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基于超級結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS（on），同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在任意給定頻率下保持更高的效率。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計平臺是基于平面技術(shù)。但高壓下的快速開關(guān)會產(chǎn)生AC/DC電源和逆變器方面的挑戰(zhàn)。從平面向超級結(jié)MOSFET過渡的設(shè)計工程師常常為了照顧電磁干擾（EMI）、尖峰電壓及噪聲考慮而犧牲開關(guān)速度。本應用指南將比較兩種平臺的特征，以便充分理解和使用超級結(jié)技術(shù)的優(yōu)點。
為了理解兩種技術(shù)的差異，我們需要從基礎(chǔ)開始。圖1a顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS（on）值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS（on）可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：
RDS（on） = Rch + Repi + Rsub
圖1a – 傳統(tǒng)平面式MOSFET結(jié)構(gòu)
為了理解兩種技術(shù)的差異，我們需要從基礎(chǔ)開始。圖1a顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現(xiàn)較低的RDS（on）值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本。另外還存在對于總硅片電阻能夠達到多低的限制。器件的總RDS（on）可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：
RDS（on） = Rch + Repi + Rsub
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