擬態(tài)計(jì)算機(jī)的最大特點(diǎn)是高效能。測(cè)試表明，針對(duì)特定運(yùn)算任務(wù)的能效比可提升數(shù)十倍到數(shù)百倍。盡管擁有巨大的發(fā)展?jié)摿?，但鄔院士表示，擬態(tài)計(jì)算機(jī)距離投入應(yīng)用，還需要突破一些理論、工程問題。
2013-09-22 10:05:22
1423 中國(guó)紫光集團(tuán)宣布，投入快閃存儲(chǔ)器戰(zhàn)場(chǎng)，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 09:05:211135 非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存（ReRAM）開發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅（a-Si）為基板材料，并透過電場(chǎng)轉(zhuǎn)換機(jī)制，開發(fā)出號(hào)稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時(shí)就像先前在2016年所承諾地如期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
2017-02-13 09:46:402223 盧志遠(yuǎn)分析，NOR型快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)有同業(yè)退出，整體供給保守，需求又明顯成長(zhǎng)下，明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴(kuò)產(chǎn)主要是供應(yīng)低端市場(chǎng)，對(duì)旺宏不會(huì)有所影響。
2017-07-26 08:12:14944 目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
存儲(chǔ)器(Volatile memory)。于是，存儲(chǔ)器從大類來分，可以分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器。后來出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲(chǔ)，簡(jiǎn)稱閃存)，掉電后數(shù)據(jù)也不容易丟失，所以也屬于
2012-01-06 22:58:43
-----ROM Read Only Memory，顧名思義，它是一種只能讀出事先所存的數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。ROM中所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，一旦存儲(chǔ)數(shù)據(jù)就再也無法將之改變或者刪除，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)消失
2021-12-10 06:34:11
的擦除操作，而且寫人時(shí)間也比閃存少幾個(gè)數(shù)量級(jí)。即使是與現(xiàn)有存儲(chǔ)器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時(shí)間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM
2023-04-07 16:41:05
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存
器），各種各樣的
閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
控制信號(hào)有些不同的地方。 深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM
2017-06-02 10:45:40
在使用opa380時(shí)，經(jīng)常出現(xiàn)原先正常工作的電路，突然信號(hào)值直線下降，輸出信號(hào)衰減十到百倍，但是變化趨勢(shì)一致，不可恢復(fù)，更換opa380芯片后正常
2024-07-29 06:51:17
啟動(dòng)模式講完了，我們知道是主閃存存儲(chǔ)器啟動(dòng)的。主閃存存儲(chǔ)器被映射到啟動(dòng)空間(0x0000 0000)，但仍然能夠在它原有的地址(0x0800 0000)訪問它。 接下來，再看一下它的啟動(dòng)流程是怎樣
2021-08-20 07:29:53
?！ ?、硬盤存儲(chǔ)器 信息可以長(zhǎng)期保存，可以讀寫，容量大，但是不方便攜帶?！ ?、移動(dòng)存儲(chǔ)器 主要包括閃存盤（優(yōu)盤）、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤（SSD）?！ ?、閃存盤（優(yōu)盤） 采用Flash存儲(chǔ)器（閃存
2019-06-05 23:54:02
據(jù)新華社7月2日?qǐng)?bào)道，相變存儲(chǔ)器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界稱為下一代存儲(chǔ)技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國(guó)際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲(chǔ)器現(xiàn)已成功應(yīng)用在打印機(jī)領(lǐng)域，并實(shí)現(xiàn)千萬量級(jí)市場(chǎng)化銷售，未來中國(guó)在該領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
