資料介紹
General Description
The WST02N10 is the highest performance trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The WST02N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
Features
Advanced high cell density Trench technology z Super Low Gate Charge z Excellent Cdv/dt effect decline z Green Device Available

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