2025 年12月16日，國產(chǎn) FPGA 自主創(chuàng)新引領(lǐng)者智多晶正式發(fā)布Seal 5000系列新品 ——SA5T-200 FPGA 芯片。作為深耕 FPGA 領(lǐng)域十余年的實力企業(yè)，智多晶此次推出的重磅
2025-12-24 17:37:21
795 提升。 該太陽能電池效率新紀(jì)錄的實現(xiàn)得益于超薄氧化硅隧道層與摻雜多晶硅鈍化接觸技術(shù)的應(yīng)用。公司表示，新型鈍化材料與金屬化工藝升級為此次太陽能電池效率新紀(jì)錄提供了技術(shù)支持。 今年1月，晶科能源的鈣鈦礦-硅串聯(lián)太陽能電池效率曾達(dá)到33.84%。公司預(yù)計
2025-12-22 17:24:35404 國產(chǎn) FPGA 崛起正當(dāng)時；當(dāng)國外壟斷占據(jù)93%市場份額，當(dāng)國產(chǎn)替代成為產(chǎn)業(yè)必答題，一場打破 “卡脖” 困境的技術(shù)盛會即將重磅來襲！ 2025 年 12 月 16 日，國產(chǎn) FPGA 領(lǐng)軍企業(yè)智多晶
2025-12-15 14:44:2137265 非硅型導(dǎo)熱吸波片
2025-12-05 17:38:29266 
12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個高度復(fù)雜且精密的過程，涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進(jìn)設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點： 一、單晶硅生長與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20326 智多晶EDA工具HqFpga（簡稱HQ），是自主研發(fā)的一款系統(tǒng)級的設(shè)計套件，集成了Hqui主界面、工程界面、以及內(nèi)嵌的HqInsight調(diào)試工具、IP Creator IP生成工具、布局圖、熱力
2025-11-08 10:15:313423 
在商業(yè)航天時代，如何讓衛(wèi)星、火箭等航天器在嚴(yán)酷的太空環(huán)境中穩(wěn)定工作，同時有效控制成本，是整個行業(yè)面臨的核心挑戰(zhàn)。近日，智多晶的SA5Z-50 FPGA器件傳來好消息，其成功通過了一項關(guān)鍵的“單粒子效應(yīng)”測試，為解決這一挑戰(zhàn)提供了新的選擇。
2025-11-02 16:49:101976 1.晶圓制備（WaferPreparation）核心目標(biāo)：從高純度多晶硅出發(fā)，通過提純、單晶生長和精密加工獲得高度平整的圓形硅片（晶圓）。具體包括直拉法或區(qū)熔法拉制單晶錠，切片后進(jìn)行研磨、拋光處理
2025-10-28 11:47:59740 
CA(2.6G160M+4.9G100M)下行理論峰值速率能到4Gbps+，外場DL 3CC CA測試會遇到下行速率不及預(yù)期的問題，本文從無線空口環(huán)境、終端能力、FTP服務(wù)器等多個維度排查DL 3CC CA下行速率不達(dá)預(yù)期的原因。
2025-10-22 09:15:51861 
口）協(xié)議，正是保障這一傳輸過程高效、穩(wěn)定的關(guān)鍵技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。今天，我們就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司的 CPRI 協(xié)議演示方案，看看這項技術(shù)如何為無線通信賦能。
2025-10-22 09:13:23742 
微測輻射熱計（Microbolometer）是一種基于MEMS工藝制造的非制冷型紅外傳感器，通過探測物體輻射的紅外線實現(xiàn)溫度測量與熱成像。其核心原理是利用熱敏材料（如氧化釩、多晶硅）的電阻隨溫度變化的特性，將紅外輻射能轉(zhuǎn)換為電信號，最終形成熱圖像。
2025-10-22 09:11:56791 
再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場景等方面。以下是具體分析：定義與來源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771 
天然沙子里富含二氧化硅（SiO?），人們能夠從沙子中提取高純度單晶硅，以此制造集成電路。單晶硅對純度要求極高，需達(dá)到99.9999999%（即9個9）以上，且硅原子需按照金剛石結(jié)構(gòu)排列形成晶核。當(dāng)晶核的晶面取向一致時，就能形成單晶硅；若晶面取向不同，則會形成多晶硅（Polysilicon）。
2025-09-17 16:13:57987 
第二十六屆中國國際光電博覽會（CIOE）在深圳圓滿落幕，匯聚全球光電產(chǎn)業(yè)精英。西安智多晶微電子有限公司積極融入這一行業(yè)盛會，與業(yè)界同仁共話發(fā)展新機(jī)遇。
2025-09-15 10:10:15645 大家好呀！今天我們來聊聊一個非常實用的話題——如何在智多晶FPGA上使用MIPI接口。不管是做攝像頭圖像采集還是屏幕顯示控制，MIPI都是非常常見的接口標(biāo)準(zhǔn)。掌握了它，你的視頻項目開發(fā)效率將大大提升！
