德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國舉行的電源技術(shù)展會“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
2140 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:341103 
業(yè)內(nèi)最受歡迎的適用于AEC-Q101高溫應(yīng)用的BAS16 / 21二極管和BC807 / 817晶體管。
2019-07-07 10:33:181394 具備行業(yè)基準性能的器件，符合AEC-Q101標準，可保護信息娛樂、多媒體和ADAS系統(tǒng)。
2020-09-16 11:43:41748 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”，尺寸僅為1.0mm×1.0mm。
2020-09-30 09:43:442455 電子協(xié)會車規(guī)驗證標準，也就是常說的AECQ車規(guī)驗證標準。 ? AECQ又分為多個子標準，分別是AEC-Q100，針對集成電路（IC）的標準，AEC-Q101是針對分立半導(dǎo)體的標準。AEC-Q102是針對分立光電半導(dǎo)體的標準。AEC-Q104是針對多芯片組件的標準。AEC-Q20
2024-05-17 01:07:005281 
量產(chǎn)階段并通過可靠性測試。 ? 1200V 藍寶石基GaN 器件 ? 據(jù)介紹，目前宇騰科技的1200V GaN功率器件已量產(chǎn)四種規(guī)格的型號，包括150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A
2024-07-31 01:06:005182 ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
電壓（600V、1200V、1700V）均對應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級?？紤]到過載，電網(wǎng)波動，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
/TS16949認證。此外，本LDO系列還滿足車載用IC的實質(zhì)性行業(yè)標準–AEC-Q100。－提到車載，除品質(zhì)可靠性外，交貨期和供應(yīng)方面的要求應(yīng)該也很嚴格吧。ROHM的“車載用”這個定義，就包含了嚴格遵守交貨期
2018-12-04 10:34:22
的NPN和PNP晶體管系列，符合AEC-Q101標準，具有高可靠性。 SOT23封裝尺寸適用于卷軸。推薦產(chǎn)品：MMBT3904T-7-F；MMBT3906-7-F；MMBT3904-7-FDiodes其它
2019-08-17 09:43:27
，1200V產(chǎn)品可支持50A的裸芯片。而且在進行1700V高耐壓產(chǎn)品的開發(fā)。下表為機型名中符號的意義及當前供應(yīng)中的產(chǎn)品陣容一覽。此外，機型名的最后帶有HR的表示為支持車載產(chǎn)品，符合AEC-Q101標準
2018-12-04 10:09:17
RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管的開關(guān)特性參數(shù)RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的特點：·低集電極 - 發(fā)射極飽和壓降·短路耐受時間為8μs·符合AEC-Q101標準·內(nèi)置
2019-04-09 06:20:10
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
對江蘇中科君芯科技有限公司(以下簡稱中科君芯)針對焊機領(lǐng)域開發(fā)1200V系列產(chǎn)品性能、和國外主流器件的參數(shù)比對、實際焊機測試比對展開討論。1電路拓撲工業(yè)用焊接電源電路拓撲有半橋和全橋(圖1,圖2)兩種
2014-08-13 09:01:33
），AEC-Q101，AEC-Q200為最常見。其中AEC-Q100是AEC的第一個標準，AEC-Q100于1994年6月首次發(fā)表，現(xiàn)經(jīng)過了十多年的發(fā)展，AEC-Q100已經(jīng)成為汽車電子系統(tǒng)的通用標準。對于車
2019-07-18 13:19:45
AEC-Q101認證的車規(guī)級TVS管SM8ZXXA/CA系列，產(chǎn)品系列齊全，以滿足不同標準要求的客戶需求。特性：[size=14.0000pt]1、高可靠性、符合汽車標準AEC-Q101認證；[size
2019-03-28 10:45:32
，RGWxx65C系列在替換現(xiàn)有的IGBT時，基本不需要改變電路板或元器件常數(shù)等，因此可以輕松且高性價比地提高效率。符合AEC-Q101標準的車載級高可靠性IGBTRGWxx65C系列符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準
2022-07-27 10:27:04
在為汽車應(yīng)用選擇組件時，您可能會發(fā)現(xiàn)自己問“我的汽車產(chǎn)品中使用的每個組件都需要AEC-Q200認證嗎？”。答案是不”。AEC-Q200是抗應(yīng)力的全球標準，如果這些組件將用于汽車應(yīng)用，所有無源電子元件
2018-10-24 14:32:13
——AEC-Q100標準。車載專用設(shè)計，ROHM一條龍生產(chǎn)該LDO系列從開發(fā)階段就專為車載用設(shè)計，作為車載用，為了充分確保高品質(zhì)與嚴苛環(huán)境下的可靠性，采用了余量和冗余等設(shè)計考量。ROHM的一條龍
2018-12-04 10:26:31
AEC-Q101標準對汽車級離散器件的影響之后，它介紹了ROHM半導(dǎo)體公司的兩款符合AEC標準的SiC功率器件，并強調(diào)了成功設(shè)計必須考慮的關(guān)鍵特性。為電動汽車和混合動力汽車提供動力
2019-08-11 15:46:45
要進入車輛領(lǐng)域，打入各一級(Tier1)車電大廠供應(yīng)鏈，必須取得兩張門票，第一張是由北美汽車產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2018-11-20 15:47:25
Bourns CDSOT23-T24CAN-Q CANbus保護器是符合AEC-Q101標準的浪涌保護器，適用于汽車應(yīng)用的CAN接口。CDSOT23-T24CAN-Q采用SOT23-3封裝，設(shè)有雙路
2021-01-27 10:11:12
)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)、AEC-Q200(被動組件)可靠性標準；第二張門票，則要符合零失效(Zero Defect)的供應(yīng)鏈質(zhì)量管理
2018-09-06 17:05:17
AEC-Q101認證試驗廣電計量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認證上具有豐富的實戰(zhàn)經(jīng)驗，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認證服務(wù)，同時，我們也開展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
