擬態(tài)計(jì)算機(jī)的最大特點(diǎn)是高效能。測(cè)試表明，針對(duì)特定運(yùn)算任務(wù)的能效比可提升數(shù)十倍到數(shù)百倍。盡管擁有巨大的發(fā)展?jié)摿Γw院士表示，擬態(tài)計(jì)算機(jī)距離投入應(yīng)用，還需要突破一些理論、工程問(wèn)題。
2013-09-22 10:05:22
1423 中國(guó)紫光集團(tuán)宣布，投入快閃存儲(chǔ)器戰(zhàn)場(chǎng)，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過(guò)240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 09:05:211135 非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存（ReRAM）開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅（a-Si）為基板材料，并透過(guò)電場(chǎng)轉(zhuǎn)換機(jī)制，開發(fā)出號(hào)稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時(shí)就像先前在2016年所承諾地如期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2017-02-13 09:46:402223 目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來(lái)幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
存儲(chǔ)器(Volatile memory)。于是，存儲(chǔ)器從大類來(lái)分，可以分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。后來(lái)出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲(chǔ)，簡(jiǎn)稱閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于
2012-01-06 22:58:43
的擦除操作，而且寫人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級(jí)。即使是與現(xiàn)有存儲(chǔ)器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時(shí)間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過(guò)1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
控制信號(hào)有些不同的地方。 深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來(lái)專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM
2017-06-02 10:45:40
在使用opa380時(shí)，經(jīng)常出現(xiàn)原先正常工作的電路，突然信號(hào)值直線下降，輸出信號(hào)衰減十到百倍，但是變化趨勢(shì)一致，不可恢復(fù)，更換opa380芯片后正常
2024-07-29 06:51:17
有效處理大量單獨(dú)任務(wù)來(lái)支持復(fù)雜的預(yù)處理，并以可預(yù)測(cè)（確定性）的方式處理多重任務(wù)。當(dāng)然，這將對(duì)微控制器提出額外的要求，需要更快的時(shí)鐘速度，更重要的是，需要更多的程序存儲(chǔ)器。商業(yè)或開源成品嵌入式操作系統(tǒng)
2019-07-30 11:19:18
你好我想用7系列收發(fā)器IP，但我不知道為什么GTX可以高速運(yùn)行？為什么GTX收發(fā)器的速度比基本的IOB快？
2020-08-13 10:31:42
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問(wèn)它。 接下來(lái)，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
） 功耗小，但是成本高，壽命到期后讀不出來(lái)信息，并且難以修復(fù)。 7、光盤存儲(chǔ)器 價(jià)格低，容量大，耐用，可用于長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)。但是讀出和傳輸速度比硬盤慢得多。光盤存儲(chǔ)器三大類型：CD光盤存儲(chǔ)器，DVD 光盤存儲(chǔ)器，BD光盤存儲(chǔ)器。
2019-06-05 23:54:02
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬(wàn)量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來(lái)中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
大家好， 我的項(xiàng)目有一個(gè)閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時(shí)，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個(gè)功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
設(shè)計(jì)需求相變存儲(chǔ)器技術(shù)直接解決了當(dāng)今電子系統(tǒng)的需求:密度隨著消費(fèi)者，電腦和通訊電子系統(tǒng)的融合，所有電子系統(tǒng)中代碼均出現(xiàn)指數(shù)性增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)的增長(zhǎng)速度甚至更快.為了滿足這種增長(zhǎng)的需要，存儲(chǔ)器密度范圍不僅要
2018-05-17 09:45:35
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2021-11-10 08:28:08
摘要：磁電存儲(chǔ)器不僅存取速度快、功耗小，而且集動(dòng)態(tài)RAM、磁盤存儲(chǔ)和高速緩沖存儲(chǔ)器功能于一身，因而已成為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:372314 
