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      DRV5012 超低功耗數(shù)字鎖存器霍爾效應(yīng)傳感器

      數(shù)據(jù)：

      描述

      DRV5012器件是可通過引腳選擇采樣率的超低功耗數(shù)字鎖存器霍爾效應(yīng)傳感器。™

      當(dāng)南磁極靠近封裝頂部并且超出B OP 閾值時(shí)，該器件會驅(qū)動低電壓。輸出會保持低電平，直到應(yīng)用北極并且超出B RP 閾值， B OP 和B RP 以提供可靠切換。 p>

      通過使用內(nèi)部振蕩器，DRV5012器件對磁場進(jìn)行采樣，并根據(jù)SEL引腳以20Hz或2.5kHz的速率更新輸出。這種雙帶寬特性可讓系統(tǒng)在使用最小功率的情況下監(jiān)控移動變化。

      此器件通過1.65V至5.5V的V CC 工作，并采用小型X2SON封裝。

      特性

      • 行業(yè)領(lǐng)先的低功耗特性
      • 可通過引腳選擇的采樣率：
        • SEL =低電平：使用1.3μA（1.8V）時(shí)為20Hz
        • SEL =高電平：使用142μA（1.8V）時(shí)為2.5kHz
      • V CC 工作電壓范圍為1.65V至5.5V
      • 高磁性靈敏度：±2mT（典型值）
      • 可靠磁滯： 4mT（典型值）
      • 推挽式CMOS輸出
      • 小型纖薄X2SON封裝
      • 運(yùn)行溫度范圍：-40°C至+ 85°C < /li>

      所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

      參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比 霍爾效應(yīng)鎖存器和開關(guān)

       
      Type
      Supply Voltage (Vcc) (Min) (V)
      Supply Voltage (Vcc) (Max) (V)
      Operate Point (Max) (mT)
      Release Point (Min) (mT)
      Output
      Operating Temperature Range (C)
      Package Group
      Pin/Package
      DRV5012 DRV5011 DRV5013
      Latch     Latch     Latch    
      1.65     2.5     2.5    
      5.5     5.5     38    
      3.3     3.8     3.4
      5
      9
      18    
      -3.3     -3.8     -3.4
      -5
      -9
      -18    
      Push-pull output driver     Push-pull output driver     Open drain    
      -40 to 85     -40 to 135     -40 to 125    
      X2SON     SOT-23
      X2SON          		 SOT-23    
      4X2SON     3SOT-23
      4X2SON          		 3SOT-23    

      方框圖 (1)


      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1）
      元器件購買 DRV5012 相關(guān)庫存