大家好， 我的項(xiàng)目有一個(gè)閃存，用于將Xilinx FPGA配置為SPI模式。同時(shí)，我想將閃存用作內(nèi)存。這意味著閃存有兩個(gè)功能：配置FPGA和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。那么，我該怎么辦呢？閃存中的配置引腳是否用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器引腳？謝謝。最好的祝福。
2020-06-08 12:20:31
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存
2019-07-23 06:15:10
我用的labview幫助中的計(jì)數(shù)器輸入案例vi來采集頻率的，但是采集的頻率比正常大百倍，并且變化幅度也較大，求大佬解答
2021-05-08 13:17:06
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-19 11:53:09
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲(chǔ)器的東西肯定不容易進(jìn)行寫入操作，而事實(shí)上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器則都具有寫入信息困難的特點(diǎn)。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-21 10:49:57
集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-10 08:28:08
S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲(chǔ)器 1.8 V帶CMOS I/O的單電源 具有多I/O的串行外圍接口
2023-02-07 14:23:17
意法半導(dǎo)體(ST)公司近日推出新型8Mb串行閃存存儲(chǔ)器——M25PE80，以增加網(wǎng)絡(luò)管理功能。此款串行閃存還為采用Intel945 Express芯片組
2006-03-13 13:08:06668 摘要：磁電存儲(chǔ)器不僅存取速度快、功耗小，而且集動(dòng)態(tài)RAM、磁盤存儲(chǔ)和高速緩沖存儲(chǔ)器功能于一身，因而已成為動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)。文章總結(jié)了磁電
2006-03-24 13:01:372314 
摘 要： 本文簡(jiǎn)單介紹了鐵電存儲(chǔ)器、磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器這三種比較有發(fā)展?jié)摿?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器的原理、研究進(jìn)展及存在的問題等。引言 更高密度、更大帶寬、更
2006-03-24 13:32:182972 
Micron美光公司因其DRAM和NAND快閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng)
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236 旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器
全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01892 相變存儲(chǔ)器：能實(shí)現(xiàn)全新存儲(chǔ)器使用模型的新型存儲(chǔ)器
從下面的幾個(gè)重要特性看，相變存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)均符合當(dāng)前電子系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 Farichild降壓轉(zhuǎn)換器 有效為高容量SD快閃存儲(chǔ)器應(yīng)用供電
FAN5362提供優(yōu)化控制功能，適合低電量運(yùn)作
由于擁有
2010-09-30 11:11:201173 隨著數(shù)碼時(shí)代的來臨，除了PC外，越來越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭：移動(dòng)電話、掌上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS等等，這些產(chǎn)品越來越多的使用各種移動(dòng)微存儲(chǔ)器。這些存儲(chǔ)器中很大部分是快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:034838 
英國(guó)研究人員最近報(bào)告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。
2012-05-21 08:45:53652 英國(guó)研究人員最近報(bào)告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材
2012-05-21 10:49:43911 北京時(shí)間5月21日消息，三星電子成功開發(fā)出可生產(chǎn)比原有半導(dǎo)體芯片速度快百倍以上的芯片的新型基礎(chǔ)元件。
2012-05-22 14:19:365540 本應(yīng)用筆記介紹如何利用IAR嵌入式工作臺(tái)工具分配和存取MAXQ微控制器上的閃存和SRAM存儲(chǔ)器。
2012-06-21 14:44:174446 
一群韓國(guó)科學(xué)家，在蔚山現(xiàn)代科技研究所已經(jīng)研發(fā)出了一種快速充電鋰電池，比普通電池充電速度快30到120倍，這個(gè)團(tuán)隊(duì)相信他們可以最終可以推出少于一分鐘能充滿電動(dòng)汽車的新型電池
