TDK PiezoBrush PZ3 - c評估套件：探索冷等離子體解決方案的利器 在電子工程領(lǐng)域，不斷探索和創(chuàng)新新的技術(shù)與產(chǎn)品是推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。今天，我們就來詳細了解一下TDK
2025-12-25 16:35:11
110 SPS-5T-2000是一款溫度可達2000℃、壓力最高5T的智能放電等離子體熱壓燒結(jié)系統(tǒng)（Spark Plasma Sintering），其原理是利用通-斷直流脈沖電流直接通電燒結(jié)的加壓燒結(jié)
2025-12-20 15:25:12459 
一、行業(yè)背景：半導體設(shè)備從“能運行”走向“長期穩(wěn)定運行”對于半導體設(shè)備制造商（EquipmentMaker）而言，刻蝕、薄膜沉積、離子注入、化學機械拋光（CMP）等核心設(shè)備的競爭力，早已不再停留在
2025-12-19 17:10:215866 
在核聚變能源成為全球能源轉(zhuǎn)型重要方向的今天，托卡馬克等核聚變研究裝置的穩(wěn)定運行與技術(shù)突破，離不開對等離子體狀態(tài)的精準把控。等離子體診斷作為解析等離子體物理特性的核心手段，通過探針法、微波法、激光法、光譜法等多種技術(shù)，獲取電子密度、電子溫度、碰撞頻率等關(guān)鍵參數(shù)，為核聚變反應(yīng)的控制與優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。
2025-12-15 09:29:07522 
芯源MOSFET采用超級結(jié)技術(shù)，主要有以下幾種應(yīng)用：
1）電腦、服務(wù)器的電源--更低的功率損耗；
2）適配器（筆記本電腦、打印機等）--更輕、更便捷。
3）照明（HID燈、工業(yè)照明、道路照明等）--更高的功率轉(zhuǎn)換效率；
4）消費類電子產(chǎn)品（液晶電視、等離子電視等）--更輕、更薄、更高能效。
2025-12-12 06:29:10
華為與廣汽、東風集團達成全新合作，這一戰(zhàn)略聯(lián)盟對制造工藝提出了新的要求。在保持各自體系特色的同時實現(xiàn)產(chǎn)品質(zhì)量提升，成為各方需要面對的課題。在這一背景下，等離子表面處理設(shè)備或許能夠提供一種新的工藝思路
2025-12-11 10:09:30384 基于衍射的光學計量方法（如散射測量術(shù)）因精度高、速度快，已成為周期性納米結(jié)構(gòu)表征的關(guān)鍵技術(shù)。在微電子與生物傳感等前沿領(lǐng)域，對高性能等離子體納米結(jié)構(gòu)（如金屬光柵）的精確測量提出了迫切需求，然而現(xiàn)有傳統(tǒng)
2025-12-03 18:05:28274 
目前常見的智能手持移動終端設(shè)備有：PDA手持終端，RFID讀寫器，條碼掃碼移動終端、二維碼掃碼手持終端、NFC手持終端、工業(yè)平板、測溫測振PDA、熱成像手持終端、低頻RFID設(shè)備、高頻RFID設(shè)備、超高頻RFID讀寫器以及巡檢設(shè)備、Lora設(shè)備、人臉識別、證件識別PDA、ETC手持終端設(shè)備等等。
2025-12-03 11:14:20518 
1）電腦、服務(wù)器的電源--更低的功率損耗；
2）適配器（筆記本電腦、打印機等）--更輕、更便捷;
3）照明（HID燈、工業(yè)照明、道路照明等）--更高的功率轉(zhuǎn)換效率；
4）消費類電子產(chǎn)品（液晶電視、等離子電視等）--更輕、更薄、更高能效。
2025-11-26 06:54:56
氬離子拋光技術(shù)通過電場加速產(chǎn)生的高能氬離子束，在真空環(huán)境下對樣品表面進行可控的物理濺射剝離。與傳統(tǒng)機械制樣方法相比，其核心優(yōu)勢在于：完全避免機械應(yīng)力導致的樣品損傷，能夠保持材料的原始微觀結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)
2025-11-25 17:14:14456 
摘要：電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀廣泛應(yīng)用于實驗室元素分析。本文采用電感耦合等離子發(fā)射光譜法（ICP-OES）同時測定堿性電池生產(chǎn)廢水中鐵、鋅、錳、鎳、銅、鉛、鋁、鉻金屬元素的含量。
2025-11-25 13:52:45345 
等離子透鏡實驗方案 柏林馬克斯·伯恩研究所(MBI)與漢堡DESY研究中心組成的聯(lián)合研究團隊成功研制出可聚焦阿秒級光脈沖的等離子體透鏡。這一突破性進展使得實驗可用阿秒脈沖功率實現(xiàn)量級提升，為研究超快
2025-11-25 07:35:1798 
