電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)2025年下半年,存儲芯片、封測等產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的上市進程明顯加速。不僅有跨界、還有行業(yè)巨頭IPO,以及存儲廠商重啟IPO等等。電子發(fā)燒友網(wǎng)對近期存儲企業(yè)相關(guān)上市動向進行了
2025-10-27 09:07:44
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看到了其前景并提前布局。AI推理也使得存儲HBM不再是唯一熱門,更多存儲芯片與AI推理芯片結(jié)合,擁有了市場機會。 ? 已經(jīng)有不少AI推理芯片、存算一體芯片將SRAM替代DRAM,從而獲得更快的訪問速度、更低的刷新延遲等。 ? 靜態(tài)隨機存取存儲器(Static
2025-03-03 08:51:57
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)2024年國內(nèi)上市存儲芯片廠商的業(yè)績情況相繼公布,各家廠商呈現(xiàn)大幅增長、扭虧為盈或處于虧損的狀況,表現(xiàn)不一。由于今年以來,DeepSeek對AI推理的應(yīng)用落地起到了極大
2025-02-17 09:14:09
2059 詳解TL16C550C:高性能異步通信芯片的卓越之選 在電子工程師的日常工作中,選擇合適的通信芯片對于實現(xiàn)穩(wěn)定、高效的異步通信至關(guān)重要。今天,我們就來深入探討一款功能強大的異步通信芯片
2026-01-04 16:20:21
54 2025年是全球存儲芯片行業(yè)極具里程碑意義的一年。AI技術(shù)“以存代算”路線的興起引發(fā)結(jié)構(gòu)性需求爆發(fā),疊加國際巨頭產(chǎn)能戰(zhàn)略調(diào)整與供應(yīng)鏈政策變化,行業(yè)徹底告別此前的低迷周期,邁入“超級漲價周期”。同時
2025-12-31 08:20:03
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的優(yōu)勢,成為了眾多應(yīng)用的首選。TI(德州儀器)推出的 SN65LV1023A 串行器和 SN65LV1224B 解串器組成的芯片組,就是這一領(lǐng)域的佼佼者,能在 10 - 66MHz 時鐘速度下實現(xiàn)高效
2025-12-30 10:40:06
136 。在此背景下,深入理解驅(qū)動 AI 革命的存儲技術(shù)變得至關(guān)重要。本文將系統(tǒng)梳理與 AI 緊密相關(guān)的核心存儲芯片及技術(shù),剖析它們?nèi)绾卧诓煌瑘鼍跋轮纹鹬悄苡嬎愕暮A繑?shù)據(jù)需求。
2025-12-29 15:24:03
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解析DS92LV042x:高性能Channel Link II serializer和deserializer芯片組 在電子設(shè)計領(lǐng)域,數(shù)據(jù)傳輸?shù)母咝?、穩(wěn)定性和抗干擾能力一直是工程師們關(guān)注的重點
2025-12-24 15:50:13
130 探索DS92LV0411/DS92LV0412:高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇 在電子設(shè)計領(lǐng)域,數(shù)據(jù)的高效、穩(wěn)定傳輸一直是我們追求的目標(biāo)。TI推出的DS92LV0411/DS92LV0412芯片組,在高速
2025-12-24 14:30:13
211 0411/DS92LV0412芯片組,為我們在這方面提供了一個優(yōu)秀的解決方案。今天,我們就來深入了解一下這對芯片組的特性、功能及應(yīng)用。 文件下載: ds92lv0412.pdf 芯片概述 DS92LV0411是串行器
2025-12-24 14:30:07
200 ISSI[美國芯成] 廠商介紹:ISSI是一家技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,為以下關(guān)鍵市場設(shè)計,開發(fā)和銷售高性能集成電路:(i)汽車,(ii)工業(yè)和醫(yī)療,(iii)通信/企業(yè)和(iv)數(shù)字消費者。我們
2025-12-21 11:21:28
- iSSI30R12H 評估板,它搭載了先進的無芯變壓器固態(tài)隔離器 iSSI30R12H,為我們帶來了諸多獨特的功能和特性。 文件下載: Infineon Technologies EVAL-iSSI
2025-12-19 16:15:15
217 EVAL-iSSI30R11H評估板:開啟無芯變壓器先進固態(tài)隔離器的評估之旅 在電子設(shè)計的領(lǐng)域中,評估板就像是我們探索新器件性能的指南針。今天,我們就來深入了解一下Infineon的EVAL
2025-12-19 15:55:12
210 如果你現(xiàn)在正面臨三星、美光存儲芯片缺貨的問題,不妨考慮下紫光國芯的產(chǎn)品。我們可以提供樣品測試、技術(shù)支持、批量供貨的全流程服務(wù)。具體產(chǎn)品選型、價格報價、交期確認,歡迎聯(lián)系咨詢貞光科技。海外大廠為什么會
2025-12-16 14:34:16
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SoC相同,nRF54LV10A同樣集成了2.4 GHz射頻模塊、128 MHz Arm? Cortex?-M33處理器、RISC-V協(xié)處理器及核心外設(shè)。該芯片提供1 MB非易失性存儲器(NVM)和192
2025-12-10 11:45:38
