產(chǎn)品應(yīng)用多面性氮化鎵是半導(dǎo)體領(lǐng)域后起之秀中的“六邊形戰(zhàn)士”，綜合性能全面，而射頻應(yīng)用作為氮化鎵的“王牌分支”，憑借出眾的“高頻、高功率、高效率、抗造”性能表現(xiàn)，在高頻高功率場(chǎng)景中讓傳統(tǒng)硅基、砷化鎵
2025-12-24 10:23:54
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， 合作將從650V器件開始 。安森美該系列產(chǎn)品將結(jié)合格羅方德200毫米增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eMode GaN-on-silicon）工藝，以及自身行業(yè)領(lǐng)先的硅基驅(qū)動(dòng)器、控制器和強(qiáng)化散熱封裝技術(shù)，為AI數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)、航空航天等應(yīng)用場(chǎng)景，提供更小、更高能效的優(yōu)化系統(tǒng)解決方案。 新聞要點(diǎn)
2025-12-19 20:01:513393 雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無需工藝調(diào)整和 MASK 變動(dòng)，通過合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實(shí)現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
超小型氮化鎵模塊電源，正式上市！這不僅是一次產(chǎn)品升級(jí)，更是為高密度、高性能應(yīng)用量身打造的動(dòng)力解決方案，重新定義15W級(jí)電源的尺寸、效率與可靠性標(biāo)準(zhǔn)。一、新品首秀1
2025-12-15 11:46:0298 
2025年12月6日，芯干線攜自主研發(fā)的 GaN（氮化鎵）核心技術(shù)及產(chǎn)品參展世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的亞洲電源展，憑借突破性技術(shù)成果與高競爭力產(chǎn)品，成功斬獲 “GaN行業(yè)技術(shù)突破獎(jiǎng)”，成為展會(huì)核心關(guān)注企業(yè)。
2025-12-13 10:58:20764 
CHA8107-QCB兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器CHA8107-QCB 是 United Monolithic Semiconductors（UMS）推出的一款兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器
2025-12-12 09:40:25
如何盡可能高效地利用太陽能，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。
2025-12-04 14:10:482570 30W氮化鎵全電壓認(rèn)證方案1.方案介紹及產(chǎn)品特色U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW
2025-11-28 17:18:042038 
在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DK075G高性能 AC-DC 氮化鎵電源管理芯片技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-11-24 16:47:18
1 在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下，電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化鎵 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這一浪潮，推出的高能效系統(tǒng)重新定義了性能與可靠性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。本文將解答關(guān)于 vGaN 的核心疑問，并闡釋該技術(shù)對(duì)能源與電源解決方案未來發(fā)展的影響。
2025-11-20 14:57:242050 一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導(dǎo)體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導(dǎo)體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573098 現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
云鎵半導(dǎo)體云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務(wù)器電源DEMO1.前言云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品。在應(yīng)用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金
2025-11-11 13:45:21302 
場(chǎng)景提供高性價(jià)比的全國產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 14:56:442575 
氮化鎵電源芯片U8722DE是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。
2025-08-26 10:24:432669 
氮化鎵電源芯片U8727AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。
2025-08-25 17:41:157434 
氮化鎵（GaN）技術(shù)為電源行業(yè)提供了進(jìn)一步改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換的機(jī)會(huì)，從而能夠減小電源的整體尺寸。70多年來，硅基半導(dǎo)體一直主導(dǎo)著電子行業(yè)。它的成本效益、豐富性和電氣特性已得到充分了解，使其成為電子行業(yè)
2025-08-21 06:40:348324 
隨著芯片尺寸的逐漸縮小，電場(chǎng)強(qiáng)度卻隨距離的減小而線性增加。若電源電壓保持不變，產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度將足以擊穿芯片，這無疑對(duì)電子系統(tǒng)的電源電壓提出了更為嚴(yán)苛的要求。銀聯(lián)寶氮化鎵電源ic U8726AHE集成高壓E-GaN、集成高壓啟動(dòng)電路，減少外圍元件，適配快速充電器和適配器等電源設(shè)備。
2025-08-19 17:38:341597 
近日，英飛凌發(fā)布了《2025年 GaN 功率半導(dǎo)體預(yù)測(cè)報(bào)告》，詳細(xì)分析了 GaN(氮化鎵)技術(shù)在未來幾年內(nèi)對(duì)多個(gè)行業(yè)的深遠(yuǎn)影響。 其中，電機(jī)行業(yè)在能源效率和智能化技術(shù)的雙重推動(dòng)下正迎來一場(chǎng)變革。該報(bào)
