關(guān)鍵詞: 常溫鍵合;第三代半導(dǎo)體;異質(zhì)集成;半導(dǎo)體設(shè)備;青禾晶元;半導(dǎo)體技術(shù)突破;碳化硅(SiC);氮化鎵(GaN);超高真空鍵合;先進(jìn)封裝;摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車與人工智能對(duì)芯片
2025-12-29 11:24:17
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在半導(dǎo)體技術(shù)邁向“后摩爾時(shí)代”的進(jìn)程中,3D集成電路(3D IC)憑借垂直堆疊架構(gòu)突破平面縮放限制,成為提升性能與功能密度的核心路徑。
2025-12-26 15:22:38
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隨著摩爾定律逐步逼近物理極限,半導(dǎo)體行業(yè)正轉(zhuǎn)向三維垂直拓展的技術(shù)路徑,以延續(xù)迭代節(jié)奏、實(shí)現(xiàn)“超越摩爾”目標(biāo)。Chiplet為核心的先進(jìn)封裝技術(shù),通過(guò)將不同工藝、功能的裸片(Die)異構(gòu)集成,大幅提升
2025-12-24 17:05:46
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EDA半導(dǎo)體行業(yè)正處在一個(gè)關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn),摩爾定律的極限推動(dòng)著向三維集成電路(3D IC)技術(shù)的轉(zhuǎn)型。通過(guò)垂直集成多個(gè)芯粒,3D IC 在性能、功能性和能效方面實(shí)現(xiàn)了進(jìn)步。然而,堆疊芯片引入了由多物理場(chǎng)相互作用(熱、機(jī)械和電氣)驅(qū)動(dòng)的復(fù)雜性層面,這些必須在設(shè)計(jì)之初就加以解決。
2025-12-19 09:12:53
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先進(jìn)封裝競(jìng)賽中,CoWoS 產(chǎn)能與封測(cè)低毛利的反差,凸顯檢測(cè)測(cè)試的關(guān)鍵地位。2.5D/3D 技術(shù)帶來(lái)三維缺陷風(fēng)險(xiǎn),傳統(tǒng)檢測(cè)失效,面臨光學(xué)透視量化、電性隔離定位及效率成本博弈三大挑戰(zhàn)。解決方案在于構(gòu)建
2025-12-18 11:34:40
197 進(jìn)制程與 3D 封裝上形成緊密合作,把工藝規(guī)則直接嵌入設(shè)計(jì)工具之中。 這一系列動(dòng)作清晰地揭示了一個(gè)深層趨勢(shì):在摩爾定律逼近極限、先進(jìn)封裝成為算力增長(zhǎng)核心引擎的今天,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)范式正從單一的制程競(jìng)賽,轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級(jí)的協(xié)同優(yōu)化。
2025-12-09 10:16:06
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集成電路封裝技術(shù)從2D到3D的演進(jìn),是一場(chǎng)從平面鋪開(kāi)到垂直堆疊、從延遲到高效、從低密度到超高集成的革命。以下是這三者的詳細(xì)分析:
2025-12-03 09:13:15
439 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)當(dāng)摩爾定律逼近物理極限,3D-IC成為延續(xù)算力指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的新選擇;當(dāng)大模型發(fā)展一日千里,AI開(kāi)始反向定義芯片設(shè)計(jì)與需求。兩條技術(shù)曲線在同一時(shí)空交匯,EDA工具鏈的智能化
2025-11-27 08:51:00
7164 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速演進(jìn)的背景下,先進(jìn)封裝技術(shù)已成為延續(xù)摩爾定律、提升芯片性能的關(guān)鍵路徑之一。其中,F(xiàn)CCSP(Flip Chip Chip Scale Package
2025-11-21 13:56:29
1896 玻璃基板正在改變半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè),通過(guò)提供優(yōu)異的電氣和機(jī)械性能來(lái)滿足人工智能和高性能計(jì)算應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求。隨著摩爾定律持續(xù)放緩,通過(guò)先進(jìn)封裝實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成已成為達(dá)到最佳性能成本比的主要方法[1]。
2025-11-04 11:23:58
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ppb以下),能夠有效抑制α粒子引發(fā)的單粒子翻轉(zhuǎn)問(wèn)題,從而保障7nm及以下先進(jìn)制程芯片的長(zhǎng)期運(yùn)行可靠性。 ? 同時(shí),其高球形度、優(yōu)異導(dǎo)熱性與電絕緣性,使其成為HBM、2.5D/3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)等先進(jìn)封裝技術(shù)中環(huán)氧塑封料(EMC/GMC)的核心組分
2025-11-02 11:53:18
13880 隨著摩爾定律逐漸接近物理極限,傳統(tǒng)的二維集成電路技術(shù)在性能提升和芯片密度方面遇到了瓶頸。為了滿足日益增長(zhǎng)的高性能計(jì)算、人工智能等應(yīng)用需求,3D IC技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,通過(guò)將多個(gè)芯片和器件在垂直方向
2025-10-23 14:32:04
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在后摩爾時(shí)代,芯片算力提升的突破口已從單純依賴制程工藝轉(zhuǎn)向先進(jìn)封裝技術(shù)。當(dāng)硅基芯片逼近物理極限,2.5D/3D堆疊技術(shù)通過(guò)Chiplet(芯粒)拆分與異構(gòu)集成,成為突破光罩限制的核心路徑。而在
2025-10-21 07:54:55