在TEM（透射電子顯微鏡）高精度的表征和FIB（聚焦離子束）切片加工技術(shù)之前，使用等離子體進行樣品預(yù)處理是一個關(guān)鍵的步驟，主要用于清潔和表面改性，其直接目的是提升成像質(zhì)量或加工效率。
2025-11-24 17:17:031234 當科技巨頭META宣布9月發(fā)布搭載 微型屏幕 的 智能眼鏡 時，輕巧機身內(nèi)的高精度光學系統(tǒng)引發(fā)關(guān)注。這款設(shè)備要在鏡片上實現(xiàn)虛實融合，依賴一項 納米級表面處理技術(shù) —— 等離子表面處理 。它通過
2025-11-19 09:37:28351 在集成電路制造的離子注入工藝中，完成離子注入與退火處理后，需對注入結(jié)果進行嚴格的質(zhì)量檢查，以確保摻雜效果符合器件設(shè)計要求。當前主流的質(zhì)量檢查方法主要有兩種：四探針法與熱波法，兩種方法各有特點，適用于不同的檢測場景。
2025-11-17 15:33:10726 
合成株式會社研發(fā)的 IXE 系列離子捕捉劑，就像一把 “魔法鑰匙”，通過精準的離子捕捉技術(shù)，破解了這一行業(yè)頑疾，為電子設(shè)備的穩(wěn)定運行保駕護航。 一、“離子魔咒” 的本質(zhì)：看不見的電子殺手 電子設(shè)備中的雜質(zhì)離子，就像隱藏在精密結(jié)構(gòu)
2025-11-12 16:12:38378 
束，通常以鎵（Ga）離子為主，部分設(shè)備還配備氦（He）或氖（Ne）離子源。離子束在轟擊樣品時，會產(chǎn)生濺射現(xiàn)象，從而實現(xiàn)材料的精準去除，同時通過二次電子信號獲取樣品的形貌
2025-11-11 15:20:05259 
氬離子拋光技術(shù)作為一項前沿的材料表面處理手段，憑借其高效能與精細加工的結(jié)合，為多個科研與工業(yè)領(lǐng)域帶來突破性解決方案。該技術(shù)通過低能量離子束對材料表面進行精準處理，不僅能快速實現(xiàn)拋光還能在微觀尺度
2025-11-03 11:56:32205 
氬離子拋光和切割技術(shù)是現(xiàn)代微觀分析領(lǐng)域中不可或缺的樣品制備手段。該技術(shù)通過利用寬離子束（約1毫米寬）對樣品進行切割或拋光，能夠精確地去除樣品表面的損傷層，并暴露出高質(zhì)量的分析區(qū)域，為后續(xù)的微觀結(jié)構(gòu)
2025-10-29 14:41:57192 
近日，我所化學反應(yīng)動力學全國重點實驗室大連光源科學研究室楊學明院士、張未卿研究員團隊與深圳先進光源研究院科研團隊合作，在超快軟X射線自由電子激光(FEL)領(lǐng)域取得新進展。研發(fā)團隊提出一種基于等離子
2025-10-27 07:36:57135 
你是否想象過，有一種特殊的“火焰”，它并不灼熱，卻能瞬間讓材料表面煥然一新；它不產(chǎn)生煙霧，卻能精密地雕刻納米級的芯片電路？這種神奇的“火焰”，就是今天我們要介紹的主角——射頻等離子體（RF Plasma）。
2025-10-24 18:03:141303 PECVD（ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ，等離子體增強化學氣相沉積）是一種通過射頻（ RF ）電源激發(fā)等離子體，在低溫條件下實現(xiàn)薄膜沉積的半導體制造技術(shù)。其核心在于利用等離子體中的高能粒子（電子、離子、自由基）增強化學反應(yīng)活性。
2025-10-23 18:00:412699 
堅實有力的技術(shù)支撐。SEM分析在這之前，樣品的制備是至關(guān)重要的一步。傳統(tǒng)的研磨和拋光方法雖然在一定程度上能夠滿足樣品表面處理的需求，但往往會對樣品表面造成不可逆的損
2025-10-11 14:14:38217 
傾佳先進等離子體電源系統(tǒng)：市場動態(tài)、拓撲演進與碳化硅器件的變革性影響 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-10-09 17:55:31912 
德國施泰因哈根2025年9月29日 /美通社/ -- 汽車行業(yè)正面臨重大挑戰(zhàn)：新材料應(yīng)用、輕量化結(jié)構(gòu)理念以及日益增長的可持續(xù)性要求，這些都需要創(chuàng)新制造工藝的支持。等離子技術(shù)在應(yīng)對這些挑戰(zhàn)中發(fā)
2025-09-30 09:42:14380 什么是離子污染物離子污染物是指產(chǎn)品表面未被清洗掉的殘留物質(zhì)，這些物質(zhì)在潮濕環(huán)境中會電離為導電離子,例如電鍍藥水、助焊劑、清洗劑、人工汗液等，很容易在產(chǎn)品上形成離子殘留。一旦這些物質(zhì)在產(chǎn)品表面殘留并
2025-09-18 11:38:28502 