2025-09-11 09:37:25897 近日，在深圳（福田）會展中心舉辦的ELEXCON 2025深圳國際電子展，吸引了全球400多家頂尖技術(shù)企業(yè)齊聚一堂，共同呈現(xiàn)全球電子產(chǎn)業(yè)的最新動態(tài)與未來技術(shù)走向。在這場科技盛宴中，智多晶憑借其出色的產(chǎn)品品質(zhì)與創(chuàng)新能力，成為展會焦點，吸引了眾多專業(yè)觀眾駐足交流。
2025-09-02 15:12:25973 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()SKYA21055： 用于四頻 GSM、LTE、LTE-A（下行鏈路載波聚合應(yīng)用）的汽車多模多頻功率放大器模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有SKYA21055： 用于四頻
2025-08-28 18:35:26
能力和7A的漏極電流承受能力，采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，提供可靠的開關(guān)性能。其導(dǎo)通電阻為770mΩ @ VGS=10V，適用于各種需要高電壓
2025-08-27 14:43:06
極耐壓能力和7A的漏極電流能力，適合在嚴(yán)苛的高電壓環(huán)境中使用。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為750mΩ @
2025-08-27 14:01:53
耐壓能力和5A的漏極電流能力。它采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較高的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為1000mΩ @ VGS=10V），為要求高電
2025-08-27 11:49:57
和11A的漏極電流能力，專為高電壓、高功率應(yīng)用設(shè)計。它采用SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）制造，具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)為370mΩ @ VGS=10
2025-08-27 11:13:21
的漏極-源極耐壓能力和高達(dá)5A的漏極電流承載能力。其基于SJ_Multi-EPI（多晶硅技術(shù)）技術(shù)制造，具有穩(wěn)定的性能和較高的開關(guān)效率。適用于需要高耐壓和可靠性的
2025-08-27 10:44:37
工程師朋友們注意啦！今天要給大家安利一項FPGA領(lǐng)域的黑科技——西安智多晶微電子推出的LLCR（LVDS Local Clock Receiving）技術(shù)，使用本地PLL產(chǎn)生高速時鐘，通過相位跟蹤，對接收的LVDS信號進(jìn)行實時跟蹤，實現(xiàn)LVDS數(shù)據(jù)接收。
2025-08-25 09:17:21658 
為了滿足用戶對SerDes日益增漲和多樣化的要求。智多晶SerDes IP推出了2.0版本的升級，本次升級相比1.0版本主要帶來了以下的變化。
2025-08-16 15:32:401115 
在圖像與視頻處理領(lǐng)域，靈活、高效、低延遲的解決方案一直是行業(yè)追求的目標(biāo)。西安智多晶微電子有限公司推出的AXI視頻通訊DEMO方案，基于智多晶SA5Z-30-D1-8U213C FPGA器件，通過
2025-08-07 13:57:535648 
近日，西安高新區(qū)2025年第二批“硬科技創(chuàng)新人才”公示名單正式公布，西安智多晶微電子有限公司憑借其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新能力和人才隊伍建設(shè)成果，成功斬獲I類人才3名、II類人才1名、III 類人才11名的優(yōu)異成績，充分彰顯了公司在硬科技領(lǐng)域的技術(shù)實力與人才吸引力。
2025-07-30 11:15:041339 有機(jī)硅三防漆是以有機(jī)硅聚合物為核心基礎(chǔ)材料，輔以填料、交聯(lián)劑、催化劑及溶劑配制而成的特種防護(hù)涂層。其設(shè)計目標(biāo)明確：為印刷電路板及其他電子元器件提供抵御濕氣、鹽霧、霉菌、灰塵、化學(xué)腐蝕及極端溫度等環(huán)境
2025-07-24 16:04:34697 
率下降。為此，研究團(tuán)隊開發(fā)了一種基于激光反射率的光學(xué)傳感器，能夠在真空環(huán)境下實時測量氧化膜（SiO?）、氮化膜（Si?N?）和多晶硅（p-Si）的厚度。FlexF
2025-07-22 09:54:561644 
要了解可控硅光耦，首先我們需要認(rèn)識可控硅器件?？煽?b class="flag-6" style="color: red">硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在
