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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>紫光興建全球最大3D儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器廠 軍備競(jìng)賽再起

紫光興建全球最大3D儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器廠 軍備競(jìng)賽再起

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

9月2日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布,其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存(每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位,每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存)正式量產(chǎn),以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
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最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比,具有包括讀寫速度1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。
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三星48層3D V-NAND閃存技術(shù)揭秘

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2016-07-13 10:32:437470

紫光趙偉國(guó):投資240億美元的武漢存儲(chǔ)器12月動(dòng)工

正在參加互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)的紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示,由紫光參與投資總額達(dá)240億美元的武漢存儲(chǔ)器芯片將于12月初動(dòng)工。這項(xiàng)投資將扭轉(zhuǎn)大陸當(dāng)前無(wú)力生產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的局面,完工后預(yù)計(jì)2020年月產(chǎn)能達(dá)30萬(wàn)片,2030年躍升至100萬(wàn)片,成世界級(jí)存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地。
2016-11-16 11:37:591292

紫光3D儲(chǔ)存閃記憶體武漢動(dòng)工 總投資超240億美元

中國(guó)紫光集團(tuán)宣布,投入閃記憶體戰(zhàn)場(chǎng),在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過(guò)240億美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó):“我們?cè)谖錆h投資兩百四十億美金的芯片工廠,已經(jīng)正式動(dòng)工..."
2017-01-03 09:30:271310

三星未來(lái)兩年或追投西安3D NAND43億美元

據(jù)海外媒體報(bào)道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。
2017-02-07 07:50:011519

3D NAND Flash,中國(guó)自主存儲(chǔ)器突破點(diǎn)

受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升,以及PC、服務(wù)、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(SSD),NAND Flash需求正快速成長(zhǎng),各家存儲(chǔ)器亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:129182

中國(guó)在3D NAND存儲(chǔ)器領(lǐng)域取得標(biāo)志性進(jìn)展

2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息,近日,由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
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2017-02-17 07:48:232091

海力士發(fā)布72層256G 3D閃存芯片

蘋果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)今天發(fā)布了72層,256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍,單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存,這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度兩倍,讀寫性能 20%。
2017-04-11 07:49:042003

2017下半年NAND閃存儲(chǔ)器下半年持續(xù)缺貨

盧志遠(yuǎn)分析,NOR閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)有同業(yè)退出,整體供給保守,需求又明顯成長(zhǎng)下,明年供需吃緊狀況還可能加劇。至于大陸擴(kuò)產(chǎn)主要是供應(yīng)低端市場(chǎng),對(duì)旺宏不會(huì)有所影響。
2017-07-26 08:12:14944

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速
2020-09-11 10:03:293528

3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)

3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢(shì),本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
2025-04-08 14:38:392048

鎧俠推出162層3D閃存 提升了10%密度

在幾大閃存的主力從96層升級(jí)到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng),推出了162層3D閃存。各大廠商的3D閃存技術(shù)并不一樣,所以堆棧
2021-02-20 10:02:323312

存儲(chǔ)器儲(chǔ)存有什么不同?

首先討論HDD及其功能,并比較儲(chǔ)存(storage)和(memory)的不同特性。在接下來(lái)的專欄中,我們將專門討論SSD,并探索在可預(yù)見的未來(lái)將持續(xù)發(fā)展的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存趨勢(shì)。  儲(chǔ)存 vs 存儲(chǔ)器  電子數(shù)據(jù)
2017-07-20 15:18:57

RTOS的存儲(chǔ)器選擇

當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)(RTOS),操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊,其中包括電池供電的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)儲(chǔ)存器),各種各樣的閃存以及串口EEPROM(電可擦的,可編程的只讀存儲(chǔ)器)?! ?/div>
2019-06-28 08:29:29

SPC存儲(chǔ)性能軍備競(jìng)賽新春update

瓜哥過(guò)了個(gè)春節(jié),回來(lái)一看,人家特朗普根本就不過(guò)春節(jié),還有,SPC也沒(méi)有閑著。年前我在文章【評(píng)】過(guò)年了,不妨放個(gè)衛(wèi)星玩玩里面提過(guò),華為采用高端存儲(chǔ)OceanStor 18500 v3參加SPC-1
2017-02-03 13:41:47