離子注入單晶靶材時，因靶體存在特定晶向，其對入射離子的阻滯作用不再如非晶材料般呈現(xiàn)各向同性。沿硅晶體部分晶向觀察，能發(fā)現(xiàn)晶格間存在特定通道（圖 1）。當離子入射方向與靶材主晶軸平行時，部分離子會直接
2025-09-12 17:16:011974 
）宣布重磅推出六款半導體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關(guān)鍵工藝，不僅充分彰顯了中微公司在技術(shù)領(lǐng)域的硬核實力，更進一步鞏固了其在高端半導體設(shè)備市場的領(lǐng)先地位，為加速向高端設(shè)備平臺化公司轉(zhuǎn)型注入強勁新動能。
2025-09-04 14:23:3147856 
FIB是聚焦離子束的簡稱，由兩部分組成。一是成像，把液態(tài)金屬離子源輸出的離子束加速、聚焦，從而得到試樣表面電子像（與SEM相似）；二是加工，通過強電流離子束剝離表面原子，從而完成微，納米級別的加工
2025-08-26 15:20:22727 
*附件：ATA-7100單頁手冊V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~1.2kHz
電壓：20kVp-p（±10kVp）
電流：2mAp
功率：20Wp
壓擺率：≥53V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測試、電流體打印、鐵電測試、等離子體測試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:23:59
*附件：ATA-7050單頁手冊V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~5kHz
電壓：10kVp-p（±5kVp）
電流：20mAp
功率：100Wp
壓擺率：≥111V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測試、電流體打印、鐵電測試、等離子體測試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:22:53
*附件：ATA-7050B單頁手冊V1.1.pdf
帶寬：（-3dB）DC~5kHz
電壓：10kVp-p（±5kVp）
電流：20mAp
功率：100Wp
壓擺率：≥111V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測試、電流體打印、鐵電測試、等離子體測試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:22:35
*附件：ATA-7030單頁手冊V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~5kHz
電壓：6kVp-p（±3kVp）
電流：30mAp
功率：90Wp
壓擺率：≥67V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測試、電流體打印、鐵電測試、等離子體測試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:21:35
*附件：ATA-7025單頁手冊V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~10kHz
電壓：5kVp-p（±2.5kVp）
電流：30mAp
功率：75Wp
壓擺率：≥112V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測試、電流體打印、鐵電測試、等離子體測試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:21:07
*附件：ATA-7020單頁手冊V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~30kHz
電壓：4kVp-p（±2kVp）
電流：30mAp
功率：60Wp
壓擺率：≥267V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測試、電流體打印、鐵電測試、等離子體測試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:19:50
*附件：ATA-7015單頁手冊V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~80kHz
電壓：3kVp-p（±1.5kVp）
電流：40mAp
功率：60Wp
壓擺率：≥534V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測試、電流體打印、鐵電測試、等離子體測試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:19:31