2025-07-15 10:12:52963 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()硅肖特基二極管芯片相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有硅肖特基二極管芯片的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，硅肖特基二極管芯片真值表，硅肖特基二極管芯片管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-14 18:32:51
TOPCon電池憑借背面超薄SiO?/多晶硅疊層的優(yōu)異鈍化性能，成為n型硅電池主流工藝。然而傳統(tǒng)硼擴(kuò)散工藝成本較高。本研究提出創(chuàng)新解決方案：PECVD單側(cè)沉積+同步退火集成工藝，正面：PECVD沉積
2025-07-14 09:03:211133 
“今年6月，多地國補(bǔ)政策收緊或影響國內(nèi)市場需求預(yù)期，疊加面板供應(yīng)維持寬松，致使面板價格普遍下行。進(jìn)入7月，國補(bǔ)重啟或?qū)κ袌鲂判男纬芍?，然政策紅利減弱及消費潛力透支或制約下半年需求釋放；同時關(guān)稅窗口期臨近尾聲，海外市場采購需求提前或延續(xù)供應(yīng)寬松格局。預(yù)計今年7月整體面板價格持續(xù)下行。”
2025-07-10 15:37:02930 在芯片的納米世界中，多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly-Si） 。這種由無數(shù)微小硅晶粒組成的材料，憑借其可調(diào)的電學(xué)性能與卓越的工藝兼容性，成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的“多面手”。
2025-07-08 09:48:112964 
雙面TOPCon電池（DS-TOPCon）雖具有高開路電壓（>728mV），但前表面全區(qū)域多晶硅poly-Si層導(dǎo)致嚴(yán)重光寄生吸收——200nm厚度即可損失>1mA/cm2電流。傳統(tǒng)方案
2025-07-07 11:00:121977 在國產(chǎn) FPGA 加速突破、邁向高性能、高可靠的新階段，智多晶隆重推出新一代 SA5T-200 系列 FPGA 器件。該系列面向高算力、高清視頻、高速通信等關(guān)鍵應(yīng)用場景，集成豐富硬核資源、兼容主流
2025-07-02 09:13:082251 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()SkyOne? 汽車多模多頻段前端模塊，用于 4G LTE 和 4G LTE-A（下行鏈路載波聚合 （CA） 應(yīng)用）相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有SkyOne? 汽車多模多頻段
2025-07-01 18:31:30
近日，“2025智多晶FPGA技術(shù)研討會”在武漢成功舉辦。本次交流會以“智繪新篇 晶質(zhì)領(lǐng)航”為主題，智多晶專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊在會上揭曉了公司匠心打造的多款FPGA芯片新產(chǎn)品、多項新應(yīng)用方案。
2025-07-01 18:21:072533 在當(dāng)今數(shù)字化世界中，視頻數(shù)據(jù)的高速傳輸對于眾多電子設(shè)備和應(yīng)用場景至關(guān)重要。智多晶微電子有限公司推出的 VBO_TX IP（基于 V-by-One HS Standard_Ver 1.4 版本協(xié)議技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)）為這一需求提供了一種高性能、低功耗的解決方案。
2025-07-01 09:46:03849 
TOPCon技術(shù)通過超薄SiO?和磷摻雜多晶硅（n?-poly-Si）層實現(xiàn)載流子選擇性傳輸，理論效率可達(dá)28.7%。然而，poly-Si層厚度存在矛盾：過厚層（>100nm）增加寄生吸收損失，過薄層（
2025-06-27 09:02:152880 我將限流電阻更換為為30K，芯片溫度、電流仍然緩慢增加，不知道我的外圍電路那邊有問題。
2025-06-24 08:16:26
隧穿氧化層鈍化接觸（TOPCon）技術(shù)作為當(dāng)前太陽能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能，在工業(yè)生產(chǎn)中實現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而，多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性，導(dǎo)致其在
2025-06-23 09:03:08940 隨著TOPCon太陽能電池市占率突破50%，其雙面銀漿消耗量（12–15mg/W）導(dǎo)致生產(chǎn)成本激增。本研究提出以鋁漿替代背面銀觸點，通過材料配方革新與工藝優(yōu)化，解決鋁/多晶硅界面過度合金化問題。研究