2012-08-20 11:19:574372 
韓國(guó)蔚山科技大學(xué)的一個(gè)科研小組，開發(fā)出一種充電速度比傳統(tǒng)鋰電池快30到120倍的新型鋰電池。這個(gè)小組相信，可用它為電動(dòng)汽車制造一個(gè)電池組，這樣給汽車充滿電需要不到一分
2012-09-03 22:07:321857 在現(xiàn)在計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)中，似乎速度與存儲(chǔ)持久性不可兼得。RAM速度很快，但存儲(chǔ)時(shí)間不長(zhǎng)，硬盤與閃存則相反。而今，一種原型存儲(chǔ)設(shè)備打破了這種限制，實(shí)現(xiàn)了速度快、數(shù)據(jù)存放長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。
2013-06-14 10:31:11809 5G網(wǎng)絡(luò)比現(xiàn)行4G網(wǎng)絡(luò)的傳輸速度快數(shù)百倍，整部超高畫質(zhì)電影可在1秒之內(nèi)下載完成。隨著5G技術(shù)的誕生，用智能終端分享3D電影、游戲以及超高畫質(zhì)（UHD）節(jié)目的時(shí)代已向我們走來。
2013-06-17 09:31:552016 是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。 由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 14:11:3723692 FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:469157 可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、
2017-10-11 15:16:1716975 閃存存儲(chǔ)器是寄存器嗎？ 很明顯不是 ，一個(gè)屬于儲(chǔ)存器，一個(gè)是寄存器。那么寄存器和存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢？ 1、從范圍來看 寄存器在CPU的內(nèi)部，它的訪問速度快，但容量?。?086微處理器只有14個(gè)16位
2017-10-11 17:12:2112474 ，但其發(fā)展的主要精力則放在提高存儲(chǔ)容量上。 1980年，典型DRAM部件的容量為4KB。1981年和1982年開發(fā)出了16KB芯片。這些部件的隨機(jī)訪問速率為3MHz或4MHz，局部訪問（頁模式）時(shí)速率大約快1倍。當(dāng)時(shí)的微處理器每秒需要訪問存儲(chǔ)器2M次。 到2000年，DRAM部件每片的容量
2017-10-17 16:36:21
1 存儲(chǔ)器芯片價(jià)格還在上漲的同時(shí)，質(zhì)量就決定勝負(fù)的重要關(guān)鍵，對(duì)旺宏而言，2017年的業(yè)績(jī)大幅成長(zhǎng)，完整產(chǎn)品組合，提供一站式的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器專業(yè)供應(yīng)商低容量快閃存儲(chǔ)器重現(xiàn)商機(jī)。
2017-12-18 13:09:161372 速率的8 I/O高功能OctaFlash Serial NOR快閃存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品，資料傳輸速度更一舉突破250MHz而拔得頭籌。
2018-01-02 10:06:392098 旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示，2017年在NOR型快閃存儲(chǔ)器的市占率約30%，為全球霸主。另外，小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%，旺宏并預(yù)計(jì)NOR型快閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來
2018-02-01 05:34:011484 
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 據(jù)報(bào)道，華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長(zhǎng)繆向水及其團(tuán)隊(duì)正在研制一款基于相變存儲(chǔ)器的3D XPOINT存儲(chǔ)技術(shù)。他估計(jì)，在這項(xiàng)技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片，其讀寫速度會(huì)比現(xiàn)在快1000倍，可靠性也將提高1000倍。
2018-06-20 09:07:002366 耶魯大學(xué)和IBM華生研究中心的研究人員一直在新型相變存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域開展合作，目標(biāo)是使具有潛在革命性的相變存儲(chǔ)技術(shù)更具實(shí)用性和可行性。 近年來，相變存儲(chǔ)器技術(shù)作為一種能改變游戲規(guī)則的新興技術(shù)，逐漸成為替代計(jì)算機(jī)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的潛在選擇。