551 近日,在2025移動(dòng)合作伙伴大會(huì)“算力網(wǎng)絡(luò)聯(lián)合創(chuàng)新”分論壇上,中國(guó)移動(dòng)攜手包括奇異摩爾、中興及新華三等在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)合作伙伴重磅發(fā)布GSE 2.5版本協(xié)議標(biāo)準(zhǔn),并同步啟動(dòng)“國(guó)芯國(guó)連”智算開(kāi)放互聯(lián)GSE
2025-10-17 16:44:46
1065 1965年,英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾提出了“摩爾定律”。半個(gè)多世紀(jì)以來(lái),這一定律推動(dòng)了集成電路(IC)性能的提升和成本的降低,并成為現(xiàn)代數(shù)字技術(shù)的基礎(chǔ)。摩爾定律指出,半導(dǎo)體芯片上的晶體管數(shù)量大約每
2025-10-17 08:33:42
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3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對(duì)芯片集成、封裝對(duì)封裝集成和異構(gòu)集成三大類,分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)高密度互連。
2025-10-16 16:23:32
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在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷演進(jìn)的歷程中,異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)正逐漸成為推動(dòng)行業(yè)突破現(xiàn)有瓶頸、邁向全新發(fā)展階段的關(guān)鍵力量。在這樣的產(chǎn)業(yè)變革背景下,九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)于武漢光谷盛大召開(kāi),吸引了來(lái)自美國(guó)、比利時(shí)、奧地利及中國(guó)等多國(guó)的行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)高管與技術(shù)精英共襄盛舉。會(huì)議期間,超200場(chǎng)主題演講密集釋放前沿洞察,其中異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)平行論壇吸引了眾多目光,業(yè)內(nèi)權(quán)
2025-09-30 15:58:07
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Socionext Inc.(以下簡(jiǎn)稱“Socionext”)宣布,其3DIC設(shè)計(jì)現(xiàn)已支持面向消費(fèi)電子、人工智能(AI)和高性能計(jì)算(HPC)數(shù)據(jù)中心等多種應(yīng)用。通過(guò)結(jié)合涵蓋Chiplet、2.5D
2025-09-24 11:09:54
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS2115B 5v內(nèi)置電感升壓ic2.5V啟動(dòng)電壓英文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-09-23 14:31:59
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)當(dāng)前,AI 技術(shù)已深度融入生產(chǎn)生活,從 AI 手機(jī)、AI?PC 到云端大模型推理,再到未來(lái)的具身智能機(jī)器人,對(duì)算力的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。然而,在 AI 飛速發(fā)展的同時(shí),算力、能效與帶寬瓶頸成為行業(yè)前行的關(guān)鍵阻礙,而美西方的技術(shù)禁運(yùn)更讓中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 ? 在這一大背景下,存算一體成為國(guó)產(chǎn)算力突破的重要手段。近日,在杭州舉辦的 RISC-V 存算一體產(chǎn)業(yè)論壇暨應(yīng)用組啟動(dòng)大會(huì)上,微納核芯、浙江省北大信
2025-09-17 09:31:21
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為我們重點(diǎn)介紹了AI芯片在封裝、工藝、材料等領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。
一、摩爾定律
摩爾定律是計(jì)算機(jī)科學(xué)和電子工程領(lǐng)域的一條經(jīng)驗(yàn)規(guī)律,指出集成電路上可容納的晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月會(huì)增加一倍,同時(shí)芯片大小也
2025-09-15 14:50:58
摩爾定律正在減速。過(guò)去我們靠不斷縮小晶體管尺寸提升芯片性能,但如今物理極限越來(lái)越近。在這樣的背景下,兩種創(chuàng)新技術(shù)站上舞臺(tái):CMOS 2.0 和 Chiplet(芯粒)。它們都在解決 “如何讓芯片更強(qiáng)” 的問(wèn)題,但思路卻大相徑庭。
2025-09-09 15:42:40
813 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)日前,第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展(CSEAC 2025)主論壇暨第十三屆中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)在無(wú)錫太湖之濱隆重開(kāi)幕。本次年會(huì)以 “強(qiáng)化戰(zhàn)略引領(lǐng),深化創(chuàng)新驅(qū)動(dòng),共筑半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)新高地” 為主題,匯聚了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的頂尖專家與企業(yè)領(lǐng)袖。 ? 在大會(huì)的主題演講環(huán)節(jié),中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)副秘書長(zhǎng)、工信部電子科技委專家委員李晉湘,中電科電子裝備集團(tuán)有限公司黨委
2025-09-09 09:23:16
6566 。那該如何延續(xù)摩爾神話呢?
