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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路理學(xué)習(xí)筆記之MOSFET技術(shù)

      MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器電路理學(xué)習(xí)筆記之MOSFET技術(shù)

      2023-02-24 | pdf | 0.71 MB | 次下載 | 2積分

      資料介紹

      雙極晶體管和 MOSFET晶體管的工作原理相同。從根本上說(shuō)，這兩種晶體管都是電荷控制器件，這就意味著它們的輸出電流與控制電極在半導(dǎo)體 中形成的電荷成比例。將這些器件用作開(kāi)關(guān)時(shí)，都必須由能夠提供足夠灌入和拉出電流的低阻抗源來(lái)驅(qū)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)控制電荷的快速嵌入和脫出。 從這一點(diǎn)來(lái)看，在開(kāi)關(guān)期間，MOSFET必須以類(lèi)似于雙極晶體管的形式進(jìn)行“硬”驅(qū)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)可媲美的開(kāi)關(guān)速度。從理論上來(lái)說(shuō)，雙極晶體管和 MOSFET器件的開(kāi)關(guān)速度幾乎相同，這取決于電荷載流子在半導(dǎo)體區(qū)域中傳輸所需的時(shí)間。功率器件的典型值大約為 20 至 200 皮秒，具體取決 于器件大小。
      MOSFET IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)
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