AL8890Q/AL88902Q同步降壓轉(zhuǎn)換器:設(shè)計與應(yīng)用全解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,電源管理芯片的性能和適用性對整個系統(tǒng)的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。今天,我們將深入探討Diodes公司的AL
2025-12-10 11:00:02
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AL8890/AL88902:高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計與應(yīng)用指南 在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域,高效、緊湊且功能強大的降壓轉(zhuǎn)換器一直是工程師們追求的目標(biāo)。今天,我們就來詳細探討一下Diodes公司推出
2025-12-10 10:55:12
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SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)是一種在通電狀態(tài)下可保持數(shù)據(jù)不丟失的存儲器件,無需刷新即可持續(xù)工作,因此具有高速讀寫、響應(yīng)及時的特點,廣泛應(yīng)用于對實時性要求高的場景。
2025-12-08 16:51:57
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方案在各類終端與系統(tǒng)中的落地應(yīng)用。隨著AI算力需求爆發(fā),近期存儲芯片市場正面臨嚴(yán)峻的供應(yīng)危機與價格沖擊。11月23日,在第二十二屆中國國際半導(dǎo)體博覽會(ICChin
2025-12-08 16:23:24
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在內(nèi)存技術(shù)持續(xù)革新的今天,SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)和DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)依然是計算系統(tǒng)中最核心的存儲組件。盡管出現(xiàn)了MRAM、ReRAM等新興存儲方案,但二者憑借成熟的設(shè)計與明確
2025-12-02 13:50:46
868 AI 浪潮下存儲爆發(fā)漲價潮,供需緊張推動行業(yè)發(fā)展,而品質(zhì)才是核心競爭力!優(yōu)可測深耕半導(dǎo)體精密檢測,覆蓋晶圓、芯片、PCB 領(lǐng)域,以亞納米級至微米級高精度測量方案,筑牢存儲品質(zhì)根基,助力廠商緊抓 AI 產(chǎn)業(yè)東風(fēng),強化產(chǎn)品競爭力。
2025-11-29 17:58:57
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在電子設(shè)計領(lǐng)域,EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)一直是數(shù)據(jù)存儲的關(guān)鍵組件。onsemi推出的NV25080LV、NV25160LV、NV25320LV和NV25640LV系列EEPROM,以其
2025-11-27 13:52:36
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現(xiàn)在“有錢也買不到存儲芯片”,當(dāng)前全球存儲芯片正遭遇嚴(yán)峻的供需失衡——AI、云端數(shù)據(jù)中心與高速運算(HPC)需求爆發(fā)式增長,疊加原廠產(chǎn)能調(diào)整(部分NANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)至毛利更高的DRAM)、新增
2025-11-26 11:34:32
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在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中,存儲器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM,特別是異步SRAM系列,憑借其出色的能效比與高可靠性,正成為越來越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56
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在各類存儲設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計,在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44
272 你以為手機里的存儲芯片只是簡單的硅片? 從一粒沙子到能存下你所有照片的芯片,中間經(jīng)歷了怎樣驚心動魄的旅程? 從沙子到硅晶圓 沙子中的二氧化硅經(jīng)過高溫還原變成高純度硅,再拉制成單晶硅棒。 這些硅棒會被
2025-11-25 08:41:18
247 (onsemi) NV250x0LV器件配備16字節(jié)頁寫緩沖區(qū),支持串行外設(shè)接口(SPI)協(xié)議。NV250x0LV EEPROM提供軟件與硬件寫保護功能,包括局部和整個陣列保護。 額外的識別頁可永久寫保護。這些保護功能使該器件能夠可靠地存儲汽車系統(tǒng)中的關(guān)鍵校準(zhǔn)與配置數(shù)據(jù)。
2025-11-22 10:53:07
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和讀取,適用于需要長期保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)的設(shè)備。