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01892 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 SAN網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器的傳輸速度 傳輸速度通常是指光纖交換機(jī)的端口傳輸速度或光纖通道卡的傳輸速度。一般
2010-01-09 13:43:331964 速度提升百倍 美科學(xué)家在4英寸基體上制成石墨薄膜
美國(guó)賓夕法尼亞州立大學(xué)光電材料中心(Electro-Optics Center Materials Division：EOC)的研究人員最近成功地在4英寸(100mm)大
2010-02-05 10:22:46650 Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用供電
FAN5362提供優(yōu)化控制功能，適合低電量運(yùn)作
由于擁有
2010-09-30 11:11:201173 隨著數(shù)碼時(shí)代的來(lái)臨，除了PC外，越來(lái)越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭：移動(dòng)電話、掌上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS等等，這些產(chǎn)品越來(lái)越多的使用各種移動(dòng)微存儲(chǔ)器。這些存儲(chǔ)器中很大部分是快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:034838 
英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材
2012-05-21 10:49:43911 英國(guó)研究人員最近報(bào)告說(shuō)，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 11:22:27849 北京時(shí)間5月21日消息，三星電子成功開發(fā)出可生產(chǎn)比原有半導(dǎo)體芯片速度快百倍以上的芯片的新型基礎(chǔ)元件。
2012-05-22 14:19:365540 本應(yīng)用筆記介紹如何利用IAR嵌入式工作臺(tái)工具分配和存取MAXQ微控制器上的閃存和SRAM存儲(chǔ)器。
2012-06-21 14:44:174446 
一群韓國(guó)科學(xué)家，在蔚山現(xiàn)代科技研究所已經(jīng)研發(fā)出了一種快速充電鋰電池，比普通電池充電速度快30到120倍，這個(gè)團(tuán)隊(duì)相信他們可以最終可以推出少于一分鐘能充滿電動(dòng)汽車的新型電池
2012-08-20 11:19:574372 
在現(xiàn)在計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)中，似乎速度與存儲(chǔ)持久性不可兼得。RAM速度很快，但存儲(chǔ)時(shí)間不長(zhǎng)，硬盤與閃存則相反。而今，一種原型存儲(chǔ)設(shè)備打破了這種限制，實(shí)現(xiàn)了速度快、數(shù)據(jù)存放長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
2013-06-14 10:31:11809 5G網(wǎng)絡(luò)比現(xiàn)行4G網(wǎng)絡(luò)的傳輸速度快數(shù)百倍，整部超高畫質(zhì)電影可在1秒之內(nèi)下載完成。隨著5G技術(shù)的誕生，用智能終端分享3D電影、游戲以及超高畫質(zhì)（UHD）節(jié)目的時(shí)代已向我們走來(lái)。
2013-06-17 09:31:552016 是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。 由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 14:11:3723692 可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 15:16:1716975 閃存存儲(chǔ)器是寄存器嗎？ 很明顯不是 ，一個(gè)屬于儲(chǔ)存器，一個(gè)是寄存器。那么寄存器和存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢？ 1、從范圍來(lái)看 寄存器在CPU的內(nèi)部，它的訪問(wèn)速度快，但容量小（8086微處理器只有14個(gè)16位
2017-10-11 17:12:2112474 15.3 高速緩沖存儲(chǔ)器Cache 當(dāng)?shù)谝淮鶵ISC微處理器剛出現(xiàn)時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器元件的速度比當(dāng)時(shí)微處理器的速度快。很快，半導(dǎo)體工藝技術(shù)的進(jìn)展被用來(lái)提高微處理器的速度。標(biāo)準(zhǔn)DRAM部件雖然也快了一些
2017-10-17 16:36:21
1 flash存儲(chǔ)器，及閃速存儲(chǔ)器，這一類型的存儲(chǔ)器具有速度快、方便等特點(diǎn)，是人們使用電腦辦公或者娛樂(lè)時(shí)必備的工具。
2017-10-30 08:54:3434724 高速緩沖存儲(chǔ)器是存在于主存與CPU之間的一級(jí)存儲(chǔ)器， 由靜態(tài)存儲(chǔ)芯片（SRAM）組成，容量比較小但速度比主存高得多， 接近于CPU的速度。在計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展過(guò)程中，主存儲(chǔ)器存取速度一直比中央處理器操作速度慢得多
2017-11-15 10:08:0811646 高速緩沖
存儲(chǔ)器（Cache）其原始意義是指存取
速度比一般隨機(jī)存取記憶體（RAM）來(lái)得
快的一種RAM基于緩存的
存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)行之有效，是因?yàn)檩^慢的
存儲(chǔ)設(shè)備比較快的
存儲(chǔ)設(shè)備更便宜，還因?yàn)槌绦蛲故揪植啃裕?/div>
2017-12-06 17:35:4211320 