IR針對汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 華潤上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺，各項參數(shù)均達到設(shè)計要求，成功進入Trench IGBT代工市場。
2011-03-31 09:23:061846 賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出通過AEC-Q101認證
2013-12-13 15:07:131158 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩顆用于汽車和工業(yè)應(yīng)用的經(jīng)AEC-Q101認證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02935 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設(shè)計_陳天
2017-01-08 14:36:35
7 現(xiàn)已符合AEC-Q101資格，證明這些電子組件符合用于汽車市場的主要標準。美高森美的DQ二極管取得AEC-Q101資格，意味著汽車原始設(shè)備制造商（OEM）以及一級和其他供應(yīng)商能夠在各種車載應(yīng)用中使用這款產(chǎn)品。
2017-06-19 10:20:29980 Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，宣布新推符合AEC-Q101標準的瞬態(tài)抑制二極管陣列系列，該系列產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，可保護敏感的電信端口免因靜電放電 （ESD） 和雷擊
2018-05-03 17:59:001158 Littelfuse公司，近日宣布推出兩個符合AEC-Q101標準的瞬態(tài)抑制二極管陣列（SPA?二極管）系列。 AQHV和AQHV-C系列旨在提供特快熔斷、高性能過電壓保護器件，最適合用于電源接口、乘客充電接口以及LED照明模塊和低速I/O。
2018-05-09 17:15:001442 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓撲而設(shè)計，可滿足其對更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是AEC-Q101基于離散半導(dǎo)體元件應(yīng)力測試認證的失效機理中文標準規(guī)范。
2018-10-25 08:00:0039 據(jù)外媒報道，最近，日本羅姆半導(dǎo)體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機內(nèi)的逆變器，以及正溫度系數(shù)（PTC）加熱器中的開關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501845 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922 電流流過PTC元件使之產(chǎn)生熱量。低溫時會流過大電流，產(chǎn)生大量熱量，隨著發(fā)熱量的增加，電阻值增大，電流受限，從而抑制發(fā)熱量。利用這些特性，可加熱空氣和水，并使之循環(huán)，從而成為制熱用的熱源。
2019-08-22 09:29:175782 AECQ101主要對汽車分立器件，元器件標準規(guī)范要求，AECQ101認證將會是汽車級半導(dǎo)體企業(yè)的首選。AEC-Q101認證包含了離散半導(dǎo)體元件（如晶體管，二極管等）最低應(yīng)力測試要求的定義和參考測試條件，目的是要確定一種器件在應(yīng)用中能夠通過應(yīng)力測試以及被認為能夠提供某種級別的品質(zhì)和可靠性。
2021-05-20 11:50:386819 – 現(xiàn)已通過AEC-Q101汽車級認證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術(shù)，可在軟開關(guān)和低反向恢復(fù)電荷（Qrr）之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲，這對于車載音響系統(tǒng)特別重要。
2019-09-16 10:23:003615 在這種背景下，ROHM于2010年在全球率先開始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開始加強符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的產(chǎn)品陣容，并在車載充電器（On Board
2020-06-19 14:21:075094 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC－Q101※1）的1200V耐壓IGBTRGS系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品非常適用于電動壓縮機※2）的逆變器電路
2020-09-18 16:57:093104 ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標準、且具有1200V和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗，有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實現(xiàn)小型化，是電動壓縮機的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-10-02 17:34:003421 
）今日宣布推出最新通過認證的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動汽車（EV）系統(tǒng)設(shè)計人員提供了符合嚴苛汽車質(zhì)量標準的解決方案，同時支持豐富的電壓、電流和封裝選項。 Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證，對于需要在提高系統(tǒng)效率的同時保持高質(zhì)
2020-11-05 10:20:352091 ROHM新開發(fā)出四款可同時降低輻射噪聲和功率損耗、并在這兩方面均實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)超高特性的IGBT IPM系列產(chǎn)品。
2021-04-20 15:14:47954 
9月20日，廣州廣電計量檢測股份有限公司（簡稱：廣電計量）聯(lián)袂上海陸芯電子科技有限公司（簡稱：上海陸芯），于廣州順利舉行“廣電計量與上海陸芯合作交流會暨上海陸芯IGBT汽車級AEC-Q101驗證報告頒發(fā)儀式”。
2022-09-22 14:54:252257 值得一提的是，這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認證，同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也滿足車規(guī)級可靠性標準。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金，如下圖，支持雙面散熱封裝，可進一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。