多種存儲容量:武漢芯源半導(dǎo)體的EEPROM產(chǎn)品提供多種存儲容量選擇,從2KB到512KB不等,以滿足不同應(yīng)用的需求。
先進的工藝:采用華虹95nm最先進工藝制造
2025-11-21 07:10:48
在存儲技術(shù)快速演進的今天,一種名為STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機存取存儲器)的新型非易失存儲器,正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性,更通過“自旋電流”技術(shù)實現(xiàn)了信息寫入方式的突破,被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35
244 存儲解決方案。與傳統(tǒng)的異步SRAM相比,同步SRAM在結(jié)構(gòu)和工作機制上進行了優(yōu)化,能夠更好地適應(yīng)高速數(shù)據(jù)處理場景,因此在通信設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)及高性能計算等領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。
2025-11-18 11:13:01
242 ,都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來分,存儲芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲芯片就像電腦的內(nèi)存(像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:40
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HLD3370AL、HLD5070AL、HLD9070AL、HLD12070AL 系列低壓差線性穩(wěn)壓器,以 CMOS 技術(shù)為核心,憑借硬核性能成為音頻、視頻及通信設(shè)備的理想供電解決方案。?
該系
2025-11-12 18:07:58
高端處理器芯片中通常設(shè)計有包含四個層級的SRAM緩存子系統(tǒng):從專屬于單個處理器核心的一級緩存,到多個計算單元共享的三級或四級末級緩存,每一級都在存取速度、存儲容量與制造成本之間實現(xiàn)精密平衡。
2025-11-12 13:58:08
455 PSRAM(偽靜態(tài)隨機存儲器)是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性,又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04
497 2025年10月,存儲芯片市場再度迎來一波凌厲漲勢。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,DDR516G、DDR416Gb等產(chǎn)品價格持續(xù)上揚;更引人矚目的是,三星、SK海力士等巨頭已正式宣布,第四季度DRAM合同價最高
2025-11-11 11:04:13
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三星、美光暫停 DDR5 報價引發(fā)的存儲芯片荒,雖攪動國內(nèi)芯片市場,但對 PCB 行業(yè)的影響卻遠小于預(yù)期。這場 “無關(guān)聯(lián)” 的核心,并非 PCB 行業(yè)抗風(fēng)險能力強,而是 PCB 的需求結(jié)構(gòu)與存儲芯片
2025-11-08 16:17:00
1010 三星、美光暫停 DDR5 報價引發(fā)的供應(yīng)鏈焦慮,正加速國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)能擴張 —— 長鑫存儲合肥新晶圓廠已進入設(shè)備調(diào)試階段,2026 年一季度將實現(xiàn) 30 萬片 / 月的 DDR5 晶圓產(chǎn)能,全球
2025-11-08 16:15:57
1686 三星、美光暫停 DDR5 報價的背后,是存儲芯片產(chǎn)業(yè)向高附加值封裝技術(shù)的轉(zhuǎn)型 ——SiP(系統(tǒng)級封裝)正成為 DDR5 與 HBM 的主流封裝方案,而這一轉(zhuǎn)型正倒逼 PCB 行業(yè)突破高密度布線技術(shù),其核心驅(qū)動力,仍是國內(nèi)存儲芯片封裝環(huán)節(jié)的國產(chǎn)化進程加速。
2025-11-08 16:15:01
1156 三星、美光暫停 DDR5 報價引發(fā)的存儲芯片短期缺貨,正被市場過度解讀為 “將沖擊 PCB 行業(yè)”,但從產(chǎn)業(yè)邏輯來看,這種短期波動難以對 PCB 行業(yè)造成實質(zhì)影響。核心原因在于,PCB 行業(yè)的運行
2025-11-08 16:12:12
894 30V/1.2A高調(diào)光比LED驅(qū)動器,不僅引腳對引腳完全兼容AL8805/AL8806,更在效率、調(diào)光性能和保護功能方面實現(xiàn)全面升級,是LED照明系統(tǒng)優(yōu)化的理想選擇。
完美兼容,直接替換SL6129
2025-11-07 16:21:09
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中,存儲器的選擇往往成為設(shè)計成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨有的錯誤校正(ECC)能力,為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39
284 英尚微電子所代理的Everspin xSPI串行接口MRAM存儲芯片,基于最新的JEDEC xSPI標(biāo)準(zhǔn)與獨有的STT-MRAM技術(shù)構(gòu)建,這款串行接口MRAM存儲芯片可全面替代傳統(tǒng)SRAM
2025-11-05 15:31:48