2018-06-13 09:26:001968 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646 代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004980 的修改，您可以在引導(dǎo)閃存中存放例程和常量數(shù)據(jù)；這樣就擴(kuò)展了PlC32 MCU的程序存儲(chǔ)器。例如，帶有128 KB閃存的器件實(shí)際上有140 KB可用。使用引導(dǎo)閃存沒有任何不利，因?yàn)樗挥诳筛咚倬彺娴?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器中。 本文檔說明如何把一半引導(dǎo)閃存劃撥給應(yīng)用代
2018-04-20 14:28:343 日前，東芝（TOSHIBA）、西數(shù)（WD）等存儲(chǔ)器大廠分別宣布推出 96 層堆棧的 QLC 快閃存儲(chǔ)器，核心容量可達(dá) 1.33TB，單一模塊就可做到 2.66TB 容量。不過因 QLC 快閃存儲(chǔ)器
2018-07-26 18:01:002758 最近的新聞報(bào)導(dǎo)指出，英特爾(Intel)與美光(Micron)閃存研發(fā)策略聯(lián)盟的分手，肇因于對(duì)未來3D NAND Flash發(fā)展的看法差異，想來合理，且早有征兆。
2018-06-13 16:31:453785 鋰電池已經(jīng)成為當(dāng)前純電動(dòng)汽車上的主流技術(shù)，但電池續(xù)航里程段、充電速度慢卻時(shí)常被人詬病。近日一家法國(guó)初創(chuàng)公司稱正在研發(fā)中的新型電池，比加油快3倍，可以連續(xù)100萬次循環(huán)使用，將會(huì)打破電動(dòng)汽車行業(yè)充電難、充電慢的困局。
2018-06-20 10:59:003535 將存儲(chǔ)器帶寬提升了20倍，而相比競(jìng)爭(zhēng)性存儲(chǔ)器技術(shù)，則將單位比特功耗降低4倍。這些新型器件專為滿足諸如機(jī)器學(xué)習(xí)、以太網(wǎng)互聯(lián)、8K視頻和雷達(dá)等計(jì)算密集型應(yīng)用所需的更高存儲(chǔ)器帶寬而打造，同時(shí)還提供CCIX IP，支持任何CCIX處理器的緩存一致性加速，滿足計(jì)算加速應(yīng)用要求。
2018-07-31 09:00:003068 在區(qū)塊鏈游戲分發(fā)平臺(tái)BlockGame看來，目前游戲行業(yè)正處于瓶頸期，區(qū)塊鏈技術(shù)的出現(xiàn)為游戲市場(chǎng)帶來了增長(zhǎng)十倍百倍的可能性。
2018-10-09 11:35:20991 出樣40nm ReRAM存儲(chǔ)芯片，更先進(jìn)的28nm工藝版很快也會(huì)到來，這種新型存儲(chǔ)芯片比NAND閃存快一千倍，耐用一千倍。
2018-11-01 16:07:163536 外儲(chǔ)存器是指除計(jì)算機(jī)內(nèi)存及CPU緩存以外的儲(chǔ)存器，此類儲(chǔ)存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)。本視頻主要介紹了外存儲(chǔ)器有哪些，分別是軟盤存儲(chǔ)器、硬盤存儲(chǔ)器、移動(dòng)存儲(chǔ)器、閃存盤（優(yōu)盤）、移動(dòng)硬盤以及固態(tài)硬盤（SSD）等。
2018-11-24 11:15:0265089 盡管ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲(chǔ)器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個(gè)技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會(huì)低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902 
和RAM一樣快的永久存儲(chǔ)被廣泛認(rèn)為會(huì)使服務(wù)器和存儲(chǔ)行業(yè)擺脫一年或三年的換代周期，而這個(gè)改變?nèi)缃耠S著美國(guó)公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)樣品更近了一步。
2019-03-16 10:34:081351 存儲(chǔ)器市況不明，針對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)趨勢(shì)，存儲(chǔ)器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）價(jià)格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約在低個(gè)位數(shù)百分比；而動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）則預(yù)估持續(xù)跌至年底。
2019-05-06 16:23:48802 群聯(lián)搶搭儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）需求爆發(fā)商機(jī) ，今年在臺(tái)北國(guó)際電腦展（ Computex）展出的高端儲(chǔ)存系列產(chǎn)品受到市場(chǎng)矚目，預(yù)料在進(jìn)入5G后，將成為各大應(yīng)領(lǐng)用領(lǐng)域新寵，也成為群聯(lián)獲利利器。
2019-06-04 17:02:223583 業(yè)界普遍認(rèn)為未來從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值，但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外，數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前，新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向，蘭開斯特大學(xué)（Lancaster University）的研究人員最近發(fā)表論文稱其研究的新型存儲(chǔ)器可以兼具穩(wěn)定、高速、超低功耗的優(yōu)點(diǎn)。
