使用電力驅(qū)動的車輛而不是化石燃料可以減少CO 2 的產(chǎn)生，有助于保持城市的空氣更健康、更清潔。環(huán)境優(yōu)勢與經(jīng)濟優(yōu)勢相結(jié)合：與“傳統(tǒng)”汽車相比，電動汽車（EV）降低了管理和維護成本，并且還可以獲得充電站購買和安裝成本的稅收減免. 電動汽車 (EV) 在長距離行駛時會出現(xiàn)電池電量耗盡的問題，而 EV 的電池充電器不可用。

因此，長途旅行必須精心規(guī)劃，以保證充電站的可用性，并且必須在日常旅行中建立充電時間。智能網(wǎng)絡和電池與車載電子設備密不可分，車載電子設備不僅限于管理充電和與電網(wǎng)的接口，還監(jiān)督涉及使用累積能量的所有功能。這個應用領(lǐng)域的特點是問題非常復雜。但誰住在這個世界里面，你怎么看？我們請羅姆半導體的電源系統(tǒng)總監(jiān) Aly Mashaly 帶領(lǐng)我們進入這個市場。

Maurizio：羅姆作為 Venturi Formula E 車隊的官方技術(shù)合作伙伴，為主逆變器提供 SiC 器件。電動方程式中需要考慮哪些技術(shù)方面？

Aly Mashaly：作為文丘里電動方程式車隊過去 3 年（從 2016 年第 3 賽季開始）的官方技術(shù)合作伙伴，羅姆一直為電動汽車的頂級賽車級別電動方程式賽車提供 SiC 功率器件。對于傳統(tǒng)上使用硅 IGBT 的逆變器，ROHM 在第 3 季提供 SiC 肖特基勢壘二極管，然后在第 4 和第 5 季提供全 SiC 功率模塊，有助于提高逆變器效率，同時減小尺寸和重量。事實證明，這種合作伙伴關(guān)系成功展示了 SiC 功率器件的優(yōu)勢，文丘里電動方程式車隊在香港（2019 年 3 月）的比賽中獲勝，并在墨西哥城和摩納哥的比賽中獲得第三名。第五賽季結(jié)束時（2019 年 7 月），與 VENTURI 電動方程式車隊的三年合作協(xié)議已按原計劃到期。碳化硅作為功率轉(zhuǎn)換的基石在各種市場中的應用正在加速，包括汽車和工業(yè)領(lǐng)域。作為 SiC 技術(shù)的先驅(qū)和 2010 年第一家量產(chǎn) SiC MOSFET 的供應商，羅姆在開發(fā)尖端技術(shù)方面繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)。ROHM 的 SiC 產(chǎn)品已被世界各地的各種市場采用。羅姆希望通過提供世界上最先進的碳化硅功率器件，重返世界頂級電動車賽事Formula E。羅姆繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)開發(fā)尖端技術(shù)。ROHM 的 SiC 產(chǎn)品已被世界各地的各種市場采用。羅姆希望通過提供世界上最先進的碳化硅功率器件，重返世界頂級電動車賽事Formula E。羅姆繼續(xù)引領(lǐng)行業(yè)開發(fā)尖端技術(shù)。ROHM 的 SiC 產(chǎn)品已被世界各地的各種市場采用。羅姆希望通過提供世界上最先進的碳化硅功率器件，重返世界頂級電動車賽事Formula E。

電動汽車正在推動汽車運輸?shù)闹卮笞兏铮诟鱾€技術(shù)方面都面臨著許多挑戰(zhàn)。羅姆在這個市場的參與度有多少？您認為未來有哪些挑戰(zhàn)會影響這個市場，您計劃如何改進您的產(chǎn)品套件以應對這些挑戰(zhàn)？