285 2025年中國存儲芯片行業(yè)市場前景預(yù)測研究報告 存儲芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分,涵蓋動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和NAND閃存兩大核心領(lǐng)域。在人工智能(AI)、云計算、大數(shù)據(jù)和移動互聯(lián)網(wǎng)
2025-10-27 08:54:33
4776 在存儲解決方案中,外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越,但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸:不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量,并行接口都
2025-10-26 17:25:18
835 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存(Flash)的非易失性,能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù),同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中,在單一芯片上實現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一,是存儲技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44
411 存儲芯片制造全流程深度剖析:從設(shè)計到出廠的技術(shù)之旅 存儲芯片是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件,廣泛應(yīng)用于手機、電腦、SSD、服務(wù)器等領(lǐng)域。隨著摩爾定律逐漸放緩,以及移動、云計算需求的持續(xù)爆發(fā),存儲芯片在容量
2025-10-24 08:42:00
852 本篇將詳細介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器,具有高速讀取和寫入的特點。在FPGA中實現(xiàn)SRAM讀寫測試,包括設(shè)計SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:38
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設(shè)立全資子公司上海大為捷敏技術(shù)有限公司。 ? 大為捷敏將聚焦發(fā)展高性能存儲芯片產(chǎn)品及解決方案,深化與本地及全球企業(yè)的技術(shù)合作;充分運用上海市集成電路專項政策,加速技術(shù)研發(fā)與成果轉(zhuǎn)化,提升公司半導(dǎo)體存儲芯片業(yè)務(wù)的綜合
2025-10-17 09:15:58
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Microchip Technology EV93M52A MIC21LV33評估板設(shè)計用于快速地演示MIC21LV33的功能和廣泛用途。MIC21LV33是一款恒定導(dǎo)通時間、雙相同步降壓控制器
2025-10-14 14:30:20
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Microchip Technology EV93M52A MIC21LV33評估板設(shè)計用于快速地演示MIC21LV33的功能和廣泛用途。MIC21LV33是一款恒定導(dǎo)通時間、雙相同步降壓控制器
2025-10-14 11:51:26
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 全球存儲市場正掀起一場前所未有的漲價風(fēng)暴。全球最大的存儲芯片制造商三星電子近日宣布,旗下DRAM和NAND閃存產(chǎn)品價格全線上調(diào),部分型號漲幅高達30%,猶如一顆巨石投入平靜
2025-09-24 08:45:00
4365 244A和SN74LV244A-Q1設(shè)備設(shè)計用于改善三態(tài)存儲器地址驅(qū)動器、時鐘驅(qū)動器及面向總線的接收器和發(fā)送器的密度和性能。Texas Instruments SN74LV244A設(shè)備由兩個4位線路驅(qū)動器組成,具有獨立的輸出使能 (OE) 輸入。SN74LV244A-Q1設(shè)備符合汽車應(yīng)用類AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。
2025-09-09 14:07:12
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在此前的文章《SRAM PUF:為每顆芯片注入“不可復(fù)制的物理指紋”,守護芯片安全》中,我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能(PUF)的基本原理,并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經(jīng)濟
2025-09-05 10:46:16
1152 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb(512K×16)高速異步SRAM,采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計,支持-40℃~85℃工業(yè)級溫度范圍,適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場景。
2025-09-04 10:00:00
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如何保持SRAM的狀態(tài),并在芯片復(fù)位時不初始化?