關(guān)于外存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)單介紹

?! ?、硬盤存儲(chǔ)器  信息可以長(zhǎng)期保存,可以讀寫,容量大,但是不方便攜帶。  3、移動(dòng)存儲(chǔ)器  主要包括閃存盤(優(yōu)盤)、移動(dòng)硬盤、固態(tài)硬盤(SSD)?! ?、閃存盤(優(yōu)盤)  采用Flash存儲(chǔ)器閃存
2019-06-05 23:54:02

相變存儲(chǔ)器(PCM) :新的存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)建 新的存儲(chǔ)器使用模式

4Gb到100Gb的密度.談及循環(huán)及數(shù)據(jù)保留間的強(qiáng)相關(guān)性,使用N削D來(lái)獲得高寫入性能的系統(tǒng)經(jīng)常面對(duì)一個(gè)困難即在長(zhǎng)時(shí)間的休止?fàn)顟B(tài)下如何保證足夠的數(shù)據(jù)保留。變相存儲(chǔ)器:新的儲(chǔ)存器創(chuàng)建新的使用模式PCM 尺寸
2018-05-17 09:45:35

芯片的3D化歷程

是第一個(gè)推出1Tb級(jí)產(chǎn)品的公司。3D XPoint則是由英特爾和美光科技于2015年7月發(fā)布的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane,而美光稱之為QuantX。2019
2020-03-19 14:04:57

Micron美光公司因其DRAM和NAND閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新

Micron美光公司因其DRAM和NAND閃存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)新獲得半導(dǎo)體Insight獎(jiǎng) 美光科技股份有限公司近日宣布,Semiconductor Insights選擇美光公司兩項(xiàng)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的D
2009-05-08 10:39:061236

旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列閃存儲(chǔ)器

旺宏電子推出全球首顆256Mbit序列閃存儲(chǔ)器 全球最大的序列式閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布,領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
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Farichild降壓轉(zhuǎn)換 有效為高容量SD閃存儲(chǔ)器應(yīng)用

Farichild降壓轉(zhuǎn)換 有效為高容量SD閃存儲(chǔ)器應(yīng)用供電 FAN5362提供優(yōu)化控制功能,適合低電量運(yùn)作 由于擁有
2010-09-30 11:11:201173

嵌入式閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)技術(shù)

隨著數(shù)碼時(shí)代的來(lái)臨,除了PC外,越來(lái)越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭:移動(dòng)電話、掌上電腦、數(shù)碼相機(jī)、GPS等等,這些產(chǎn)品越來(lái)越多的使用各種移動(dòng)微存儲(chǔ)器。這些存儲(chǔ)器中很大部分是閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:034838

美光計(jì)劃在海外建首座3D封測(cè) 落腳臺(tái)灣中科

繼以一千三百億元新臺(tái)幣收購(gòu)華亞科股權(quán)后,美光決定擴(kuò)大在臺(tái)投資,計(jì)劃在中科興建美光在海外首座3D架構(gòu)的存儲(chǔ)器封測(cè),并網(wǎng)羅前艾克爾(Amkor)總經(jīng)理梁明成出任這項(xiàng)業(yè)務(wù)臺(tái)灣區(qū)總經(jīng)理,新投資計(jì)劃預(yù)定十二日宣布。
2016-12-05 11:07:42840

中韓NAND Flash軍備競(jìng)賽再起 2018年或供過(guò)于求

儲(chǔ)存閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)軍備競(jìng)賽再起,南韓存儲(chǔ)器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)器產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢,也預(yù)定本月底正式動(dòng)土,都為2018年供給過(guò)于求再現(xiàn),埋下隱憂。
2016-12-26 09:41:09774

紫光3D儲(chǔ)存閃記憶體武漢動(dòng)工 總投資超240億美元

 中國(guó)紫光集團(tuán)宣布,投入閃記憶體戰(zhàn)場(chǎng),在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過(guò)240億美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 15:37:521032