存儲(chǔ)器芯片價(jià)格還在上漲的同時(shí)，質(zhì)量就決定勝負(fù)的重要關(guān)鍵，對(duì)旺宏而言，2017年的業(yè)績(jī)大幅成長(zhǎng)，完整產(chǎn)品組合，提供一站式的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器專業(yè)供應(yīng)商低容量快閃存儲(chǔ)器重現(xiàn)商機(jī)。
2017-12-18 13:09:161372 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:392098 科學(xué)家已經(jīng)發(fā)現(xiàn)一種使小麥生長(zhǎng)速度比正常速度快兩倍的種植方法，可為供養(yǎng)全世界迅速增長(zhǎng)的人口做出一點(diǎn)貢獻(xiàn)。
2018-01-19 14:18:405012 有“中東硅谷”之稱的以色列高科技發(fā)達(dá)，其芯片產(chǎn)業(yè)和半導(dǎo)體技術(shù)尤其令人矚目，每年創(chuàng)造的出口額占以色列總出口額的20%以上。眼下，以色列正在研發(fā)體型更小、速度比傳統(tǒng)芯片快100倍的超級(jí)芯片，前景令人充滿期待。
2018-06-21 11:28:002641 旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來(lái)
2018-02-01 05:34:011484 
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 據(jù)報(bào)道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長(zhǎng)繆向水及其團(tuán)隊(duì)正在研制一款基于相變存儲(chǔ)器的3D XPOINT存儲(chǔ)技術(shù)。他估計(jì)，在這項(xiàng)技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會(huì)比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
2018-06-20 09:07:002366 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004980 近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲(chǔ)技術(shù)，寫入速度比目前U盤快一萬(wàn)倍，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間也可自行決定。這解決了國(guó)際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。
2018-04-13 10:05:095898 
日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過(guò)因 QLC 快閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:002758 最近的新聞報(bào)導(dǎo)指出，英特爾(Intel)與美光(Micron)閃存研發(fā)策略聯(lián)盟的分手，肇因于對(duì)未來(lái)3D NAND Flash發(fā)展的看法差異，想來(lái)合理，且早有征兆。
2018-06-13 16:31:453785 鋰電池已經(jīng)成為當(dāng)前純電動(dòng)汽車上的主流技術(shù)，但電池續(xù)航里程段、充電速度慢卻時(shí)常被人詬病。近日一家法國(guó)初創(chuàng)公司稱正在研發(fā)中的新型電池，比加油快3倍，可以連續(xù)100萬(wàn)次循環(huán)使用，將會(huì)打破電動(dòng)汽車行業(yè)充電難、充電慢的困局。
2018-06-20 10:59:003535 將存儲(chǔ)器帶寬提升了20倍，而相比競(jìng)爭(zhēng)性存儲(chǔ)器技術(shù)，則將單位比特功耗降低4倍。這些新型器件專為滿足諸如機(jī)器學(xué)習(xí)、以太網(wǎng)互聯(lián)、8K視頻和雷達(dá)等計(jì)算密集型應(yīng)用所需的更高存儲(chǔ)器帶寬而打造，同時(shí)還提供CCIX IP，支持任何CCIX處理器的緩存一致性加速，滿足計(jì)算加速應(yīng)用要求。
2018-07-31 09:00:003068 本32X8 FIFO的設(shè)計(jì),采用了雙體存儲(chǔ)器的交替讀寫機(jī)制,使得在對(duì)其中一個(gè)存儲(chǔ)器寫操作的同時(shí)可以對(duì)另一個(gè)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀操作;對(duì)其中一個(gè)存儲(chǔ)器讀操作的同時(shí)可以對(duì)另一個(gè)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫操作。實(shí)現(xiàn)了高速數(shù)據(jù)緩沖,速度比單體存儲(chǔ)器的FIFO提高了一倍。
2018-12-30 10:29:004312 
此前，XJTAG 推出了一類集成型XJFlash特性，使閃存編程速度快50倍。 XJFlash 讓工程師自動(dòng)生成定制的編程解決方案，克服采用邊界掃描對(duì)與FPGA連接的快閃內(nèi)存進(jìn)行編程時(shí)的速度
2018-09-20 07:28:003298 多年來(lái)，該行業(yè)一直致力于各種存儲(chǔ)技術(shù)的研究，包括碳納米管RAM、FRAM、MRAM、相變存儲(chǔ)器和ReRAM。有些已推出，有些仍在研發(fā)中。這些不同類型的存儲(chǔ)器都對(duì)應(yīng)特定的應(yīng)用領(lǐng)域，但都勢(shì)必將在存儲(chǔ)器家族中取代一個(gè)或者多個(gè)傳統(tǒng)型存儲(chǔ)。
2018-09-05 15:51:1210175 在區(qū)塊鏈游戲分發(fā)平臺(tái)BlockGame看來(lái)，目前游戲行業(yè)正處于瓶頸期，區(qū)塊鏈技術(shù)的出現(xiàn)為游戲市場(chǎng)帶來(lái)了增長(zhǎng)十倍百倍的可能性。
2018-10-09 11:35:20991 出樣40nm ReRAM存儲(chǔ)芯片，更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來(lái)，這種新型存儲(chǔ)芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:163536 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來(lái)，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無(wú)論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902 
