手機(jī)是諾基亞3310型，幾乎有10年了，但是許多未來手機(jī)也是在這個(gè)基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)的。

　　首先打開手機(jī)后蓋，揭露電路板，去掉金屬保護(hù)層，選擇那些可以找到更多感興趣和有更多細(xì)節(jié)可檢測(cè)，可以放大的作為調(diào)查對(duì)象。我們檢測(cè)的第一個(gè)元件是鍵盤后面的發(fā)光二極管之一，隨后著眼于一個(gè)微芯片。檢測(cè)完這些元件后，我們將決定那些元件對(duì)對(duì)調(diào)查最令人感興趣，我們就選擇他們。

　　發(fā)光二極管

　　去除手機(jī)封蓋后，檢查電路板，我們決定更詳細(xì)的檢查一個(gè)元件。我們首先選擇了一個(gè)發(fā)光二極管。這個(gè)主要用于，在摁鍵盤時(shí)和在收到電話時(shí)照亮鍵盤。首先從電路板上拆下一個(gè)LED，安放在一個(gè)新的電路板中以便我們可以更容易的檢測(cè)。

光學(xué)顯微鏡下的LED

　　光學(xué)顯微鏡下的LED

　　核查這個(gè)LED仍然可以工作，我們把它放在光學(xué)顯微鏡下，給它通過各種電壓，看是否點(diǎn)亮，是否和LED表現(xiàn)相同。下面是在不太難過電壓下的照片。

　　這里能看到LED表現(xiàn)符合我們的預(yù)期，一旦超過3v電壓通過LED，顯而易見的發(fā)出大量光。

　　我們于是把LED放在掃描電鏡中，檢測(cè)更多細(xì)節(jié)，試著鑒定其組成成分。

　　LED在SEM下

　　在光學(xué)顯微鏡下檢測(cè)LED后，我們使用掃描電鏡，進(jìn)一步檢測(cè)它的細(xì)節(jié)，鑒定組成元素成分。

　　我們將樣品旋轉(zhuǎn)90°后，我們看到一條確定線在LED側(cè)面，我們選擇這個(gè)進(jìn)一步調(diào)查，看看這條線的每一面的材料中是否有區(qū)別。我們通過這個(gè)線執(zhí)行了一個(gè)線掃描程序，但是在關(guān)注點(diǎn)上沒有發(fā)現(xiàn)任何區(qū)別。這個(gè)確定一個(gè)事實(shí)，線的任何一面元素成分沒有差別，或者如果有差別，我們可能也探測(cè)器不到，因?yàn)樗挥蟹浅Ｉ倭康膿诫s。

在透射電子顯微鏡TEM下的LED

　　測(cè)完SEM，我們使用TEM檢查。在檢測(cè)前，需要先制備LED，以適合TEM檢測(cè)需要。這需要砂紙打磨，研磨直到小于幾個(gè)微米厚。

小于幾個(gè)微米厚的LED

　　一個(gè)可以看到樣品有多么薄的是在邊緣附近，顯現(xiàn)干涉圖樣，由樣品上反射的光和樣品邊界表面上的光干涉引起的。這告訴我們，樣品厚度和光的波長(zhǎng)相似，或者在那一點(diǎn)是幾倍波長(zhǎng)的厚度。樣品必須達(dá)到這么薄，才能適合TEM工作。

在LED上的干涉花樣

　　我們將LED放入透射電鏡TEM中，使用比先前高很多的放大倍數(shù)檢測(cè)。

從TEM上獲得的第一張圖像主要顯示給我們樣品上面的污染物

　　我們進(jìn)一步放大，我們看到疊柵條紋在污染物中出現(xiàn)。

　　我們可以獲得一個(gè)電子衍射花樣來幫助我們揭示原子晶格空間間距。

　　微芯片

　　我們檢測(cè)的手機(jī)第二個(gè)元件是一個(gè)微芯片。手機(jī)電路板中有四個(gè)，我們選擇一個(gè)，首先使用光學(xué)顯微鏡獲得一些圖像，如下圖。