2025-06-18 09:02:591144 在FPGA設(shè)計中，PLL（鎖相環(huán)）模塊作為核心時鐘管理單元，通過靈活的倍頻、分頻和相位調(diào)整功能，為系統(tǒng)提供多路高精度時鐘信號。它不僅解決了時序同步問題，還能有效消除時鐘偏移，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。本文將深入探討智多晶PLL在實際應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項，幫助工程師規(guī)避常見設(shè)計風(fēng)險。
2025-06-13 16:37:441354 
近日，西安高新區(qū)正式公示2025年第一批"硬科技創(chuàng)新人才"入選名單。西安智多晶微電子有限公司董事長賈弘翊、副總經(jīng)理王黎明憑借在國產(chǎn)FPGA芯片領(lǐng)域的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化貢獻(xiàn)，雙雙榮登榜單。此次兩位人才同時入選，充分體現(xiàn)了智多晶在硬科技創(chuàng)新領(lǐng)域的深厚積累與領(lǐng)先優(yōu)勢。
2025-06-10 10:07:261930 在 AI 賦能工程設(shè)計的時代浪潮中，智多晶率先邁出關(guān)鍵一步——智多晶正式宣布旗下 FPGA 設(shè)計工具 HqFpga 接入 DeepSeek 大模型，并推出 FPGA 設(shè)計專屬 AI 助手——晶小助！這是 FPGA 領(lǐng)域首次引入大模型 AI 助手，為 FPGA 工程師提供前所未有的智能交互體驗。
2025-06-06 17:06:391283 西安智多晶微電子有限公司自主研發(fā)的 Seal 5000、Sealion 2000 系列 FPGA/CPLD 芯片經(jīng)過工業(yè)和信息化部電子第五研究所評估認(rèn)證，通過了自主可控等級評定。此次認(rèn)證的器件包括
2025-06-06 09:30:201347 源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電阻，并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外，它避免了
2025-05-28 17:30:042349 
圖1.多晶硅太陽能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的硅。 可再生能源，例如太陽能，預(yù)計將在不久的將來發(fā)揮重要作用。為了將太陽光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能，硅太陽能電池(晶體或多晶
2025-05-26 08:28:41601 
小型氣象站價格WX-QC6找山東萬象環(huán)境廠家能買到真正的又便宜又好用的設(shè)備，價格非常的實惠，買到真正的廠家來的設(shè)備是非常不錯的。氣象設(shè)備在鐵路沿線使用，可監(jiān)測鐵路沿線的氣象環(huán)境，為鐵路運(yùn)輸安全提供
2025-05-14 14:51:59
直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶硅的過程，沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高，幾乎不會導(dǎo)電，沒有市場應(yīng)用價值，因此通過人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入，我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541253 
eSPI總線具有低功耗、管腳數(shù)量少、高效的數(shù)據(jù)傳輸?shù)葍?yōu)點，常用于與EC、BMC、SIO等外設(shè)的通信，是PC中CPU與這些外設(shè)通信的主流協(xié)議。智多晶eSPI_Slave IP符合eSPI標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，支持相關(guān)協(xié)議屬性。
2025-05-08 16:44:561213 
源互補(bǔ)，能量永續(xù) 1.太陽能板（光伏組件） 核心作用：將光能轉(zhuǎn)化為電能，是主要供能單元。 主流配置：材質(zhì)：多晶硅 / 單晶硅（轉(zhuǎn)換效率 18%-22%，單晶硅更高），表面覆蓋低鐵超白鋼化玻璃（透光率＞91.5%），抗沖擊強(qiáng)度達(dá) 24mm 冰雹
2025-04-28 09:57:281740 FIFO_Generator是智多晶設(shè)計的一款通用型FIFO IP。當(dāng)前發(fā)布的FIFO_Generator IP是2.0版本，相比之前的1.1版本主要新增了非等比輸入輸出數(shù)據(jù)位寬支持和異步FIFO跨時鐘級數(shù)配置功能。
2025-04-25 17:24:241568 
此前，4月15日-4月17日，2025慕尼黑上海電子展（electronica China 2025）在上海新國際博覽中心盛大開幕，智多晶應(yīng)約而來，攜經(jīng)典FPGA解決方案驚艷亮相，成為展會現(xiàn)場備受矚目的焦點。