2022-11-08 14:45:161791 (Automotive Electronics Council，簡稱AEC)作為車規(guī)驗證標準，包括AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q102(離散光電LED
2023-01-29 11:04:434123 ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199 
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101”，而且共有13款型號，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。
2023-02-09 10:19:241521 
ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機型，該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時的過沖。
2023-02-09 10:19:251901 
白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性 – 中文（650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:033 白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認證所需的穩(wěn)健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503 2022年11月，上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101)，該產(chǎn)品為TO247-4封裝，最大電流(Ids)可達111A。
2023-03-22 16:47:333850 
。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:511651 
℃ AEC-Q101認證對象： 晶體管：BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件：LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:012335 
AEC-Q101標準是用于分立半導(dǎo)體器件的，標準全稱：Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:086305 
器件的標準為 [AEC-Q101],針對于LED的標準為 [AEC-Q102],針對于被動元件設(shè)計為[AEC-Q200]，AEC-Q104(多芯
2023-06-16 14:32:533393 
Semiware推出符合AEC-Q101認證的車規(guī)級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列，防護產(chǎn)品系列齊全，以滿足高標準的客戶需求.
2021-12-08 11:41:131464 
3月11日，國際獨立第三方檢測檢驗和認證機構(gòu)德國萊茵TV（以下簡稱“TV萊茵”）向上海陸芯電子科技有限公司（以下簡稱“上海陸芯”）的第三代IGBT產(chǎn)品頒發(fā)了AEC-Q101認證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:392221 
AEC-Q100、AEC-Q101和AEC-Q200這三個標準是最早制訂的、也最常被引用的AEC-Q標準。在AEC網(wǎng)站上的“文檔”頁面列出了37個標準和子標準，其中七個被列為“新New”或“初始版本Initial release”
2022-07-01 09:27:552778 
是FAILUREMECHANISMBASEDSTRESSTESTQUALIFICATIONFORDISCRETESEMICONDUCTORSINAUTOMOTIVEAPPLICATIONS翻譯過來是基于失效機制對汽車領(lǐng)域應(yīng)用中分立半導(dǎo)體器件的認證測試AEC-Q101最新的版本是Rev_E，發(fā)布于2021年3月
2023-01-13 10:00:294638 
USAEC-Q101認證的概念AEC-Q101：車用分立半導(dǎo)體元器件的基于失效機理的應(yīng)力測試驗證。半導(dǎo)體分立器件被廣泛應(yīng)用到消費電子、計算機及外設(shè)、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、LED顯示屏等領(lǐng)域，而汽車領(lǐng)域
2023-01-13 10:02:032195 VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3 和 5 A VS-5EAH02xM3 為商業(yè)、工業(yè)和車載應(yīng)用提供節(jié)省空間的高效解決方案，每種產(chǎn)品都有 Vishay 汽車級 AEC-Q101 認證版本。
2023-06-21 17:25:002259 
瞻芯電子正式量產(chǎn)了一款TO263-7封裝的1200V 160mΩ 碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品（IV1Q12160D7Z），該產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性測試認證(AEC-Q101)。
2023-06-27 11:29:487870 
AEC其實是Automotive Electronics Council汽車電子協(xié)會的簡稱，并且AECQ標準包括以下幾個領(lǐng)域，對于不同領(lǐng)域的電子器件，適用于不同的標準。目前見到的比較多的是AEC-Q100、AEC-Q101、AEC-Q200。
2023-07-05 11:30:169224 
進入汽車領(lǐng)域，打入各一級(Tier1)汽車電子大廠供應(yīng)鏈，必須取得兩張門票，一張是由北美汽車產(chǎn)業(yè)所推的AEC-Q100(集成電路IC)、AEC-Q101(分立半導(dǎo)
2023-08-25 08:28:091727 AEC-Q101標準之TC解讀TC(TemperatureCycling)高溫循環(huán)測試意義在于證實極高溫度，極低溫度和高溫與低溫交替作用時，機械應(yīng)力對于器件焊接性能的作用，標準AEC-Q101-E中
2023-08-30 08:27:504157 安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:451376 功率循環(huán)測試-簡介功率循環(huán)測試是一種功率半導(dǎo)體器件的可靠性測試方法，被列為AEC-Q101與AQG-324等車規(guī)級測試標準內(nèi)的必測項目。相對于溫度循環(huán)測試，功率循環(huán)通過在器件內(nèi)運行的芯片發(fā)熱使器件
2023-09-10 08:27:592842 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 是車規(guī)元器件重要的認證標準之一。對于1200V耐壓器件，AEC-Q101在H3TRB（高溫高濕反偏試驗）考核標準中耐壓通常為100V。而在HV-H3TRB（高壓高溫高