2025-08-25 06:09:44
IS61WV102416EDBLL-10TLI以10ns零延遲、1.8μA超低功耗、50G抗振及內(nèi)置ECC,破解工業(yè)通信實時性與可靠性難題,成為5G工廠與智能電網(wǎng)的存儲基石。
2025-08-21 10:05:00
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如何保持SRAM的狀態(tài),并在芯片復(fù)位時不初始化?
2025-08-21 07:17:17
兩個總線能不能同時使用,用了華邦的SDRAM發(fā)現(xiàn)SDRAM數(shù)據(jù)高概率讀寫錯誤,但是用ISSI的沒問題。如果不對外部SRAM讀寫就正常。
2025-08-12 06:56:57
在存儲芯片(DRAM/NAND)制造中,晶圓劃片是將整片晶圓分割成單個芯片(Die)的關(guān)鍵后道工序。隨著芯片尺寸不斷縮小、密度持續(xù)增加、晶圓日益變?。ㄓ绕鋵τ诟呷萘?DNAND),傳統(tǒng)劃片工藝帶來
2025-08-08 15:38:06
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CW32L052R8T6
CW32L031F8P6
CW32L031F8U6
CW32L031K8V6
CW32L031K8U6
無線射頻系列
CW32R031C8U6
CW32W031R8U6
存儲芯片
2025-07-09 17:11:11
工業(yè)RTU(遠程終端單元)通常會用到處理器芯片、通信芯片、數(shù)據(jù)采集芯片、存儲芯片和電源管理芯片等。
2025-07-05 09:15:45
614 創(chuàng)新成立于2005年,在專用型存儲芯片行業(yè)已有二十年,MCU領(lǐng)域十四年,已成為中國內(nèi)地專用型存儲芯片和MCU領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)。如今,公司已經(jīng)構(gòu)建了專用型存儲芯片、MCU、模擬芯片及傳感器芯片四大板塊的業(yè)務(wù)。 ? 根據(jù)弗若斯特沙利文的報告,以20
2025-06-25 00:09:00
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前言:什么是燒錄-義嘉泰帶你深度了解IC燒錄服務(wù): https://bbs.elecfans.com/jishu_2491063_1_1.html
1. 為什么需要存儲芯片?
計算機和人腦一樣,需要
2025-06-24 09:09:39
貞光科技作為業(yè)內(nèi)知名的車規(guī)及工業(yè)元器件供應(yīng)商,現(xiàn)已成為紫光國芯存儲芯片的授權(quán)代理商。在半導(dǎo)體存儲芯片國產(chǎn)化的關(guān)鍵時期,這一合作為推動DRAM等關(guān)鍵器件的國產(chǎn)替代開辟了新的渠道。紫光國芯在存儲芯片領(lǐng)域
2025-06-13 15:41:27
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CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產(chǎn)品特點及核心優(yōu)勢:核心特點接口與模式支持 SPI(單線) 和 QPI(四線) 模式,默認上電為 SPI 模式,可通過指令切換至
2025-06-06 15:01:36
劃片機(DicingSaw)在半導(dǎo)體制造中主要用于將晶圓切割成單個芯片(Die),這一過程在內(nèi)存儲存卡(如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等)的生產(chǎn)中至關(guān)重要。以下是劃片機在存儲芯片制造中的關(guān)鍵
2025-06-03 18:11:11
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近期受晶圓廠委托, 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測試后, 通過對SRAM芯片的深入研究,對測試失效數(shù)據(jù)的分析,將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標(biāo)地址,最終在圖像上顯示失效位置,幫助客戶直觀地看到失效點分布位置。 通過多個失效芯片圖像的疊加,客戶可以看到多個芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45
