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MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)溝道驅(qū)動(dòng)器可用于獨(dú)立驅(qū)動(dòng)兩個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓最高可達(dá)300 V。邏輯輸入與標(biāo)準(zhǔn)CMOS或LSTTL輸出兼容，邏輯電壓最低可達(dá)3.3V。輸出驅(qū)動(dòng)器具有一個(gè)高脈沖電流緩沖級(jí)，旨在將驅(qū)動(dòng)器交叉?zhèn)鲗?dǎo)降至最低。傳播延遲相匹配，以簡(jiǎn)化高頻應(yīng)用。它有兩個(gè)版本MT8006A和MT8006B。
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