蘋果閃存芯供應(yīng)商推出256Gb 3D NAND 或用于未來(lái)iPhone

256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 的存儲(chǔ),這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度兩倍,讀寫性能 20%。
2017-04-12 01:07:111359

閃存存儲(chǔ)器是寄存嗎?_寄存存儲(chǔ)器的區(qū)別

閃存存儲(chǔ)器是寄存嗎? 很明顯不是 ,一個(gè)屬于儲(chǔ)存器,一個(gè)是寄存。那么寄存存儲(chǔ)器有什么區(qū)別呢? 1、從范圍來(lái)看 寄存在CPU的內(nèi)部,它的訪問(wèn)速度,但容量?。?086微處理只有14個(gè)16位
2017-10-11 17:12:2112474

大陸存儲(chǔ)器競(jìng)賽邁向新局,兆易、紫光和聯(lián)電爭(zhēng)奪大陸存儲(chǔ)器寶座

將與合肥睿力12吋資源整合,全面對(duì)決紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)及聯(lián)電的晉華集成,借由掌握DRAM、NOR Flash、2D NAND等三大技術(shù),爭(zhēng)奪大陸存儲(chǔ)器寶座。
2017-11-24 12:51:38668

打破存儲(chǔ)器國(guó)外把持,紫光要圓自產(chǎn)夢(mèng),啟動(dòng)南京存儲(chǔ)器基地

紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲(chǔ)芯片和DRAM存儲(chǔ)器芯片,一期占地約700畝,二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長(zhǎng)江存儲(chǔ)、在成都打造晶圓廠,另一個(gè)紫光大型的存儲(chǔ)器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動(dòng)。
2017-11-28 12:54:402401

一站式的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器讓低容量閃存儲(chǔ)器重現(xiàn)商機(jī)

存儲(chǔ)器芯片價(jià)格還在上漲的同時(shí),質(zhì)量就決定勝負(fù)的重要關(guān)鍵,對(duì)旺宏而言,2017年的業(yè)績(jī)大幅成長(zhǎng),完整產(chǎn)品組合,提供一站式的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器專業(yè)供應(yīng)商低容量閃存儲(chǔ)器重現(xiàn)商機(jī)。
2017-12-18 13:09:161372

英特爾將于紫光合作,在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片

上周,隨著英特爾和美光宣布未來(lái)雙方將各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND,其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí),有外媒報(bào)道,英特爾將于紫光合作,在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來(lái)幾年,英特爾將會(huì)
2018-01-16 14:37:555172

存儲(chǔ)容量需求大增,推動(dòng)了3D NAND儲(chǔ)存的發(fā)展

性能以外,還需要更高容量的儲(chǔ)存,才足以支持5G、人工智能(AI)、擴(kuò)增實(shí)境(AR)、高解析視訊等以數(shù)據(jù)為導(dǎo)向的新一代應(yīng)用。以往容量?jī)H16GB、32GB的智能手機(jī)已無(wú)法滿足當(dāng)前的移動(dòng)應(yīng)用需求,從而為3D NAND閃存儲(chǔ)器(flash)的進(jìn)展鋪路。
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2017年旺宏以在NOR閃存儲(chǔ)器的市占率約30%成為全球霸主

旺宏昨日召開財(cái)報(bào)會(huì)表示,2017年在NOR閃存儲(chǔ)器的市占率約30%,為全球霸主。另外,小于75納米制程產(chǎn)品占2017年第四季NOR營(yíng)收60%,旺宏并預(yù)計(jì)NOR閃存儲(chǔ)器2018年成長(zhǎng)動(dòng)力將來(lái)
2018-02-01 05:34:011484

空氣產(chǎn)品公司與三星達(dá)成合作 為西安3D V-NAND芯片供應(yīng)工業(yè)氣體

西安3D V-NAND芯片是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一,也是是三星第二座3D V-NAND芯片。今日?qǐng)?bào)道,工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片,宣布將為3D V-NAND芯片供氣。
2018-02-03 11:07:271538