工藝創(chuàng)新將是其途徑之一,芯片中的晶體管結(jié)構(gòu)正沿著摩爾定律指出的方向一代代演進(jìn),本段加速半導(dǎo)體的微型化和進(jìn)一步集成,以滿足AI技術(shù)及高性能計(jì)算飛速發(fā)展的需求。
CMOS工藝從
2025-09-06 10:37:21
在摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下,芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的矛盾愈發(fā)尖銳。
2025-08-28 13:50:22
1770 在材料電性能測(cè)評(píng)領(lǐng)域,當(dāng)面對(duì)超越歐姆定律的復(fù)雜場(chǎng)景時(shí),全自動(dòng)絕緣電阻率測(cè)試儀的高精度采樣與信號(hào)處理技術(shù)成為關(guān)鍵支撐,打破了傳統(tǒng)測(cè)量的局限。? 高精度采樣技術(shù)是其核心優(yōu)勢(shì)之一。傳統(tǒng)儀器在面對(duì)微弱或動(dòng)態(tài)
2025-08-25 09:36:28
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自戈登·摩爾1965年提出晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月翻倍的預(yù)言以來(lái),摩爾定律已持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)跨越半個(gè)世紀(jì),從CPU、GPU到專用加速器均受益于此。
2025-08-21 10:48:32
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隨著電子行業(yè)向更小節(jié)點(diǎn)邁進(jìn),現(xiàn)代應(yīng)用要求更高的時(shí)鐘速率和性能。2014 年,斯坦福大學(xué)教授 Mark Horowitz 發(fā)表了一篇開(kāi)創(chuàng)性的論文,描述半導(dǎo)體行業(yè)面臨相關(guān)登納德縮放及摩爾定律失效的挑戰(zhàn)
2025-08-21 09:07:13
810 ,揭示行業(yè)正處于從“晶體管密度驅(qū)動(dòng)”向“系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新”轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。隨著摩爾定律放緩、供應(yīng)鏈分散化政策推進(jìn),一場(chǎng)融合制造技術(shù)革新與供應(yīng)鏈數(shù)字化的產(chǎn)業(yè)變革正在上演。
2025-08-19 13:48:14
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隨著半導(dǎo)體器件向更精密的封裝方案持續(xù)演進(jìn),傳統(tǒng)光學(xué)檢測(cè)技術(shù)正逐漸觸及物理與計(jì)算的雙重邊界。對(duì)2.5D/3D集成、混合鍵合及晶圓級(jí)工藝的依賴日益加深,使得缺陷檢測(cè)的一致性與時(shí)效性面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)——若無(wú)
2025-08-19 13:47:10
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LM136A-2.5QML集成電路是一款精密的2.5V并聯(lián)穩(wěn)壓二極管。該單片IC基準(zhǔn)電壓源作為低溫度系數(shù)的2.5V齊納管工作,動(dòng)態(tài)阻抗為0.2Ω。LM136A-2.5QML 上的第三個(gè)端子可以輕松
2025-08-15 09:55:15
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SPDT 開(kāi)關(guān) 0.1–2.5 GHz的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,pHEMT GaAs IC 高線性度 3 V 控制 SPDT 開(kāi)關(guān) 0.1–2.5 GHz真值表,pHEMT GaAs
2025-08-14 18:33:25

Novator精密2.5D影像測(cè)量?jī)x智能化和自動(dòng)化程度高,使測(cè)量變得簡(jiǎn)單。它具備多種測(cè)量功能,包括表面尺寸、輪廓、角度與位置、形位公差、3D空間形貌與尺寸結(jié)構(gòu)等的精密測(cè)量。Novatorr支持頻閃
2025-08-14 14:46:45
時(shí),摩爾定律的進(jìn)一步發(fā)展遭遇瓶頸。傳統(tǒng) 2D 封裝因互連長(zhǎng)度較長(zhǎng),在速度、能耗和體積上難以滿足市場(chǎng)需求。在此情況下,基于轉(zhuǎn)接板技術(shù)的 2.5D 封裝,以及基于引線互連和 TSV 互連的 3D 封裝等應(yīng)運(yùn)而生,并迅速發(fā)展起來(lái)。
2025-08-12 10:58:09
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隨著“后摩爾時(shí)代”的到來(lái),芯粒(Chiplet)與 2.5D/3D 先進(jìn)封裝技術(shù)正成為突破晶體管微縮瓶頸的關(guān)鍵路徑。通過(guò)異構(gòu)集成將不同的芯片模塊化組合,依托2.5D/3D封裝實(shí)現(xiàn)高帶寬互連與低功耗
2025-08-07 15:42:25
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評(píng)論