2025-08-14 15:38:19925 近日，應(yīng)充電頭網(wǎng)邀請(qǐng)，在行業(yè)目光聚焦之際，京東方華燦多位專家圍繞氮化鎵材料與技術(shù)展開深度分享，為行業(yè)發(fā)展勾勒清晰且充滿希望的藍(lán)圖。其中，京東方華燦副總裁、首席技術(shù)官王江波博士值此世界氮化鎵日之際，發(fā)表了他對(duì)氮化鎵材料發(fā)展的寄語。
2025-08-14 15:31:223001 氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓啟動(dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8723AH
2025-07-28 11:38:063811 
制造氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMTs）具有一定難度，這主要?dú)w因于材料本身以及制造工藝中的多項(xiàng)挑戰(zhàn)。
2025-07-25 16:30:444488 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競爭激烈的半導(dǎo)體市場(chǎng)環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈
2025-07-07 10:33:223474 
炎熱的夏天，總是需要一些沖散酷暑的小電器，給生活制造驚喜?？蛻糇罱鼰豳u的制冷杯，被稱為夏日“行走的小冰箱”，受到了許多上班族和戶外一族的喜愛，充電部分采用的正是我們深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的氮化鎵電源芯片。今天就帶你一起看看氮化鎵電源芯片U8722BAS上演的神奇魔法吧！
2025-07-05 15:25:003437 ，考慮到市場(chǎng)條件和長期業(yè)務(wù)戰(zhàn)略，決定在未來2年內(nèi)逐步退出GaN業(yè)務(wù)。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，這一決定不會(huì)影響先前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)。 據(jù)供應(yīng)鏈消息，臺(tái)積電決定退出第三類半導(dǎo)體之一的氮化鎵市場(chǎng)，其位于竹科的晶圓廠相關(guān)產(chǎn)線已停止生產(chǎn)。臺(tái)積電已向DIGITIMES證實(shí)這一消息，并表示
2025-07-04 16:12:10659 PD40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時(shí)，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin，則無需更改PCB設(shè)計(jì)，否則就要重新設(shè)計(jì)PCB板
2025-06-26 16:11:111776 A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補(bǔ)，場(chǎng)景覆蓋廣，依然是當(dāng)前充電市場(chǎng)不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設(shè)計(jì)方案，易上手，低成本！
2025-06-17 17:53:331380 同一套電源芯片方案，可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開發(fā)時(shí)間，使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認(rèn)證測(cè)試，低耗高效，值得推薦！
2025-06-16 15:40:171592 Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm (20W) 的功率和高于43%的功率附加效率
2025-06-15 16:01:001559 
氮化鎵（GaN）器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率，主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
2025-06-13 14:25:181361 
電源芯片U8722CAS采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù)，可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值，實(shí)現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化！氮化鎵電源芯片U8722CAS在輕載和空載狀態(tài)下
2025-06-12 15:46:16962 摘要
本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨(dú)特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動(dòng)器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計(jì)。此外，本文還建議將
2025-06-11 10:07:24
恒壓恒流PSR12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A在手機(jī)充電器的應(yīng)用中，電池與充電器之間一般會(huì)通過一定長度的電纜相連，由此也將導(dǎo)致輸送到電池端的電壓產(chǎn)生一定的電壓降。氮化鎵電源
2025-06-05 16:16:151141 半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場(chǎng)景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，憑借高功率密度與能效優(yōu)勢(shì)，正推動(dòng)電子設(shè)備技術(shù)革新。
2025-06-05 10:33:562488 
45W單壓單C氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！
2025-06-04 16:56:201070 問題限制了性能提升，導(dǎo)致大功率電源往往體積龐大、能效難以突破鈦金牌門檻。市場(chǎng)亟需更高效、緊湊的解決方案，而氮化鎵（GaN）與先進(jìn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的結(jié)合，正成為破局關(guān)鍵。港晟
2025-05-30 20:32:521303 
充電器都能輕松應(yīng)對(duì)，一充搞定。充電器自然離不開芯片的支持，今天主推的就是來自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！
2025-05-23 14:21:36883 電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片
2025-05-22 15:41:26734 從清華大學(xué)到鎵未來科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
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