群聯(lián)欲大幅征才200名工程師,進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)3D NAND

NAND Flash(儲(chǔ)存閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善,量產(chǎn)能力大為提升,盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng),但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測(cè)等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛看好有助于量能提升。存儲(chǔ)器控制IC大廠群聯(lián)電子
2018-07-09 09:52:00800

美光新加坡興建3工廠,欲搶占NAND Flash閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)

在市場(chǎng)NAND Flash閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319

一種基于相變存儲(chǔ)器3D XPOINT存儲(chǔ)技術(shù),速度將是現(xiàn)在的1000倍

據(jù)報(bào)道,華中科技大學(xué)光電學(xué)院副院長(zhǎng)繆向水及其團(tuán)隊(duì)正在研制一款基于相變存儲(chǔ)器3D XPOINT存儲(chǔ)技術(shù)。他估計(jì),在這項(xiàng)技術(shù)基礎(chǔ)上研發(fā)的芯片,其讀寫速度會(huì)比現(xiàn)在1000倍,可靠性也將提高1000倍。
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三星確認(rèn)建廠,用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能

根據(jù)韓國(guó)媒體的報(bào)導(dǎo),韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠三星已經(jīng)確認(rèn),將會(huì)在韓國(guó)平澤市興建一座新的半導(dǎo)體工廠,用于擴(kuò)大DRAM、NAND Flash閃存儲(chǔ)器的產(chǎn)能。 之前,韓國(guó)媒體《FN News》曾經(jīng)引用業(yè)界人士和平
2018-03-06 18:59:115298

閃存儲(chǔ)器控制選擇技巧

現(xiàn)代閃存儲(chǔ)器控制中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制的選擇比閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的閃存儲(chǔ)器控制進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646

手機(jī)、pc該怎樣正確選擇閃存儲(chǔ)器

閃存儲(chǔ)器控制中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步,能夠克服閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn),并幫助發(fā)揮出閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言,控制的選擇比閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要,借由選擇合適的閃存儲(chǔ)器控制進(jìn)行應(yīng)用,可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004983

全球最大的FDM 3D打印無(wú)人機(jī)

德國(guó) 3D 打印初創(chuàng)企業(yè)以及全球最大 FDM 3D打印機(jī) 之一的廠商 BigRep ,日前推出了一款巨型、打印尺寸為 2.2*1.9*0.6 米的 3D 打印無(wú)人機(jī),綽號(hào)為“ DUSTER
2018-04-15 08:34:008831

存儲(chǔ)器大廠宣布將推 96 層堆棧的 QLC 閃存儲(chǔ)器,性能獲重大提升

是新產(chǎn)品,普及還要一段時(shí)間,目前 3D TLC 閃存儲(chǔ)器如何發(fā)展,依然是關(guān)鍵。24 日,東芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固態(tài)硬盤,是旗下 96 層堆棧 3D TLC 閃存儲(chǔ)器首發(fā),讀取
2018-07-26 18:01:002758

閃存儲(chǔ)器的路線之爭(zhēng)

最近的新聞報(bào)導(dǎo)指出,英特爾(Intel)與美光(Micron)閃存研發(fā)策略聯(lián)盟的分手,肇因于對(duì)未來(lái)3D NAND Flash發(fā)展的看法差異,想來(lái)合理,且早有征兆。
2018-06-13 16:31:453785

3D NAND新產(chǎn)品技術(shù)進(jìn)入市場(chǎng)之際加快發(fā)展步伐

的平面閃存3D存儲(chǔ)器的關(guān)鍵技術(shù)是薄膜和刻蝕工藝,技術(shù)工藝差別較大,而且相對(duì)2D NAND來(lái)說(shuō),國(guó)際大廠在3D存儲(chǔ)器布局方面走得并不遠(yuǎn)。
2018-06-20 17:17:495087

邊緣計(jì)算的"軍備競(jìng)賽"階段 網(wǎng)宿科技當(dāng)如何異軍突起?