阿里云圖像識(shí)別速度創(chuàng)紀(jì)錄，比AWS快2.36倍，比谷歌快5.28倍 12月25日，斯坦福大學(xué)發(fā)布了最新的DAWNBench深度學(xué)習(xí)推理榜單，阿里云獲得了圖像識(shí)別性能及成本雙料冠軍，打破了亞馬遜保持
2018-12-27 12:51:01375 和RAM一樣快的永久存儲(chǔ)被廣泛認(rèn)為會(huì)使服務(wù)器和存儲(chǔ)行業(yè)擺脫一年或三年的換代周期，而這個(gè)改變?nèi)缃耠S著美國(guó)公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)樣品更近了一步。
2019-03-16 10:34:081351 存儲(chǔ)器市況不明，針對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)趨勢(shì)，存儲(chǔ)器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）價(jià)格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個(gè)位數(shù)百分比；而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48802 業(yè)界普遍認(rèn)為未來(lái)從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向，蘭開斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲(chǔ)器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
2019-06-25 09:16:233652 百倍幣顧名思義就是幣價(jià)會(huì)從最初的募資階段到某個(gè)時(shí)點(diǎn)上漲百倍，而幣價(jià)要上漲百倍也就意味著市值大概也要上漲百倍。
2019-07-18 14:41:426050 的次數(shù)比NOR Flash要少，但是可以通過(guò)軟件控制存儲(chǔ)位置，利用其更高存儲(chǔ)密度的特點(diǎn)，讓每個(gè)位置被寫的次數(shù)控制得均勻一些，這對(duì)延長(zhǎng)存儲(chǔ)器壽命具有重要作用。
2019-08-30 09:04:494797 
馬云親自推進(jìn)的人工智能項(xiàng)目有了重大突破。據(jù)介紹，該項(xiàng)目用于攻克心血管，比之傳統(tǒng)醫(yī)療手段能提速百倍。
2019-08-19 09:11:012074 快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)（對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng)，否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:001166 區(qū)別于機(jī)械硬盤，SSD依靠電信號(hào)傳輸，主控能在極短的時(shí)間內(nèi)存取在不同閃存顆粒上的多個(gè)數(shù)據(jù)，所以要比機(jī)械硬盤的讀寫速度快上幾百倍甚至更高。
2019-11-30 11:19:031962 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:453512 EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運(yùn)行速度也比目前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。他們發(fā)明的納米級(jí)設(shè)備能夠產(chǎn)生高功率太赫茲波。
2020-03-28 14:12:202865 EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍器件，并且新設(shè)備在運(yùn)行速度上也比當(dāng)前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
2020-04-02 11:55:352769 國(guó)外科學(xué)家稱，在取得重大突破后，激光傳輸數(shù)據(jù)的速度將比目前的互聯(lián)網(wǎng)電纜快1000倍。
2020-04-02 16:46:354115 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:573524 
因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生，也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器，但也是最貴的，也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍，功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2020-11-17 16:33:39982 近日，Cloudam云端與國(guó)內(nèi)某知名藥企與合作，通過(guò)接入Cloudam云端自主研發(fā)的云E云超算服務(wù)，計(jì)算效率提高的數(shù)百倍。這也是云算力在生命科學(xué)領(lǐng)域的又一次成功應(yīng)用。Cloudam云端云E云超算服務(wù)是如何幫助該藥企實(shí)現(xiàn)計(jì)算效率數(shù)百倍的提升呢？
2021-03-17 10:53:09547 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281719 FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
2021-07-27 10:36:091676 集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過(guò)100萬(wàn)億次
2021-11-05 17:35:5918 FRAM（鐵電RAM）是一種寫入速度快的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器（如 EEPROM、閃存）相比，鐵電存儲(chǔ)器不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低
