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新能源汽車2025年技術(shù)發(fā)展趨勢預(yù)測

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）過去一年里，新能源汽車增長依然保持在高水平。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)，2024年，中國汽車產(chǎn)銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7%和4.5%。而其中新能源汽車增幅最大，帶動(dòng)了整體汽車銷量的行情。2024年新能源汽車產(chǎn)銷分別完成1288萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4%和35.5%，新能源汽車銷量已經(jīng)占到總銷量的40.9%，相比2023年提高了9個(gè)百分點(diǎn)。 ? 過去一年里，新能源汽車行業(yè)出現(xiàn)了多種新技術(shù)，比如

發(fā)表于01-25 00:02 ? 1.3w
PCB嵌入式功率芯片封裝，從48V到1200V

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）去年我們?cè)鴪?bào)道過緯湃科技的PCB嵌入功率芯片方案，這種方案能夠提供極佳的電氣性能，包括高壓絕緣性能、散熱性能、過電流能力等，都要比傳統(tǒng)封裝的功率模塊更好。 ? 而最近我們也發(fā)現(xiàn)Schweizer在更早前其實(shí)就已經(jīng)推出了名為P2的封裝方案，這個(gè)方案同樣是將功率半導(dǎo)體嵌入PCB中。他們?cè)?023年開始與英飛凌合作開發(fā)，將英飛凌1200V CoolSiC芯片嵌入到PCB中的技術(shù)，并應(yīng)用到電動(dòng)汽車上。 ? P 2封裝的優(yōu)勢和應(yīng)用 ? 根據(jù)

發(fā)表于01-07 09:06 ? 4632
又一大廠確定下一代SiC MOSFET采用溝槽設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）2024年上半年，安森美發(fā)布了第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，在這款產(chǎn)品上采用了最新的面向高開關(guān)性能的M3S工藝平臺(tái)（M3平臺(tái)還有另一個(gè)分支M3T，主要針對(duì)逆變器應(yīng)用）。M3系列工藝平臺(tái)延續(xù)了過去幾代產(chǎn)品上使用的平面型結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)了顯著的技術(shù)指標(biāo)提升。圖源：安森美 ? SiC MOSFET采用溝槽型結(jié)構(gòu)能夠突破平面結(jié)構(gòu)的限制，進(jìn)一步提高功率器件的功率密度，這在硅基MOSFET上已經(jīng)被廣泛驗(yàn)證。安森美最近在官微上也正式宣布，

發(fā)表于01-03 00:22 ? 5407
人形機(jī)器人引爆中低壓MOSFET需求

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）具身智能的概念近來火熱，AI與機(jī)器人的結(jié)合成為了下一個(gè)藍(lán)海市場，TrendForce預(yù)測2027年全球人形機(jī)器人市場產(chǎn)值有望超過20億美元，2024到2027年的復(fù)合年均增長率將高達(dá)154%。 ? 對(duì)于機(jī)器人來說電機(jī)是驅(qū)動(dòng)的核心之一，驅(qū)動(dòng)電機(jī)則需要MOSFET等功率開關(guān)元器件的支持，在機(jī)器人體積有限的空間內(nèi)，如何高效地實(shí)現(xiàn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)，是實(shí)現(xiàn)具身智能的關(guān)鍵之一。 ? 機(jī)器人領(lǐng)域48V 電源架構(gòu)成為主流 ? 隨著智能化和電氣化的需求，汽車

發(fā)表于12-09 00:12 ? 6888
組串式逆變器市占率將逼近八成，SiC應(yīng)用空間巨大

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在光伏發(fā)電系統(tǒng)中，光伏逆變器將光伏發(fā)電板所產(chǎn)生的直流電，轉(zhuǎn)化為可接入電網(wǎng)和提供給電器使用的交流電。近年來，得益于光伏發(fā)電等清潔能源的大規(guī)模應(yīng)用，逆變器市場呈現(xiàn)爆發(fā)增長的態(tài)勢。 ? 組串式逆變器正在占據(jù)主導(dǎo)地位 ? 根據(jù)賽迪顧問的報(bào)告，2023年中國逆變器市場規(guī)模達(dá)到248.9GW，同比增長136.1%，同時(shí)預(yù)計(jì)2024到2026年，逆變器市場復(fù)合增長率將達(dá)到44%。 ? 市場上常見的光伏逆變器可以分為集中式、組串式、

發(fā)表于11-25 08:50 ? 7237
碳化硅襯底，進(jìn)化到12英寸！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）碳化硅產(chǎn)業(yè)當(dāng)前主流的晶圓尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8英寸的碳化硅晶圓產(chǎn)線也開始逐漸落地，進(jìn)入試產(chǎn)階段。 ? 讓人沒想到的是，在8英寸碳化硅還遠(yuǎn)未大規(guī)模落地時(shí)，12英寸碳化硅襯底就已經(jīng)悄然面世。 ? 天岳先進(jìn)發(fā)布300mm 碳化硅襯底 ? 在上周的德國慕尼黑半導(dǎo)體展上，天岳先進(jìn)發(fā)布了行業(yè)首款300mm（12英寸）碳化硅襯底。圖源：天岳先進(jìn) ? 300mm碳化硅

發(fā)表于11-21 00:01 ? 5975

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PCB嵌入式功率芯片封裝，從48V到1200V

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PCB嵌入式功率芯片封裝，從48V到1200V

又一大廠確定下一代SiC MOSFET采用溝槽設(shè)計(jì)

人形機(jī)器人引爆中低壓MOSFET需求

組串式逆變器市占率將逼近八成，SiC應(yīng)用空間巨大

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碳化硅襯底，進(jìn)化到12英寸！