在云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、5G技術(shù)的積淀后,邊緣計(jì)算也進(jìn)入了緊張的"軍備競(jìng)賽"階段。
2018-07-10 17:45:583631

AI芯片,為何會(huì)成為新軍備競(jìng)賽

一場(chǎng)新的軍備競(jìng)賽已經(jīng)打響,不在地面,不在空中,它將是虛擬網(wǎng)絡(luò)世界新一代基石,也是AI時(shí)代連接虛擬和現(xiàn)實(shí)的核心。
2018-07-19 15:58:443302

看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來(lái)哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(長(zhǎng)江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:015077

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn),震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002770

3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)

今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14759

紫光成都建設(shè)基地,打造12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線

根據(jù)紫光官方的消息,10月12日,紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工動(dòng)員活動(dòng)在成都雙流自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)舉行。官方稱紫光成都存儲(chǔ)器制造基地占地面積約1200畝,將建設(shè)12英寸3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線,并開展存儲(chǔ)器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。
2018-10-16 15:58:402936

中美開始人工智能軍備競(jìng)賽,百度并不打算參加

如果中國(guó)和美國(guó)處于“人工智能軍備競(jìng)賽”,那么中國(guó)領(lǐng)先的搜索引擎百度為何要加入由美國(guó)公司創(chuàng)建的財(cái)團(tuán)來(lái)探索技術(shù)的風(fēng)險(xiǎn)?
2018-10-22 09:38:02811

紫光將在成都建設(shè)一個(gè)新的3D NAND存儲(chǔ)器晶圓生產(chǎn)線

對(duì)于紫光來(lái)說(shuō),在10月最大的一筆投資莫過(guò)于10月12日,紫光成都存儲(chǔ)器制造基地項(xiàng)目開工。
2018-10-22 16:59:502286

關(guān)于3D超級(jí)DRAM技術(shù)簡(jiǎn)單剖析

就算3D NAND的每位元成本與平面NAND相比較還不夠低,NAND閃存儲(chǔ)已經(jīng)成功地由平面轉(zhuǎn)為3D,而DRAM還是維持2D架構(gòu);在此同時(shí),DRAM制程的微縮也變得越來(lái)越困難,主要是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">儲(chǔ)存電容的深寬比(aspect ratio)隨著元件制程微縮而呈倍數(shù)增加。
2018-10-28 10:17:135623

存儲(chǔ)器有哪些

儲(chǔ)存器是指除計(jì)算機(jī)內(nèi)存及CPU緩存以外的儲(chǔ)存器,此類儲(chǔ)存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)。本視頻主要介紹了外存儲(chǔ)器有哪些,分別是軟盤存儲(chǔ)器、硬盤存儲(chǔ)器、移動(dòng)存儲(chǔ)器、閃存盤(優(yōu)盤)、移動(dòng)硬盤以及固態(tài)硬盤(SSD)等。
2018-11-24 11:15:0265089

3D NAND未來(lái)五年需求大好 但紫光在技術(shù)上仍存在瓶頸

全球 3D NAND 價(jià)格近來(lái)快速崩跌,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)肩負(fù)打破國(guó)內(nèi)“零”存儲(chǔ)自制率之重任,以”光速”的氣勢(shì)加入這場(chǎng)存儲(chǔ)世紀(jì)大戰(zhàn)。除了武漢 12 寸進(jìn)入生產(chǎn),南京也將于年內(nèi)動(dòng)工,加上成都
2018-11-30 09:16:252791

四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析

技術(shù)確實(shí)降低了每千兆字節(jié)的成本。本報(bào)告展示了目前市場(chǎng)上四家存儲(chǔ)器制造商的最新一代3D NAND閃存的技術(shù)和成本分析。
2018-12-11 09:28:467716

紫光實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn) 讓國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)更進(jìn)一步