2025-04-22 18:11:201066 在我的這個電路圖里，可控硅一直處于開啟狀態(tài)，沒有給單片機(jī)信號，試著換一下可控硅的方向，也沒有效果。請各位大佬幫忙看一下是不是電路圖那里出問題了。
2025-04-21 15:46:54
在FPGA設(shè)計領(lǐng)域，西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角，為工程師們提供了強(qiáng)大的工具，助力他們在數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域大展身手。今天，就讓我們一同揭開LPC_Controller IP的神秘面紗，探尋其獨特魅力。
2025-04-18 11:52:441667 
本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:431311 
一、導(dǎo)熱硅脂是什么？ 導(dǎo)熱硅脂（Thermal Paste），俗稱散熱膏或?qū)岣?，是一種用于填充電子元件（如CPU、GPU）與散熱器之間微小空隙的高效導(dǎo)熱材料。其主要成分為硅油基材與導(dǎo)熱填料（如金屬
2025-04-14 14:58:20
PVD沉積n型多晶硅層，結(jié)合自對準(zhǔn)分離，顯著簡化了工藝流程。SABC太陽能電池是一種先進(jìn)的背接觸（BC）太陽能電池技術(shù)，其核心特點是通過自對準(zhǔn)技術(shù)實現(xiàn)電池背面的正
2025-04-14 09:03:171286 在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃興起的當(dāng)下，嵌入式設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)通信能力如同為其插上了騰飛的翅膀，使其能夠自由穿梭于信息的浩瀚海洋。而 LWIP，宛如一位身姿矯健的輕騎兵，在資源有限的嵌入式系統(tǒng)中飛馳，輕松完成各種復(fù)雜的網(wǎng)絡(luò)通信任務(wù)。西安智多晶微電子有限公司的LWIP網(wǎng)絡(luò)通信系統(tǒng)，賦予嵌入式設(shè)備強(qiáng)大的網(wǎng)絡(luò)通信能力。
2025-04-10 16:27:021802 
本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對材料性能的影響，幫助讀者深入理解硅材料在先進(jìn)微納制造中的應(yīng)用與工藝演進(jìn)路徑。
2025-04-09 16:19:531994 
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間，晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453607 
XSTC_8B10B IP(XSTC:XiST Transmission Channel)是智多晶開發(fā)的一個靈活的，輕量級的高速串行通信的IP。IP在具備SerDes（單通道或多通道）高速串行收發(fā)器之間構(gòu)建出接口簡單，低成本，輕量化的高速率數(shù)據(jù)通信通道。
2025-04-03 16:30:011250 
可控硅的控制奧秘：依賴直流還是交流？可控硅，也稱為硅控整流器（SiliconControlledRectifier，簡稱SCR），是一種重要的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子、電機(jī)控制、照明調(diào)節(jié)等領(lǐng)域
2025-04-03 11:59:521681 
本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364 
今年，隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2024年本）》的推行，光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來了更加明確且嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)：多晶硅項目的水重復(fù)利用率需不低于98%，新建和改擴(kuò)建項目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56840 在數(shù)字信號處理領(lǐng)域，F(xiàn)IR 濾波器憑借其穩(wěn)定性強(qiáng)、線性相位等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于各類信號處理場景。今天，就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司推出的FIR IP。
2025-03-20 17:08:011010 
高硅鑄鐵陽極是一種具體的陽極材料，主要由含高比例硅鑄鐵制成，可加工成實心棒狀、空心管狀和組轉(zhuǎn)型等多種形式，常作為外加電流陰極保護(hù)系統(tǒng)中的輔助陽極。 深井陽極是一種陽極安裝方式或結(jié)構(gòu)類型，指將陽極體
2025-03-15 11:01:42709 
鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù)，該方法先將硅料置于熔煉坩堝中加熱熔化，隨后利用翻轉(zhuǎn)機(jī)械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固，最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來，為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率，通過控制模具中熔體凝固過程的溫度，創(chuàng)造定向散熱條件，從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121126 不同材料的刻蝕速率比，達(dá)到?>5:1?甚至更高的選擇比標(biāo)準(zhǔn)?。 一、核心價值與定義 l?精準(zhǔn)材料去除? 高選擇性蝕刻通過調(diào)整反應(yīng)條件，使目標(biāo)材料（如多晶硅、氮化硅）的刻蝕速率遠(yuǎn)高于掩膜或底層材料（如氧化硅、光刻膠），實現(xiàn)
2025-03-12 17:02:49809 本文介紹了硅的導(dǎo)熱系數(shù)的特性與影響導(dǎo)熱系數(shù)的因素。
2025-03-12 15:27:253554 
硅作為半導(dǎo)體材料在集成電路應(yīng)用中的核心地位無可爭議，然而，隨著科技的進(jìn)步和器件特征尺寸的不斷縮小，硅集成電路技術(shù)正面臨著一系列挑戰(zhàn)，本文分述如下：1.硅集成電路的優(yōu)勢與地位;2.硅材料對CPU性能的影響;3.硅材料的技術(shù)革新。
2025-03-03 09:21:491384 
隨著全球能源需求的增長，開發(fā)高效率太陽能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴(kuò)展的制備工藝，用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽能電池，并通過優(yōu)化工藝實現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291195 硅片，作為制造硅半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ)，源自高純度的硅材料。這一過程中，多晶硅被熔融并摻入特定的硅晶體種子，隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶硅棒。經(jīng)過精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟，這些硅棒被轉(zhuǎn)化為硅片，業(yè)界通常稱之為晶圓，其中8英寸和12英寸規(guī)格在國內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239 
本文介紹了硅光芯片的發(fā)展歷史，詳細(xì)介紹了硅光通信技術(shù)的原理和幾個基本結(jié)構(gòu)單元。
2025-02-26 17:31:391982 
n-TOPCon太陽能電池因其獨特的超薄二氧化硅（SiOx）層和n+多晶硅（poly-Si）層而受到關(guān)注，這種設(shè)計有助于實現(xiàn)低復(fù)合電流密度（J0）和降低接觸電阻（ρc）。激光增強(qiáng)接觸優(yōu)化（LECO
2025-02-26 09:02:581965 在電子設(shè)備散熱領(lǐng)域，導(dǎo)熱硅膠片和導(dǎo)熱硅脂是兩種常用材料。如何根據(jù)實際需求進(jìn)行選擇？以下從性能、場景和操作維度進(jìn)行對比分析。 一、核心差異對比?特性?導(dǎo)熱硅膠片?導(dǎo)熱硅脂
?形態(tài)固體片狀（厚度
2025-02-24 14:38:13
近日，愛立信、Telstra與聯(lián)發(fā)科技攜手合作，在5G SA商用網(wǎng)絡(luò)上實現(xiàn)了9.4 Gbps的峰值下行鏈路速度，這一成就樹立了5G連接的新標(biāo)桿。在實驗室的非商用設(shè)置環(huán)境下，Telstra更是取得了
2025-02-18 14:14:12796 根據(jù)SEMI SMG在其硅晶圓行業(yè)年終分析報告中的最新數(shù)據(jù)，全球硅晶圓市場在經(jīng)歷了一段時間的行業(yè)下行周期后，于2024年下半年開始呈現(xiàn)復(fù)蘇跡象。 報告指出，盡管2024年全球硅晶圓出貨量同比
2025-02-17 10:44:17840 的重要性日益凸顯，它不僅改變了傳統(tǒng)能源的生產(chǎn)和消費方式，更為應(yīng)對氣候變化提供了切實可行的技術(shù)路徑。 一、技術(shù)突破 光伏發(fā)電技術(shù)的核心在于光電轉(zhuǎn)換效率的提升。近年來，單晶硅、多晶硅電池效率持續(xù)突破，PERC、TOPCon等新
2025-02-13 10:50:15670 
本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一，便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132 