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的訓(xùn)練到邊緣AI的應(yīng)用,需要云端存儲到邊緣端分級存儲方案的支持。據(jù)稱,一臺人形機器人至少需要使用48片以上的各種類型存儲芯片。近期來看,多家存儲廠商已經(jīng)投入到人形機器人的存儲方案,并已有產(chǎn)品應(yīng)用于宇樹、智元機器人中。 ? 閃存、3D DRAM 技術(shù)加持
2025-05-26 09:21:47
7589 多種協(xié)議的12.5Gbps Serdes收發(fā)器等,提供多種管腳封裝形式,適用于低功耗、高性能的視頻圖像應(yīng)用開發(fā)領(lǐng)域。高云GW5AT-LV60主芯片性能,如下,
**產(chǎn)品型號:高云
2025-05-19 09:51:27
在全球供應(yīng)鏈緊張和國產(chǎn)替代需求推動下,國產(chǎn)存儲芯片產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,形成設(shè)計到封測一體化的完整生態(tài)。北京君正、兆易創(chuàng)新、紫光國芯、東芯股份、普冉股份和佰維存儲等六大上市公司在NOR/NANDFlash
2025-05-12 16:01:11
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Nordic nRF52832 集成 64MHz 的 32 位 Arm?Cortex?M4處理器,運算能力強。MKDV2GIL-AST 2Gb SLC SD NAND存儲芯片在低功耗、數(shù)據(jù)存儲可靠
2025-05-06 14:55:02
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在智能電網(wǎng)建設(shè)不斷推進的當(dāng)下,三相電表作為電力數(shù)據(jù)采集與監(jiān)測的關(guān)鍵設(shè)備,其性能優(yōu)劣直接影響電力系統(tǒng)的高效運行。而其中的存儲芯片,就如同三相電表的 “記憶中樞”,至關(guān)重要。鈞敏科技深刻洞察行業(yè)需求,主推普冉的一系列 EEPROM/FLASH 產(chǎn)品,為三相電表領(lǐng)域帶來了卓越解決方案。
2025-04-21 15:09:40
1108 在人工智能技術(shù)飛速發(fā)展的2025年,AI眼鏡正從科幻概念走向現(xiàn)實生活。而這一進程中,國產(chǎn)大模型DeepSeek與存儲芯片技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新,正在為智能眼鏡的智能化、輕量化與實用化注入新動能。本文將從技術(shù)突破、產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)動與未來趨勢三個維度,解析這三者的深度關(guān)聯(lián)。
2025-04-14 09:44:46
1263 華邦電子作為全球第五大車用存儲廠商,憑借自主晶圓廠與中低容量產(chǎn)品矩陣,精準(zhǔn)定位高速增長賽道。在近期 OFweek 2025 汽車電子技術(shù)在線會議中,華邦電子產(chǎn)品總監(jiān)朱迪解讀了華邦三大技術(shù)核心,分享了智能汽車存儲產(chǎn)業(yè)的最新洞察。
2025-04-02 09:38:14
1684 。傳統(tǒng)的存儲芯片容量有限,難以滿足持續(xù)記錄的需求,可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)覆蓋或丟失,影響診斷的完整性和準(zhǔn)確性。
2)實時性要求高
心電圖數(shù)據(jù)的實時性對臨床診斷至關(guān)重要,尤其是在監(jiān)測心律失常、心肌缺血等急性癥狀
2025-03-27 10:56:02
(“.int_sram_shareable”))) 不工作
注意:我正在將 section 屬性與我的靜態(tài)變量一起使用。
關(guān)于我可能做錯了什么的任何意見嗎?