昨日,紫光集團(tuán)旗下紫光宏茂微電子(上海)有限公司發(fā)布信息,宣布公司成功實(shí)現(xiàn)大容量企業(yè)級(jí)3D NAND芯片封測(cè)的規(guī)模量產(chǎn)。他們表示,這次公告標(biāo)志著內(nèi)資封測(cè)產(chǎn)業(yè)在3D NAND先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)實(shí)現(xiàn)從無(wú)到有的重大突破,也為紫光集團(tuán)完整存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈布局落下關(guān)鍵一步棋。
2019-02-04 16:41:005697

紫光集團(tuán)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)有了最新進(jìn)展

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)廠商的標(biāo)桿,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江儲(chǔ)存是唯一一家在3D閃存領(lǐng)域發(fā)力的廠商。但在產(chǎn)品入市之前,還需建立起控制、產(chǎn)品開發(fā)、封裝測(cè)試、SSD 模組制造等完整產(chǎn)業(yè)生態(tài)。
2019-01-11 10:41:446694

AI芯片引發(fā)谷歌,亞馬遜兩大科技巨頭的“軍備競(jìng)賽

人工智能引發(fā)了亞馬遜和谷歌之間的芯片軍備競(jìng)賽,這場(chǎng)競(jìng)賽將改變從智能家居到云計(jì)算的一切,并且改變了行業(yè)玩家的格局,對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈上下游進(jìn)行重塑。
2019-02-27 11:46:05667

真.國(guó)產(chǎn)SSD硬盤來(lái)了:紫光64層3D TLC閃存,1500次P/E

日前有消息稱紫光純國(guó)產(chǎn)的SSD硬盤就要上市了,使用是他們研發(fā)生產(chǎn)的64層堆棧3D TLC閃存,P/E次數(shù)可達(dá)1500次,這個(gè)技術(shù)及規(guī)格在主流SSD中已經(jīng)不低了。
2019-03-15 10:38:455882

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將推出Xtacking2.0閃存技術(shù) 與DRAMDDR4的I/O速度相當(dāng)

目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中,國(guó)內(nèi)主要有紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)專攻NAND閃存,小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存,但對(duì)市場(chǎng)影響有限,今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,產(chǎn)能將會(huì)積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143966

儲(chǔ)存閃存儲(chǔ)器將成為各大應(yīng)領(lǐng)用領(lǐng)域新寵 群聯(lián)將獲利

群聯(lián)搶搭儲(chǔ)存閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)需求爆發(fā)商機(jī) ,今年在臺(tái)北國(guó)際電腦展( Computex)展出的高端儲(chǔ)存系列產(chǎn)品受到市場(chǎng)矚目,預(yù)料在進(jìn)入5G后,將成為各大應(yīng)領(lǐng)用領(lǐng)域新寵,也成為群聯(lián)獲利利器。
2019-06-04 17:02:223583

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長(zhǎng)江存儲(chǔ)紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002725

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出了全球首款基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品,擁有同代產(chǎn)品②中最高的存儲(chǔ)密度。Xtacking?可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)
2019-09-03 10:07:021788

基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技(YMTC)本周早些時(shí)候表示,已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器
2019-09-09 10:22:162374

閃存儲(chǔ)器和其它可編程元件的區(qū)別

閃存儲(chǔ)器的編程時(shí)間有時(shí)會(huì)很長(zhǎng)(對(duì)于大的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器組可達(dá)1分鐘)。因此,此時(shí)不容許有其它元件的逆驅(qū)動(dòng),否則閃存儲(chǔ)器可能會(huì)受到損害。
2019-09-13 12:44:001166

存儲(chǔ)器將與晶圓代工跨界經(jīng)營(yíng)全新存儲(chǔ)器

過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界,井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代,存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng),而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND,正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115

紫光旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D NAND閃存芯片首次公開亮相

據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:005147

中國(guó)首次量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)有什么市場(chǎng)影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:091144

中國(guó)量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片會(huì)帶來(lái)什么影響

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布,開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241455

NAND Flash價(jià)格明顯止跌 NAND新一輪軍備競(jìng)賽又將開始

的減緩生產(chǎn)速度——少切點(diǎn)晶圓,慢建新產(chǎn)線。下半年開始NAND Flash價(jià)格明顯止跌,近期三星、SK海力士、美光等原又再次掀起了新一輪的軍備競(jìng)賽,一些新的工廠開始正式納入規(guī)劃或者即將投入運(yùn)營(yíng),這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來(lái)什么變化?又是否是中國(guó)的機(jī)遇?
2019-10-12 10:01:221136