*附件：ATA-7015B單頁手冊V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~40kHz
電壓：3kVp-p（±1.5kVp）
電流：40mAp
功率：60Wp
壓擺率：≥266V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測試、電流體打印、鐵電測試、等離子體測試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:17:54
*附件：ATA-7010單頁手冊V3.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~100kHz
電壓：2kVp-p（±1kVp）
電流：40mAp
功率：40Wp
壓擺率：≥445V/μs
應(yīng)用：介電彈性體測試、電流體打印、鐵電測試、等離子體測試、3D打印、材料極化、靜電紡絲、微流控
2025-08-21 19:17:28
拋光（PEP）工藝具有拋光效率高、適用于復(fù)雜零件等優(yōu)勢，可有效改善表面質(zhì)量。本文借助光子灣科技共聚焦顯微鏡等表征手段，研究電解質(zhì)等離子拋光工藝對激光選區(qū)熔化成形T
2025-08-21 18:04:38600 
去離子水沖洗是半導體、微電子等領(lǐng)域的關(guān)鍵工藝步驟，其正確操作直接影響產(chǎn)品的潔凈度和性能。以下是標準化流程及注意事項：一、前期準備設(shè)備檢查與校準確保去離子水系統(tǒng)的電阻率≥18MΩ·cm（符合
2025-08-20 13:35:48801 
行業(yè)背景 等離子清洗機是半導體、電子、醫(yī)療器械等精密制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，通過等離子體去除材料表面微污染物（如油污、氧化層），其處理效果（如清潔度、表面張力）直接影響后續(xù)焊接、鍍膜等工藝的良率，在傳統(tǒng)
2025-08-13 11:47:24458 
什么是離子色譜離子色譜（IonChromatography，IC）是高效液相色譜（HPLC）家族中的專門分支，其核心任務(wù)是對水溶液中呈離子態(tài)的化合物進行分離與定量。儀器通過高壓輸液泵將流動相（淋洗
2025-08-08 11:41:05859 
鋁合金反射鏡是大型太空望遠鏡等光學系統(tǒng)核心部件，表面質(zhì)量影響成像精度。NiP鍍層經(jīng)單點金剛石車削后殘留螺旋狀刀痕，導致色散和重影，需進一步拋光。磁流變拋光因高效、優(yōu)質(zhì)、低成本成為潛在方案。光子灣
2025-08-05 18:02:35629 鈣鈦礦/硅疊層電池可突破單結(jié)電池效率極限，但半透明頂電池（ST-PSC）的ITO濺射會引發(fā)等離子體損傷。傳統(tǒng)ALD-SnO?緩沖層因沉積速率慢、成本高制約產(chǎn)業(yè)化。本研究提出溶液法金屬氧化物納米顆粒
2025-08-04 09:03:361040 
相較于傳統(tǒng)CMOS工藝，TSV需應(yīng)對高深寬比結(jié)構(gòu)帶來的技術(shù)挑戰(zhàn)，從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開始，經(jīng)等離子體化學氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子層的多層沉積，到銅電鍍填充及改進型化學機械拋光（CMP）處理厚銅層，每一步均需對既有設(shè)備與材料進行適應(yīng)性革新，最終構(gòu)成三維集成的主要工藝成本來源。
2025-08-01 09:13:511974 等離子體“尺度網(wǎng)絡(luò)”模型。該研究利用國產(chǎn)逐光IsCMOS相機(TRC411-H20-U)的超高時空分辨率，成功捕捉納米秒級等離子體動態(tài)，為半導體核心工藝設(shè)備(等離子體蝕刻與沉積)從實驗室小型原型等比例放大至工業(yè)級晶圓廠規(guī)模提供了關(guān)鍵理論依據(jù)和實
2025-07-29 15:58:47582 
一、CMP工藝與拋光材料的核心價值化學機械拋光（ChemicalMechanicalPlanarization，CMP）是半導體制造中實現(xiàn)晶圓表面全局平坦化的關(guān)鍵工藝，通過“化學腐蝕+機械研磨
2025-07-05 06:22:087009 
化學機械拋光（Chemical Mechanical Polishing, 簡稱 CMP）技術(shù)是一種依靠化學和機械的協(xié)同作用實現(xiàn)工件表面材料去除的超精密加工技術(shù)。下圖是一個典型的 CMP 系統(tǒng)示意圖：