電氣化是應對全球環(huán)境挑戰(zhàn)以減少污染和應對氣候變化的重要趨勢之一。近年來，要求電子元件兼具更高的效率和更小的尺寸。小型化是邁向未來移動性的重要里程碑。羅姆多年來不斷為汽車市場提供各種產(chǎn)品?；谖覀児镜氖姑?，“質(zhì)量第一”，我們在質(zhì)量、可靠性和穩(wěn)定的長期供應方面展示了優(yōu)勢。所有這些優(yōu)勢對我們的汽車客戶都非常重要。對于主逆變器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、車載充電器和電子壓縮機 sin EV，羅姆還提供廣泛的產(chǎn)品組合。

能量收集或其他技術(shù)如何為電動汽車的發(fā)展做出貢獻？

電源管理是重要的關(guān)鍵因素之一，不僅僅是在開發(fā)電動汽車時。羅姆認為，碳化硅功率器件有助于提高汽車電源系統(tǒng)的效率。碳化硅功率器件的應用范圍正在擴大，用于車載充電器或快速非車載直流充電等快速充電系統(tǒng)。優(yōu)點是可以在短時間內(nèi)充電。未來，向主逆變器的擴展一定是關(guān)鍵。如果逆變器采用碳化硅功率器件，汽車電源系統(tǒng)的效率將得到提高。這種發(fā)展將允許在相同電池容量下行駛更遠的距離。相反，在行駛相同續(xù)航里程的情況下，可以通過擱置昂貴的電池更換來降低總成本。

您認為未來哪些挑戰(zhàn)會影響 SiC 和 GaN 材料的電源設計？

在過去的幾年里，我們成功地贏得了客戶對 WBG 技術(shù)的信任。如今，市場上對 SiC 技術(shù)的接受度很高，因此需求急劇擴大。今天，科學界的討論不再是關(guān)于使用 SiC 是否有意義，而是更多關(guān)于如何為特定應用實現(xiàn)封裝。我們非常了解我們作為 Sic 設備技術(shù)領(lǐng)導者的角色。因此，我們正在努力擴大我們的產(chǎn)能，提高SiC目標的良率以降低成本。另一方面，我們正在與著名的功率模塊制造商密切合作以實現(xiàn)封裝，這將強調(diào) SiC 技術(shù)在功率應用中的優(yōu)勢。

圖 2：汽車級 N 溝道 SiC 功率 MOSFET (SCT3160KLHR)

碳化硅具有許多硅所沒有的優(yōu)良特性。我們相信，利用 SiC 的獨特功能將使創(chuàng)造應用成為可能，這是硅半導體無法實現(xiàn)的。羅姆將在SiC功率器件中不斷提高晶圓質(zhì)量，改進器件結(jié)構(gòu)，以期在未來進一步提升器件性能。例如，我們計劃開發(fā)可以通過降低導通電阻和高電壓產(chǎn)品來提高性能的產(chǎn)品，以追求 SiC 功率器件的更多可能性。然而，羅姆不僅提供碳化硅功率器件。作為綜合半導體制造商，我們還提供電源解決方案，擁有廣泛的產(chǎn)品陣容，例如驅(qū)動 IC、針對功率器件和無源元件（例如分流電阻器）進行了優(yōu)化的柵極驅(qū)動器。此外，我們在歐洲子公司德國建立了電源實驗室，并擁有完整的支持系統(tǒng)來評估客戶的大功率應用。

在GaN產(chǎn)品方面，我們與GaN Systems建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。Gan Systems 在功率 GaN 晶體管方面的行業(yè)領(lǐng)先能力，以及 ROHM 在半導體領(lǐng)域的全面足跡以及在電子元件設計和制造方面的大量資源，都可以在此次合作中得到充分利用。兩家公司已同意在 GaN Systems 的 GaNPX? 封裝和 ROHM 的傳統(tǒng)功率半導體封裝中使用 GaN 半導體管芯共同開發(fā)外形、適配和功能兼容的產(chǎn)品（圖 1 和圖 2）。

審核編輯 黃昊宇

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