2021-11-11 16:24:092080 根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲(chǔ)器(MASK ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:215447 。 據(jù)了解，在新型存儲(chǔ)器中，相變存儲(chǔ)器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術(shù)最成熟的存儲(chǔ)技術(shù)。 2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲(chǔ)芯片，速度和壽命比固態(tài)閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十倍。 然而，由于在相變過(guò)程中需
2022-01-21 13:15:001047 基于上述因素，越來(lái)越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器，比如相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 兩種最常見的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的，對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快。鐵電存儲(chǔ)器介于兩者之間，并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:044097 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:464760 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)镈RAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:035687 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來(lái)內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，寄存器（Register）通常是速度最快的存儲(chǔ)器。寄存器是位于中央處理器（CPU）內(nèi)部的小型、高速存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)指令、數(shù)據(jù)和地址等臨時(shí)信息。
2024-02-05 09:43:598089 非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:152048 
高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache），通常簡(jiǎn)稱為緩存，是一種具有高速存取能力的存儲(chǔ)器。其原始意義是指存取速度比一般隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）更快的一種RAM。高速緩沖存儲(chǔ)器一般采用靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM
2024-09-10 14:09:284405 在探討存儲(chǔ)器中訪問(wèn)速度最快的是哪一種時(shí)，我們首先需要了解計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)以及各類存儲(chǔ)器的特性和功能。計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)通常包括多個(gè)層次的存儲(chǔ)器，從速度最快、容量最小的寄存器開始，到速度較慢、容量較大的外存儲(chǔ)器結(jié)束。這些存儲(chǔ)器在訪問(wèn)速度、容量、價(jià)格等方面各有優(yōu)劣，共同構(gòu)成了計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)體系。
2024-10-12 17:01:055359 內(nèi)存儲(chǔ)器，通常指的是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），是計(jì)算機(jī)硬件的重要組成部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)運(yùn)行時(shí)的數(shù)據(jù)和程序，以便處理器快速訪問(wèn)。內(nèi)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)包括速度快、容量相對(duì)較小，但成本并不是
2024-10-14 10:05:472280 EMMC存儲(chǔ)器概述 EMMC存儲(chǔ)器是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)卡，它集成了閃存芯片和控制器，提供了一種即插即用的存儲(chǔ)解決方案。與傳統(tǒng)的NAND閃存相比，EMMC具有更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更高
2024-12-25 09:26:254058 存儲(chǔ)器則通過(guò)引入創(chuàng)新的擦除編程電路技術(shù)和高速靈敏度放大器，實(shí)現(xiàn)了對(duì)所有存儲(chǔ)單元的同時(shí)、快速擦除。這種高效的擦除速度，使得閃速存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)更新和維護(hù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，因此被形象地稱為“閃速”。
2025-01-29 15:14:001379 我國(guó)新型芯片的研發(fā)正加速突破，日前；北京大學(xué)人工智能研究院傳來(lái)好消息，突破瓶頸!中國(guó)成功研制新型芯片 ；在求解大規(guī)模MIMO信號(hào)檢測(cè)時(shí)效能提升超百倍。 據(jù)悉，該突破性成果由北京大學(xué)人工智能研究院孫仲
2025-10-23 16:05:402707 
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