長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)64層堆棧3D閃存 將在年底提高產(chǎn)能到6萬(wàn)片

今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-25 16:53:331140

明年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)加大3D閃存芯片產(chǎn)能

 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片終于“抬起了頭”。   在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上,終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。據(jù)報(bào)道,今年一季度,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存,容量 256Gb,TLC 芯片,初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。
2019-10-29 09:46:243767

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器嶄露頭角 結(jié)束了存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)率0%的尷尬

隨著紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 8 月底量產(chǎn) 64 層堆棧的 3D 閃存, 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片已經(jīng)嶄露頭角 ,結(jié)束了存儲(chǔ)芯片國(guó)產(chǎn)率 0% 的尷尬。目前紫光集團(tuán)下面有多個(gè)公司設(shè)計(jì)存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù),定位有沖突的可能,不過(guò)紫光國(guó)微已經(jīng)否認(rèn)了整合長(zhǎng)江存儲(chǔ)的可能性。
2019-11-19 10:34:073851

長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:053808

對(duì)閃存市場(chǎng)來(lái)說(shuō) 最大的變數(shù)是國(guó)產(chǎn)的YMTC長(zhǎng)江存儲(chǔ)

在CES展會(huì)上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存(本質(zhì)還是3D閃存,4D只是商業(yè)名稱),已經(jīng)用于自家的PCIe硬盤中,這是六大閃存中第一個(gè)量產(chǎn)128層堆棧閃存的,預(yù)計(jì)三星、西數(shù)、東西都會(huì)在今年跟進(jìn)100多層的閃存。
2020-01-08 08:41:5212167

全球最大3D打印工廠助力醫(yī)療設(shè)備生產(chǎn)

世界各地的 3D 打印社區(qū)都在努力充分利用 3D 打印的制造技能和能力,以幫助減緩全球疫情的增長(zhǎng)。位于捷克的全球最大 3D 打印工廠 PRUSA Research 的創(chuàng)始人 JosefPr??a 就此問(wèn)題發(fā)了言,并提出了 3D 打印設(shè)備安全性的重要問(wèn)題。
2020-03-25 16:19:513397

長(zhǎng)江儲(chǔ)存宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品已研發(fā)成功

長(zhǎng)江儲(chǔ)存在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產(chǎn)品研發(fā)成功,型號(hào)為X2-6070,并且目前該芯片已經(jīng)在多家控制廠商的SSD等終端儲(chǔ)存產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-04-19 10:14:063603

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問(wèn)世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:003612

群聯(lián)全系列控制芯片支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND

閃存控制芯片及儲(chǔ)存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 (PHISON; TPEx:8299) 與長(zhǎng)江存儲(chǔ)自2016年開始接洽合作,從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗(yàn)證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226,至近期的64層3D NAND,群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091627

閃存存儲(chǔ)器為什么是最快捷的長(zhǎng)期存儲(chǔ)器?

因此“內(nèi)部取記憶體”應(yīng)運(yùn)而生,也就是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它通常以六個(gè)聯(lián)結(jié)晶狀體所構(gòu)成,不需要去更新。靜態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中最快的存儲(chǔ)器,但也是最貴的,也占用了比動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取儲(chǔ)存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:583508

NAND Flash閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,多廠商擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能

在市場(chǎng)NAND Flash閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口,導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下,包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝,以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際,7日美商存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)也宣布擴(kuò)產(chǎn),以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016

慧榮科技宣布全系列主控芯片全面支持長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking 3D NAND

Xtacking 3D NAND閃存,包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新研發(fā)成功的128層X(jué)tacking 3D TLC/QLC閃存,為全球市場(chǎng)注入更完整及更多元化的存儲(chǔ)解決方案。 隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND技術(shù)迅速提升
2020-09-11 11:12:162690

國(guó)家存儲(chǔ)器基地成功研制出了全球首款128層QLC三維閃存芯片

近日,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)開工,據(jù)悉,國(guó)家存儲(chǔ)器基地的項(xiàng)目是由紫光集團(tuán)、國(guó)家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè),這項(xiàng)目計(jì)劃分兩期建設(shè)3D?NAND閃存芯片工廠。
2020-09-18 14:54:183051

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

存儲(chǔ)器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu),可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696

3D NAND閃存技術(shù)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

日前,TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講,詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。
2020-11-19 16:11:183722

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?