2025-07-03 15:12:552208 
(CMP)DSTlslurry斷供：物管通知受臺灣出口管制限制，F(xiàn)ab1DSTSlury(料號:M2701505,AGC-TW)暫停供貨，存貨僅剩5個月用量(267桶)。DSTlslurry?是一種用于半導體制造過程中的拋光液，主要用于化學機械拋光（CMP）工藝。這種拋光液在制造過程中起著
2025-07-02 06:38:104459 遠程等離子體刻蝕技術(shù)通過非接觸式能量傳遞實現(xiàn)材料加工，其中熱輔助離子束刻蝕（TAIBE）作為前沿技術(shù)，尤其適用于碳氟化合物（FC）材料（如聚四氟乙烯PTFE）的精密處理。
2025-06-30 14:34:451129 
集成電路研發(fā)設(shè)計及制造服務(wù)商。此項里程碑既標志著中微公司在等離子體刻蝕領(lǐng)域的又一自主創(chuàng)新，也彰顯了公司持續(xù)研發(fā)的技術(shù)能力與穩(wěn)步發(fā)展的綜合實力。
2025-06-27 14:05:32835 等離子體發(fā)生裝置通過外部能量輸入使氣體電離生成等離子體，在工業(yè)制造、材料科學、生物醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。高壓放大器作為能量供給的核心器件，直接影響等離子體的生成效率、穩(wěn)定性和可控性。 圖
2025-06-24 17:59:15486 
離子研磨技術(shù)的重要性在掃描電子顯微鏡（SEM）觀察中，樣品的前處理方法至關(guān)重要。傳統(tǒng)機械研磨方法存在諸多弊端，如破壞樣品表面邊緣、產(chǎn)生殘余應(yīng)力等，這使得無法準確獲取樣品表層納米梯度強化層的真實、精準
2025-06-13 10:43:20600 
圖1. 等離子體多通道Betatron振蕩產(chǎn)生的示意圖 近期，中國科學院上海光學精密機械研究所超強激光科學與技術(shù)全國重點實驗室研究團隊提出了一種基于雙激光脈沖干涉的新型高亮度X射線源產(chǎn)生方案。該團
2025-06-12 07:45:08393 
等離子清洗機，也叫等離子表面處理儀，能夠去除肉眼看不見的有機污染物和表面吸附層，以及工件表面的薄膜層，從而實現(xiàn)清潔、涂覆等目的。隨著工業(yè)4.0的推進，企業(yè)對設(shè)備管理的智能化、遠程化需求日益迫切。當前
2025-06-07 15:17:39625 
樣品切割和拋光配溫控液氮冷卻臺，去除熱效應(yīng)對樣品的損傷，有助于避免拋光過程中產(chǎn)生的熱量而導致的樣品融化或者結(jié)構(gòu)變化，氬離子切割制樣原理氬離子切割制樣是利用氬離子束（?1mm）來切割樣品，以獲得相比
2025-05-26 15:15:22478 
在半導體制造領(lǐng)域，晶圓拋光作為關(guān)鍵工序，對設(shè)備穩(wěn)定性要求近乎苛刻。哪怕極其細微的振動，都可能對晶圓表面質(zhì)量產(chǎn)生嚴重影響，進而左右芯片制造的成敗。以下為您呈現(xiàn)一個防震基座在半導體晶圓制造設(shè)備拋光機上的經(jīng)典應(yīng)用案例。
2025-05-22 14:58:29551 
化學機械拋光液是化學機械拋光（CMP）工藝中關(guān)鍵的功能性耗材，其本質(zhì)是一個多組分的液體復(fù)合體系，在拋光過程中同時起到化學反應(yīng)與機械研磨的雙重作用，目的是實現(xiàn)晶圓表面多材料的平整化處理。
2025-05-14 17:05:541222 
01背景介紹隨著聚變研究的深入發(fā)展，對等離子體參數(shù)測量的精度、時間分辨率和數(shù)據(jù)處理能力提出了更高的要求。湯姆遜散射診斷讀出電子學系統(tǒng)作為該技術(shù)的核心硬件載體，其性能直接決定了等離子體參數(shù)診斷的可靠性
2025-05-14 10:29:37247 
德國施泰因哈根 2025年5月9日 /美通社/ -- 普思瑪?shù)腛penair-Plasma ? 等離子技術(shù)專用于電池電芯及外殼表面的精細清洗、活化和鍍膜處理。該技術(shù)無需使用有害環(huán)境的溶劑，即可
2025-05-11 17:37:23633 
摘要 ： 一種用于小直徑非球面 CCP 拋光的新概念，稱為Pea Puffer非球面，能夠生成那些對于大多數(shù) CCP 拋光方法來說孔徑太小的非球面。Pea Puffer方法能夠在工業(yè)中以高質(zhì)量
2025-05-09 08:48:08
）、彈性發(fā)射加工（EEM）、磁流變拋光（MRF）、激光火焰拋光（LP）、離子束修形（IBF）、磨料漿射流加工（ASJ）、等離子體輔助化學蝕刻（PACE）、激光誘導背面濕法刻蝕（LIBWE）。
若分析
2025-05-07 09:01:47