2019-06-25 09:16:233652 百倍幣顧名思義就是幣價(jià)會(huì)從最初的募資階段到某個(gè)時(shí)點(diǎn)上漲百倍，而幣價(jià)要上漲百倍也就意味著市值大概也要上漲百倍。
2019-07-18 14:41:426050 的次數(shù)比NOR Flash要少，但是可以通過軟件控制存儲(chǔ)位置，利用其更高存儲(chǔ)密度的特點(diǎn)，讓每個(gè)位置被寫的次數(shù)控制得均勻一些，這對(duì)延長(zhǎng)存儲(chǔ)器壽命具有重要作用。
2019-08-30 09:04:494797 
馬云親自推進(jìn)的人工智能項(xiàng)目有了重大突破。據(jù)介紹，該項(xiàng)目用于攻克心血管，比之傳統(tǒng)醫(yī)療手段能提速百倍。
2019-08-19 09:11:012074 英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)（Lancaster University )的科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機(jī)的
新型計(jì)算機(jī)
存儲(chǔ)器并獲得了專利。在科學(xué)報(bào)告中發(fā)表的研究報(bào)告中描述了這種電子
存儲(chǔ)設(shè)備，據(jù)說它將以超低的能耗改變?nèi)粘Ｉ睢?/div>
2019-09-03 16:19:30792 快閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)（對(duì)于大的存儲(chǔ)器或存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘）。因此，此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng)，否則快閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:001166 浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院趙毅教授課題組研發(fā)出一種低成本、低功耗的新型存儲(chǔ)器。這項(xiàng)基于可工業(yè)化生產(chǎn)的半導(dǎo)體集成電路制造工藝的工作，將大幅提高數(shù)據(jù)交換速度，降低網(wǎng)絡(luò)芯片的制造成本，進(jìn)而從理論上為“萬物互聯(lián)”打下基礎(chǔ)。
2019-09-20 11:14:32913 人們需要了解閃存存儲(chǔ)器和固態(tài)硬盤（SSD）正在徹底改變當(dāng)今IT基礎(chǔ)設(shè)施的原因，因?yàn)檫@些超級(jí)快速存儲(chǔ)的設(shè)備可以支持高端應(yīng)用和高性能存儲(chǔ)層。
2019-12-05 09:38:453512 英國(guó)蘭卡斯特大學(xué)（Lancaster University ）的科學(xué)家發(fā)明了一種可以解決數(shù)字技術(shù)能源危機(jī)的
新型計(jì)算機(jī)
存儲(chǔ)器并獲得了專利。在科學(xué)報(bào)告中發(fā)表的研究報(bào)告中描述了這種電子
存儲(chǔ)設(shè)備，據(jù)說它將以超低的能耗改變?nèi)粘Ｉ睢?/div>
2019-12-06 11:37:31882 為了使新型存儲(chǔ)器達(dá)到大批量生產(chǎn)，工業(yè)必須提供新的工藝控制解決方案。這些系統(tǒng)應(yīng)該測(cè)量原始沉積的薄膜，操作迅速，不會(huì)對(duì)存儲(chǔ)器造成額外傷害。
2019-12-31 16:10:431155 
EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當(dāng)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運(yùn)行速度也比目前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。他們發(fā)明的納米級(jí)設(shè)備能夠產(chǎn)生高功率太赫茲波。
2020-03-28 14:12:202865 EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍器件，并且新設(shè)備在運(yùn)行速度上也比當(dāng)前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
2020-04-02 11:55:352769 目前新型存儲(chǔ)器上受到廣泛關(guān)注的新型存儲(chǔ)器主要有相變存儲(chǔ)器(PCM)，其中有以英特爾與美光聯(lián)合研發(fā)的3D Xpoint為代表;MRAM以美國(guó)Everspin公司推出的STT-MRAM為代表;阻變存儲(chǔ)器
2020-04-25 11:05:573524 
因此“內(nèi)部快取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生，也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成，不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器，但也是最貴的，也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍，功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2020-11-17 16:33:39982 近日，Cloudam云端與國(guó)內(nèi)某知名藥企與合作，通過接入Cloudam云端自主研發(fā)的云E云超算服務(wù)，計(jì)算效率提高的數(shù)百倍。這也是云算力在生命科學(xué)領(lǐng)域的又一次成功應(yīng)用。Cloudam云端云E云超算服務(wù)是如何幫助該藥企實(shí)現(xiàn)計(jì)算效率數(shù)百倍的提升呢？
