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FGB40N60SM 600V 40A 場截止IGBT

數(shù)據(jù):

飛兆半導體的場截止第二代IGBT新系列采用的是新穎的電場截止型IGBT技術,為低導通和開關損耗的焊接和PFC應用提供最優(yōu)性能。
特性
  • 最大結溫T J = 175°C
  • 正溫度系數(shù),易于并聯(lián)運行
  • 高電流能力
  • 低飽和電壓:V CE(sat) = 1.9V(典型值)@ I C = 40A
  • 快速開關:E OFF = 6.5uJ / A
  • 緊密的參數(shù)分布
  • 符合RoHS標準
  • 僅紅外回流焊
應用
  • 其他工業(yè)

電路圖、引腳圖和封裝圖




技術文檔

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