NAND 非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著 2D NAND 容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND 的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的 3D
2020-11-20 16:07:133091

未來(lái)的3D NAND將如何發(fā)展?如何正確判斷一款3D NAND的總體效率?

上,TechInsights 高級(jí)技術(shù)研究員 Joengdong Choe 發(fā)表了相關(guān)演講,詳細(xì)介紹了 3D NAND 和其他新興存儲(chǔ)器的未來(lái)。TechInsights 是一家對(duì)包括閃存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品分析公司
2020-11-20 17:15:444301

不要過(guò)于關(guān)注3D NAND閃存層數(shù)

? ? NAND非易失性閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史,隨著2D NAND容量達(dá)到極限,以及晶體管越來(lái)越小,NAND的編程時(shí)間變長(zhǎng),擦寫次數(shù)變少,能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來(lái)的3D
2020-12-09 10:35:493613

芯片廠商展開新一代處理軍備競(jìng)賽

1月11-14日,CES消費(fèi)電子展在線上拉開2021年科技界的序幕,除了機(jī)器人、可穿戴、未來(lái)電視等終端產(chǎn)品之外,核心的芯片廠商也亮出大招,展開新一代處理軍備競(jìng)賽。
2021-01-14 09:35:072089

鎧俠、西數(shù)推162層3D閃存,性能提升66%

在幾大閃存的主力從96層升級(jí)到128/144層之后,美光、SK海力士之前推出了176層的3D閃存,現(xiàn)在鎧俠、西數(shù)也加入這一陣營(yíng),推出了162層3D閃存
2021-02-20 10:40:582714

音圈模組助力的3D打印技能競(jìng)賽

音圈模組助力的3D打印技能競(jìng)賽。隨著3D打印技術(shù)的發(fā)展,很多城市也注重3D打印的人才培養(yǎng)。近日,2021年沈陽(yáng)市3D打印技能競(jìng)賽在沈陽(yáng)市職業(yè)技術(shù)學(xué)院落幕。來(lái)自全市各單位的一百余名職工同場(chǎng)競(jìng)技,經(jīng)過(guò)
2021-10-18 14:40:38504

制造商推動(dòng)3D NAND閃存的進(jìn)一步發(fā)展

  全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過(guò)許多發(fā)展得到滿足,不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制的功能上,尤其是通過(guò) 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) (IIoT)、智能工廠、自動(dòng)駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集應(yīng)用程序的不斷發(fā)展,這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:251510

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:394222

東京電子3D NAND蝕刻新技術(shù)或挑戰(zhàn)泛林市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

據(jù)悉,東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法,該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D nand的存儲(chǔ)器容量可以通過(guò)將存儲(chǔ)器單元層垂直堆積來(lái)增加,如果層數(shù)增加,就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:491360

美股四巨頭加大AI投資,軍備競(jìng)賽升級(jí)

近日,微軟、Meta、谷歌母公司Alphabet及亞馬遜相繼發(fā)布了2024年最后一個(gè)季度的業(yè)績(jī)報(bào)告,并對(duì)2025年的業(yè)務(wù)前景進(jìn)行了展望。從報(bào)告中不難看出,這四家美股科技巨頭在2025年的資本支出計(jì)劃均呈現(xiàn)出顯著增長(zhǎng)的趨勢(shì),預(yù)示著AI領(lǐng)域的軍備競(jìng)賽將進(jìn)一步升級(jí)。
2025-02-08 16:51:03923

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144822

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