氬離子拋光技術(shù)氬離子拋光技術(shù)（ArgonIonPolishing,AIP）作為一種先進的樣品制備方法，為電子顯微鏡（SEM）和電子背散射衍射（EBSD）分析提供了高質(zhì)量的樣品表面。下面將介紹氬離子
2025-04-27 15:43:51640 
在現(xiàn)代制造業(yè)中，等離子焊設(shè)備憑借其高效、優(yōu)質(zhì)的焊接性能，廣泛應(yīng)用于航空航天、汽車制造、船舶工業(yè)等領(lǐng)域。然而，等離子焊設(shè)備運行過程中能耗較高，且傳統(tǒng)模式下缺乏對能耗數(shù)據(jù)的精準采集與分析，導致企業(yè)難以
2025-04-25 17:22:20689 TSMC，中芯國際SMIC 組成:核心:生產(chǎn)線，服務(wù):技術(shù)部門，生產(chǎn)管理部門，動力站（雙路保障），廢水處理站(環(huán)保，循環(huán)利用)等。生產(chǎn)線主要設(shè)備: 外延爐，薄膜設(shè)備，光刻機，蝕刻機，離子注入機，擴散爐
2025-03-27 16:38:20
射頻電源（RF Power Supply）是一種能夠產(chǎn)生高頻交流電（通常在kHz至GHz范圍）的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于需要高頻電磁場、等離子體生成或精密能量控制的領(lǐng)域。以下是其主要應(yīng)用領(lǐng)域與行業(yè)： 一
2025-03-24 16:42:451430 通快霍廷格電子等離子體射頻及直流電源為晶圓制造的沉積、刻蝕和離子注入等關(guān)鍵工藝提供精度、質(zhì)量和效率的有力保障。 立足百年電源研發(fā)經(jīng)驗，通快霍廷格電子將持續(xù)通過創(chuàng)新等離子體電源解決方案，助力半導體產(chǎn)業(yè)
2025-03-24 09:12:28561 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LGK一40型空氣等離子弧切割機電氣原理圖.pdf》資料免費下載
2025-03-21 16:30:23
9 氬離子拋光技術(shù)的核心氬離子拋光技術(shù)的核心在于利用高能氬離子束對樣品表面進行精確的物理蝕刻。在拋光過程中，氬離子束與樣品表面的原子發(fā)生彈性碰撞，使表面原子或分子被濺射出來。這種濺射作用能夠在不引
2025-03-19 11:47:26626 
氬離子拋光技術(shù)又稱CP截面拋光技術(shù)，是利用氬離子束對樣品進行拋光，可以獲得表面平滑的樣品，而不會對樣品造成機械損害。去除損傷層，從而得到高質(zhì)量樣品，用于在SEM，光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像
2025-03-17 16:27:36799 
等離子體光譜儀（ICP-OES）憑借其高靈敏度、高分辨率以及能夠同時測定多種元素的顯著特點，在眾多領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。它以電感耦合等離子體（ICP）作為激發(fā)源，將樣品原子化、電離并激發(fā)至高能級，隨后
2025-03-12 13:43:573379 
光學材料在許多現(xiàn)代應(yīng)用中都是必不可少的，但控制材料表面反射光的方式既昂貴又困難?，F(xiàn)在，在最近的一項研究中，來自日本的研究人員發(fā)現(xiàn)了一種利用等離子體調(diào)整鉛筆芯樣品反射光譜的簡單而低成本的方法。他們
2025-03-11 06:19:55636 
，驅(qū)動并維持等離子體電流，產(chǎn)生自舉電流，進而維持等離子體的平衡和約束，確保核聚變反應(yīng)持續(xù)進行。
▍輔助系統(tǒng)供能
為真空系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)等輔助設(shè)備供電，保障這些系統(tǒng)的正常運行，為托卡馬克裝置營造穩(wěn)定
2025-03-10 18:56:12
氬離子拋光技術(shù)作為一種先進的材料表面處理方法，該技術(shù)的核心原理是利用氬離子束對樣品表面進行精細拋光，通過精確控制離子束的能量、角度和作用時間，實現(xiàn)對樣品表面的無損傷處理，從而獲得高質(zhì)量的表面效果
2025-03-10 10:17:50937 
氬離子切割與拋光技術(shù)是現(xiàn)代材料科學研究中不可或缺的樣品表面制備手段。其核心原理是利用寬離子束（約1毫米）對樣品進行精確加工，通過離子束的物理作用去除樣品表面的損傷層或多余部分，從而為后續(xù)的微觀結(jié)構(gòu)
2025-03-06 17:21:19762 
EBSD樣品制備EBSD樣品的制備過程對實驗結(jié)果的準確性和可靠性有著極為重要的影響。目前，常用的EBSD樣品制備方法包括機械拋光、電解拋光和聚焦離子束（FIB）等，但這些方法各有其局限性。1.