　　這些圖像顯示，使用光學(xué)顯微鏡進(jìn)一步放大，微芯片顯示越來越多細(xì)節(jié)

　　在透射電鏡中的芯片

　　我們使用LED同樣的透射電鏡樣品制備方法，我們放入的樣品圖像顯示如下，光學(xué)顯微鏡拍攝

　　我們將檢測(cè)樣品的頂部區(qū)域，看這個(gè)晶體管。

　　下面是我們使用TEM觀察芯片上的晶體管獲得第一張圖。這是一張很低的放大倍數(shù)，只有4000倍，在我們進(jìn)一步放大前，顯示元件的各部分。你可以看到不同的源和渠，伴隨用來控制電流的門。也可以看到不同的層，不同的氧化物層生長(zhǎng)在硅片上。

　　下面哪的圖片是10000倍，顯示晶體管的發(fā)射源，兩邊帶有門。

　　下面圖像5萬倍，顯示嵌入層頂部的發(fā)射源。

　　下面的圖像顯示一個(gè)門，附近的硅片缺陷。這個(gè)來源于制造過程。

　　下圖顯示門更大的細(xì)節(jié),在多晶硅門和硅基片之間有一個(gè)間隙，作為一個(gè)平行板電容器，可以用來操縱周圍的電場(chǎng)。

　　在門的頂部覆蓋一層金屬提高門的導(dǎo)電性。

　　最后圖片，放大50萬倍，這里我們可以測(cè)量間隙尺度是19.6nm，大約200個(gè)原子厚度。通常間隙越小，門的作用越好，但門工作在太高的電壓，這比當(dāng)前的標(biāo)準(zhǔn)落后10年。

表面聲波裝置

　　我們檢測(cè)的下一個(gè)裝置是表面聲波裝置(SAW)。這個(gè)裝置用來提取特殊頻率的波，漸次減弱其他頻率的波，因此只有需要的頻率，沒有背景波被提取。用在手機(jī)上更便宜更小，比其他諸如石英晶體替代物更好。

光學(xué)顯微鏡下的SAW裝置

　　這個(gè)裝置通過在需要波的頻率下上下機(jī)械振蕩來工作的。在這個(gè)頻率下，它可以提取波，但其他頻率的波得到吸收。下圖是使用光學(xué)顯微鏡從一個(gè)角度拍攝的圖像，顯示不同的顏色傳感器線，突出電極之間的不同間距，和不同的頻率波相符合。

突出不同電極間距的SAM裝置

　　下圖顯示傳感器的末端的緩沖器，沒有連接在傳感器的剩余部分。這用來在末端漸次減弱阻止其繼續(xù)。

　　下面的圖片掃描電鏡的圖像，突出顯示沒有連接，我們可以看到在充電末的緩沖器。

　　右側(cè)的緩沖器比SAW其余部分更快的而充電

　　SAW化學(xué)成分

　　使用掃描電鏡中的X射線能譜，檢測(cè)SAW裝置的化學(xué)組成。首先看裝置周圍的金屬，然后是中部的基體，結(jié)果顯示如下。

　　能譜圖顯示含有氧，鋁，硅，鉭。然而硅的主峰也顯示包含一個(gè)鋁的特征峰。由此，我們不能完全確認(rèn)是否含有硅，但相當(dāng)肯定其他三種元素存在。我們使用電腦軟件生成一個(gè)圖，在同一x射線分析條件下將材料是什么的圖，到底有沒有。確認(rèn)硅是存在的。使用譜峰核查功能。

　　基體分析顯示相似的結(jié)果，包含和前面相同的峰 ?，但依然對(duì)硅是否存在不能下結(jié)論，但在基體的其他部分暗示硅也存在。


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