biāo)準(zhǔn)》 （specification for 4h
2023-08-24 10:37:181969 
中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開(kāi)發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:366818 
碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工，需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:535134 
碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢(shì)，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開(kāi)關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)，但
2023-12-21 11:27:091237 導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過(guò)在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動(dòng)汽車(chē)、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
2023-12-27 10:08:56866 
共讀好書(shū) 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料，根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)碳化硅外延片，制成耐高溫、耐高壓的碳化硅二極管
2024-01-17 17:55:171411 
國(guó)內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線，覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研單晶爐設(shè)備及外延片等產(chǎn)品。
2024-01-12 11:37:034786 
預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣，將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬(wàn)片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:011234 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。
2024-03-22 09:39:291418 全新推出的PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)是對(duì)行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機(jī)臺(tái)產(chǎn)品組合（包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8）的進(jìn)一步增強(qiáng)。該機(jī)臺(tái)采用獨(dú)立雙腔設(shè)計(jì)，兼容6
2024-10-17 14:21:26514 
磨料形貌及分散介質(zhì)對(duì)4H碳化硅（4H-SiC）晶片研磨質(zhì)量具有顯著影響。以下是對(duì)這一影響的詳細(xì)分析：
一、磨料形貌的影響
磨料形貌是研磨過(guò)程中影響4H-SiC晶片質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。金剛石磨料因其
2024-12-05 14:14:30492 
器件的穩(wěn)定性和可靠性。
二、外延填充方法
1. 實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備
在進(jìn)行外延填充之前，首先需要通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定外延生長(zhǎng)和刻蝕的工藝參數(shù)。這通常包括使用與待填充的碳化硅正式片具有
2024-12-30 15:11:02504 隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來(lái)一段時(shí)間內(nèi)的主流尺寸，其外延生長(zhǎng)室的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
2024-12-31 15:04:18398 一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延片是實(shí)現(xiàn)高性能SiC
2025-01-07 15:19:59423 碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料，因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)等特性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而，碳化硅材料中的缺陷，如微管、位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)等，會(huì)嚴(yán)重影響器件的性能和可靠性
2025-01-24 09:17:142528 引言
碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過(guò)程中，硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟，用于保護(hù)外延層免受機(jī)械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37317 引言
碳化硅（SiC）作為新一代半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫及輻射環(huán)境等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。然而，在SiC外延片的制備過(guò)程中，揭膜后的臟污問(wèn)題一直是影響外延
2025-02-24 14:23:16260 
碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個(gè)關(guān)鍵組件，盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成，但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下是具體分析：定義與基礎(chǔ)作用不同碳化硅襯底：作為整個(gè)器件的基礎(chǔ)載體
2025-09-03 10:01:101295 
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長(zhǎng)工藝參數(shù)起著決定性
2025-09-18 14:44:40645 
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