2025-03-03 15:48:01692 
隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設(shè)計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關(guān)重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化層、負偏壓溫度不穩(wěn)定性、等離子體誘發(fā)損傷、應(yīng)力遷移等問題的影響，從而影響集成電路可靠性。
2025-03-01 15:58:151548 
微觀結(jié)構(gòu)的分析氬離子束拋光技術(shù)作為一種先進的材料表面處理方法，憑借其精確的工藝參數(shù)控制，能夠有效去除樣品表面的損傷層，為高質(zhì)量的成像和分析提供理想的樣品表面。這一技術(shù)廣泛應(yīng)用于掃描電子顯微鏡（SEM
2025-02-26 15:22:11618 
氬離子拋光技術(shù)作為一種前沿的材料表面處理手段，憑借其高效能與精細效果的結(jié)合，為眾多領(lǐng)域帶來了突破性的解決方案。它通過低能量離子束對材料表面進行精準加工，不僅能夠快速實現(xiàn)拋光效果，還能在微觀尺度上保留
2025-02-24 22:57:14774 
氬離子拋光技術(shù)憑借其獨特的原理和顯著的優(yōu)勢，在精密樣品制備領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。該技術(shù)以氬氣為介質(zhì)，在真空環(huán)境下，通過電離氬氣產(chǎn)生氬離子束，對樣品表面進行精準轟擊，實現(xiàn)物理蝕刻，從而去除表面損傷層
2025-02-21 14:51:49762 
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源適用于各類真空設(shè)備, 實現(xiàn)離子清洗 PC, 離子刻蝕 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光 IBF 等工藝. 在真空環(huán)境下, 通過
2025-02-20 14:24:151043 了堅實有力的技術(shù)支撐。SEM分析在這之前，樣品的制備是至關(guān)重要的一步。傳統(tǒng)的研磨和拋光方法雖然在一定程度上能夠滿足樣品表面處理的需求，但往往會對樣品表面造成不可逆
2025-02-20 12:05:02584 
和公共健康研究至關(guān)重要。綜述了現(xiàn)有的氟分析方法，重點探討了近年來發(fā)展的基于電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)技術(shù)的氟分析方法及應(yīng)用，深入討論了這類方法如何通過質(zhì)量轉(zhuǎn)移策略，
2025-02-19 13:57:431704 
束可以被聚焦到非常小的尺寸，從而實現(xiàn)很高的空間分辨率。FIB（聚焦離子束）是將液態(tài)金屬（大多數(shù)FIB都用Ga，也有設(shè)備具有He和Ne離子源）離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子
2025-02-14 12:49:241871 
本案例展示了EDFA中的兩種離子-離子相互作用效應(yīng)：
1.均勻上轉(zhuǎn)換（HUC）
2.非均勻離子對濃度淬滅（PIQ）
離子-離子相互作用效應(yīng)涉及稀土離子之間的能量轉(zhuǎn)移問題。當稀有離子的局部濃度變得足夠
2025-02-13 08:53:27
等離子清洗機的基本結(jié)構(gòu)大致相同,一般由真空室、真空泵、高頻電源、電極、氣體導入系統(tǒng)、工件傳送系統(tǒng)和控制系統(tǒng)等部分組成?？梢酝ㄟ^選用不同種類的氣體和調(diào)整裝置的特征參數(shù)等方法滿足不同的清洗用途和要求,使
2025-02-11 16:37:51726 氬離子束拋光技術(shù)（ArgonIonBeamPolishing,AIBP），一種先進的材料表面處理工藝，它通過精確控制的氬離子束對樣品表面進行加工，以實現(xiàn)平滑無損傷的拋光效果。技術(shù)概述氬離子束拋光技術(shù)