2021-03-17 10:53:09547 FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，因?yàn)樗Y(jié)合了ram和非易失性存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)。相對(duì)于閃存/EEPROM的寫入優(yōu)勢(shì)和非易失性使其非常適合在斷電情況下存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具有高讀寫耐久性和快速寫入速度。英尚微存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商可提供產(chǎn)品測(cè)試及技術(shù)支持。
2021-07-27 10:29:281719 集成鐵電存儲(chǔ)器的MCU，由于在MCU上集成了鐵電存儲(chǔ)器，該產(chǎn)品數(shù)據(jù)寫入速度比基于閃存和EEPROM的MCU快100倍,功耗降低250倍。它還可在所有的電源模式中提供數(shù)據(jù)保存功能、支持超過100萬億次
2021-11-05 17:35:5918 根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲(chǔ)器(MASK ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2022-01-20 14:09:215447 。 據(jù)了解，在新型存儲(chǔ)器中，相變存儲(chǔ)器（PCM）是與CMOS工藝最兼容，技術(shù)最成熟的存儲(chǔ)技術(shù)。 2015年，Intel和Micron推出了傲騰三維相變存儲(chǔ)芯片，速度和壽命比固態(tài)閃存硬盤要快一千倍，其三維堆疊技術(shù)也使容量高出了十倍。 然而，由于在相變過程中需
2022-01-21 13:15:001047 基于上述因素，越來越多的MCU大廠開始選擇在MCU中集成新型存儲(chǔ)器，比如相變存儲(chǔ)器（PCM）、磁RAM（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等，當(dāng)然不同的大廠也有著他們不同的選擇…
2022-12-01 20:28:061421 兩種最常見的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快，但需要持續(xù)供電來維持其信息。閃存是非易失性的，對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(chǔ)來說足夠穩(wěn)定，但速度不是特別快。鐵電存儲(chǔ)器介于兩者之間，并可能提供必要的中間步驟。
2023-01-30 16:10:044097 在筆者看來，市場(chǎng)對(duì)新興存儲(chǔ)器并不友善，盡管人們?nèi)匀幌Ｍ鎯?nèi)計(jì)算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲(chǔ)器。
2023-02-14 11:33:403191 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:464760 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲(chǔ)器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225 非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:152048 
近日，鎧俠公司宣布其“創(chuàng)新型存儲(chǔ)制造技術(shù)開發(fā)”提案已被日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)（NEDO）的“加強(qiáng)后5G信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項(xiàng)目/先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)開發(fā)”計(jì)劃采納。這一消息標(biāo)志著鎧俠在新型存儲(chǔ)器研發(fā)領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。
2024-11-11 15:54:30941 閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”，主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM（可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）在擦除數(shù)據(jù)時(shí)，往往需要較長(zhǎng)的時(shí)間，且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:001379 我國(guó)新型芯片的研發(fā)正加速突破，日前；北京大學(xué)人工智能研究院傳來好消息，突破瓶頸!中國(guó)成功研制新型芯片 ；在求解大規(guī)模MIMO信號(hào)檢測(cè)時(shí)效能提升超百倍。 據(jù)悉，該突破性成果由北京大學(xué)人工智能研究院孫仲
2025-10-23 16:05:402707 已全部加載完成
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