2025-03-27 07:16:12
貞光科技作為紫光國芯官方授權(quán)代理商,提供高性能存儲芯片解決方案。紫光國芯DDR4/DDR5內(nèi)存、SSD及嵌入式DRAM產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、工業(yè)控制及智能終端領(lǐng)域,支持國產(chǎn)化替代。貞光科技依托原廠技術(shù)團隊,為客戶提供選型支持、定制化服務(wù)及快速交付,助力企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型。
2025-03-25 15:44:55
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微控制器(MCU)是小型電子產(chǎn)品和電子系統(tǒng)的控制中心。MCU按照內(nèi)部程序的存儲形式可分為以下三種類型:掩膜型(Mask)MCU在出廠時,程序已固化在芯片內(nèi)部,程序功能不可變化;一次性編程型(OTP)MCU
2025-03-23 09:47:39
英飛凌iSSI系列固態(tài)隔離器通過電氣隔離屏障提供強大的能量傳輸能力,采用無磁芯變壓器技術(shù),體積小巧,無需隔離電源就能驅(qū)動非高頻調(diào)制工況的MOS型功率晶體管,IGBT或MOSFET,適用于固態(tài)開關(guān)
2025-03-17 16:06:23
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報價,小容量eMMC以及部分渠道SSD已經(jīng)開始上揚,部分渠道低價資源已經(jīng)率先啟動。 ? 前不久,Sandisk(閃迪)發(fā)布漲價通知函顯示,Sandisk計劃從4月1日起對所有面向渠道和消費者客戶的產(chǎn)品漲價,漲幅將超過10%。 ? Sandisk在通知函中表示,存儲芯片
2025-03-15 00:52:00
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近日,多家媒體報道,高算力基礎(chǔ)設(shè)施、手機等端側(cè)智能需求涌現(xiàn),疊加智能化汽車加速接入大模型,將進一步提升存儲需求,多家存儲原廠已啟動漲價。
2025-03-13 16:27:01
1360 LED驅(qū)動、微處理器、電源管理和互聯(lián)等芯片產(chǎn)品。 君正將整合其積累十幾年的計算技術(shù),及ISSI三十余年的存儲、模擬和互聯(lián)技術(shù),利用公司擁有的完整車規(guī)芯片質(zhì)量和服務(wù)體系,為汽車、工業(yè)、AIoT等行業(yè)的發(fā)展
2025-03-07 17:36:05
低壓單/雙路比較器-AiP331LV/AiP393LV
2025-02-25 10:20:26
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。 IS25WP128F串行閃存為簡化引腳數(shù)封裝提供了具有高靈活性和性能的通用存儲解決方案。ISSI的“工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行接口”閃存適用于需要有限空間、低引腳數(shù)和低功耗的系統(tǒng)。該設(shè)備通過4線SPI接口訪問,包括串行數(shù)據(jù)輸入(SI)、串行數(shù)據(jù)輸出(SO)、串行時鐘(SCK)和芯片使
2025-02-19 09:14:28
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特點ISSI IS62/65WVS5128FALL/FBLL是4M位串行靜態(tài)RAM組織為512K字節(jié)乘8位。這是一個兩個2Mb串行SRAM的雙芯片堆疊。通過簡單的串行外設(shè)訪問該設(shè)備接口(SPI)兼容
2025-02-17 15:50:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《74LV4094移位和存儲總線寄存器規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-14 16:20:37
0 在過去的二十年中,SRAM存儲器市場發(fā)生了巨大變化;技術(shù)進步使得許多分立的SRAM被更高性價比的集成方案所取代。諸如賽普拉斯(Cypress)、GSI、瑞薩(Renesas)和三星(Samsung
2025-02-11 10:43:11
754 慧榮科技憑借其深厚的技術(shù)積累和創(chuàng)新精神,推出了企業(yè)級主控芯片SM8366,這一舉動無疑為企業(yè)級SSD存儲芯片市場注入了新的活力,慧榮科技此次推出的企業(yè)級主控芯片SM8366,在性能提升和功能優(yōu)化方面
2025-02-07 13:28:11
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近期,德明利嵌入式存儲芯片eMMC,通過主流5G通訊方案商紫光展銳新一代芯片移動平臺的產(chǎn)品認證許可,成為德明利首批通過紫光展銳認可并應(yīng)用于其主流5G生態(tài)系統(tǒng)的高端存儲芯片,在5G智能終端、物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域
2025-01-21 16:35:11
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國內(nèi)首顆!支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲芯片
2025-01-21 16:33:05
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的內(nèi)部存儲器進行指令獲取,F(xiàn)-CBUS的目標(biāo)是內(nèi)部Flash、外部存儲器(QSPI_flash)、BLE和內(nèi)部SRAMs SRAM0 SRAM1 SRAM2和SRAM3。類似的 SBUS是RISC-V
2025-01-11 23:26:36
隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,對先進存儲芯片的需求日益增長。在此背景下,美光科技宣布將在新加坡投資70億美元,擴建其制造業(yè)務(wù),以滿足市場需求。 周三,美光科技在新加坡的新工廠正式破土動工。據(jù)悉,該工廠
2025-01-09 11:34:43
1465 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-213:Blackfin處理器通過異步存儲器接口進行主機通信.pdf》資料免費下載
2025-01-05 10:09:19
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