2025-02-10 11:45:38923 
氬離子拋光技術(shù)的原理氬離子拋光技術(shù)基于物理濺射機制。其核心過程是將氬氣電離為氬離子束，并通過電場加速這些離子，使其以特定能量和角度撞擊樣品表面。氬離子的沖擊能夠有效去除樣品表面的損傷層和雜質(zhì)，從而
2025-02-07 14:03:34867 
聚焦離子束（FIB）技術(shù)概述聚焦離子束（FIB）技術(shù)是一種通過離子源產(chǎn)生的離子束，經(jīng)過過濾和靜電磁場聚焦，形成直徑為納米級的高能離子束。這種技術(shù)用于對樣品表面進行精密加工，包括切割、拋光和刻蝕
2025-01-24 16:17:291224 
殘留，從而影響電子產(chǎn)品的功能性和可靠性。離子污染最常見的危害包括表面腐蝕和結(jié)晶生長，最終可能引發(fā)短路，導致過多電流通過連接器，造成電子產(chǎn)品損壞。因此，準確檢測離子清
2025-01-24 16:14:371268 
氬離子拋光技術(shù)氬離子束拋光技術(shù)，亦稱為CP（ChemicalPolishing）截面拋光技術(shù)，是一種先進的樣品表面處理手段。該技術(shù)通過氬離子束對樣品進行精密拋光，利用氬離子束的物理轟擊作用，精確控制
2025-01-22 22:53:04759 
等離子體（Plasma）是一種電離氣體，通過向氣體提供足夠的能量，使電子從原子或分子中掙脫束縛、釋放出來，成為自由電子而獲得，通常含有自由和隨機移動的帶電粒子（如電子、離子）和未電離的中性粒子。由于
2025-01-20 10:07:169181 
氬離子拋光技術(shù)氬離子拋光技術(shù)憑借其獨特的原理和顯著的優(yōu)勢，在精密樣品制備領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。該技術(shù)以氬氣為介質(zhì)，在真空環(huán)境下，通過電離氬氣產(chǎn)生氬離子束，對樣品表面進行精準轟擊，實現(xiàn)物理蝕刻，從而
2025-01-16 23:03:28585 
的FIB裝置是最為常見的類型，因其具有良好的分辨率和加工能力。FIB的三個基本功能1.濺射功能FIB的濺射功能是其最基礎(chǔ)的應(yīng)用之一。當Ga離子束聚焦并照射到樣品表面時，
2025-01-14 12:04:311486 
在電視技術(shù)的發(fā)展史上，等離子電視曾是家庭娛樂的中心。然而，隨著科技的進步，新的顯示技術(shù)不斷涌現(xiàn)，等離子電視逐漸退出了主流市場。本文將探討等離子電視與當前主流顯示技術(shù)——液晶顯示（LCD）、有機
2025-01-13 09:56:301904 、等離子電視的基本接口 等離子電視通常配備有多種接口，以滿足不同設(shè)備的連接需求。以下是一些常見的接口類型： HDMI接口 ：高清多媒體接口（HDMI）是目前最主流的高清視頻和音頻傳輸接口，支持1080p甚至更高的分辨率傳輸。 AV接口
2025-01-13 09:54:282044 在現(xiàn)代家庭娛樂設(shè)備中，電視是不可或缺的一部分。隨著科技的發(fā)展，電視技術(shù)也在不斷進步，從早期的顯像管電視發(fā)展到了現(xiàn)在的等離子電視和液晶電視。這兩種電視技術(shù)各有特點，消費者在選擇時往往會感到困惑。 一
2025-01-13 09:51:394001 簡介 ：
?表面等離子體激元（SPPs）是由于金屬中的自由電子和電介質(zhì)中的電磁場相互作用而在金屬表面捕獲的電磁波，并且它在垂直于界面的方向上呈指數(shù)衰減。[1]
?與絕緣體-金屬-絕緣體(IMI
2025-01-09 08:52:57
于2G、3G和4G網(wǎng)絡(luò)。以下是一些常見的FDD設(shè)備及其配置的概述： 1. 基站（Base Station） 基站是無線通信網(wǎng)絡(luò)中的關(guān)鍵設(shè)備，負責與移動設(shè)備（如手機）進行通信。在FDD系統(tǒng)中，基站會配置兩個不同的頻率：一個用于上行通信（用戶設(shè)備到基站），另一個用于下行通信（基站到用戶設(shè)備）。
2025-01-07 17:22:162139
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