近日，備受用戶關(guān)注的DeepSeek-V3 API服務(wù)價格有所調(diào)整。據(jù)了解，此前DeepSeek為吸引用戶體驗其服務(wù)，推出了45天的優(yōu)惠價格體驗期。然而，該優(yōu)惠期已于2月9日正式結(jié)束
2025-02-10 10:41:391460 本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖，gate就是柵極，柵極由最開始的鋁柵，到多晶硅柵，再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:461299 
云服務(wù)大容量硬盤價格多少錢因類型、性能和存儲容量而異。高效云盤年費用通常在數(shù)百元至數(shù)千元之間，SSD云盤價格略高，年費用在數(shù)千元左右，而ESSD云盤因高性能需求，年費用可達(dá)數(shù)千至數(shù)萬元。UU云小編認(rèn)為云服務(wù)大容量硬盤價格具體價格受供應(yīng)商、地域和促銷活動影響。
2025-02-08 10:07:261203 請教一下cs1237的數(shù)據(jù)緩慢增大到0xFFFFFF后又回到0，又從0開始增加，是什么原因？數(shù)據(jù)溢出了嗎？
2025-02-07 11:21:51
，如何實現(xiàn)高效又經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)？ 多晶金剛石散熱片的制備工藝 哈爾濱工業(yè)大學(xué)團(tuán)隊采用 MPCVD技術(shù)，在真空環(huán)境中通過微波激發(fā)氣體（氫氣、甲烷、氮氣），讓碳原子在硅襯底上“生長”成金剛石。 關(guān)鍵突破： 甲烷濃度：降低甲烷比例（從
2025-02-07 10:47:441892 解鎖晶硅切割液新活力 ——[麥爾化工] 潤濕劑
晶硅切割液中，潤濕劑對切割效果影響重大。[麥爾化工] 潤濕劑作為廠家直銷產(chǎn)品，價格優(yōu)勢明顯，品質(zhì)有保障，供貨穩(wěn)定。
你們用的那種類型？歡迎交流
2025-02-07 10:06:58
Poly-SEs技術(shù)通過在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層，有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻，同時提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽能電池中，Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:421200 量子芯片與硅芯片在技術(shù)和應(yīng)用上存在顯著差異，因此量子芯片是否可以完全代替硅芯片是一個復(fù)雜的問題。以下是對這一問題的詳細(xì)分析：
2025-01-27 13:53:001942 最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時的注意事項。
2025-01-24 11:14:141479 
上時，光子與半導(dǎo)體材料中的電子相互作用，產(chǎn)生電子-空穴對，這些電子和空穴在電場的作用下定向移動，從而形成電流。 ? ?光伏電池的主要材料是硅，根據(jù)硅材料的不同，可分為單晶硅、多晶硅和非晶硅光伏電池。單晶硅光伏電池具有
2025-01-23 14:22:001141 本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:541268 
過去一年中，智多晶人攜手拼搏、攻堅克難，共同促進(jìn)產(chǎn)品升級推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關(guān)注與支持中，我們在更廣闊的舞臺上展示智多晶的FPGA技術(shù)。這一年，智多晶的業(yè)務(wù)實現(xiàn)了良好增長，
2025-01-21 17:15:431152 現(xiàn)場進(jìn)行CAN通信故障排查時，常常遇見因邊沿緩慢導(dǎo)致的通信錯誤，那邊沿緩慢是由什么原因?qū)е碌哪?？下面通過一個案例帶大家一起看一看。現(xiàn)場測試數(shù)據(jù)圖1是通過ZPS-CANFD采集的現(xiàn)場CAN網(wǎng)絡(luò)的報文
2025-01-21 11:47:441359 
Skyworks 的APD2220-000硅PIN二極管致力于性能卓越射頻和微波電路中的開關(guān)和衰減器器件需求設(shè)計。APD2220-000設(shè)計在從低于100 MHz到超過30 GHz的寬頻率范圍內(nèi)都
2025-01-20 09:31:55
模擬的關(guān)鍵部件是來自參考文獻(xiàn)[1]的線性錐形硅波導(dǎo)（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導(dǎo)中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5
2025-01-08 08:51:53
硅電容是一種采用了硅作為材料，通過半導(dǎo)體技術(shù)制造的電容，和當(dāng)前的先進(jìn)封裝非常適配
2025-01-06 11:56:482187 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論