2023-10-24 15:52:321851 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級認證后
2023-10-25 18:28:101484 
經(jīng)過10 多年的發(fā)展，AEC-Q-100 已經(jīng)成為汽車電子系統(tǒng)的通用標準。在AEC-Q-100 之后又陸續(xù)制定了針對離散組件的AEC-Q-101 和針對被動組件的AEC-Q-200 等規(guī)范，以及AEC-Q001/Q002/Q003/Q004 等指導(dǎo)性原則。
2023-11-13 16:16:542760 
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯
2024-03-12 11:06:301587 蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。
2024-03-12 17:18:212547 
2024年3月22日， 國際公認的測試、檢測和認證機構(gòu)SGS為安芯電子科技股份有限公司（以下簡稱“安芯電子”）及其子公司安徽安美半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“安美半導(dǎo)體”）頒發(fā)了AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:21:552152 近日，國際公認的測試、檢驗和認證機構(gòu)SGS（以下簡稱為“SGS”）為吉林華微電子股份有限公司（以下簡稱為“華微電子”）頒發(fā)AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:561834 近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。
2024-04-07 11:37:323562 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 15:23:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 16:59:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:11:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:14:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 17:16:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:02:380 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120SA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-04-10 18:05:173 雷卯解析AEC-Q101與AEC-Q200
2024-06-12 08:02:582253 
近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過了車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試
2024-06-24 09:13:201947 
ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET 【 關(guān)鍵詞 】 滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101SiC?MOSFET
2024-08-25 23:30:22762 
近日，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證，產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環(huán)境下的嚴苛要求，至此公司獲車規(guī)級認證的碳化硅功率器件產(chǎn)品家族再添一員。
2024-09-13 10:20:191573 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用，開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標準AEC-Q101*1、1200V耐壓、實現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374 
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制
2024-11-14 14:59:192867 
)、AEC-Q101(離散組件)、AEC-Q200(被動組件)。而AEC-Q102(離散光電LED)、AEC-Q104(多芯片組件)為近期較新的汽車電子規(guī)范。AEC測試條件雖然
2024-11-21 16:41:561792 
森國科推出的1200V/25A IGBT(選型：KG025N120LD-R)適用于逆變焊機、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強，當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應(yīng)，短路時間極短，僅5μs，最大工作結(jié)溫擴大到175℃，有助于延長產(chǎn)品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281123 
電子部件標準，其成員包括全球的汽車制造商、電子模塊生產(chǎn)商和元器件供應(yīng)商。AECQ101標準簡述AECQ101標準是一套針對汽車用離散半導(dǎo)體元件的可靠性測試和認證標
2024-12-23 17:29:481190 
C-Q101-2021標準在汽車行業(yè)中，電子器件的可靠性直接關(guān)系到車輛的性能和乘客的安全。隨著汽車電子化程度的不斷提高，對電子器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來越高。AEC-Q101-2021標準應(yīng)運而生
2025-01-09 11:04:301467 
新品針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACK2B模塊，采用六單元配置，通過AQG324認證。一個模塊采用
2025-07-31 17:04:34837 
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗，導(dǎo)通電
2025-09-18 18:19:141112 6ED2231S12T：1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動器解析 在電力電子領(lǐng)域，柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件（如IGBT和SiC MOSFET）的關(guān)鍵組件。今天我們來詳細探討英飛凌
2025-12-20 14:25:02660
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