貼片晶振超高頻光刻工藝基本原理

什么是光刻：光刻是IC制造業(yè)中最為重要的一道工藝,占據(jù)了芯片制造中大約一半的步驟.光刻占所有成本的三分之一以上。通?？捎霉饪檀螖?shù)及所需Mask的塊數(shù)來(lái)表...

2026-02-04 標(biāo)簽：貼片晶振光刻 137 0

清華大學(xué)在分焦面超像素陣列光刻制造領(lǐng)域取得新進(jìn)展

圖1.接觸-干涉混合光刻加工流程 分焦平面陣列因具備高集成度、高魯棒性和高動(dòng)態(tài)適應(yīng)性等優(yōu)勢(shì)，在偏振成像領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。制造分焦平面陣列的關(guān)鍵在于制備陣...

2026-01-21 標(biāo)簽：光刻 131 0

定義光刻精度標(biāo)準(zhǔn)——華林科納顯影濕法設(shè)備：納米級(jí)圖形化解決方案

導(dǎo)語(yǔ) 顯影工藝作為光刻制程的核心環(huán)節(jié)，直接決定晶圓圖形轉(zhuǎn)移的精度與良率。顯影濕法設(shè)備憑借高均勻性噴淋、精準(zhǔn)溫度控制及智能缺陷攔截系統(tǒng)，突破16nm以下制...

2025-12-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 374 0

半導(dǎo)體“光刻（Photo）”工藝技術(shù)的詳解；

【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

2025-11-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻 3k 0

上海光機(jī)所在全息光刻研究方面取得進(jìn)展

圖1 肘形圖形為目標(biāo)圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團(tuán)隊(duì)在全息光刻...

2025-09-19 標(biāo)簽：光刻光機(jī) 591 0

白光干涉儀在晶圓光刻圖形 3D 輪廓測(cè)量中的應(yīng)用解析

引言 晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過(guò)光刻工藝形成的微米至納米級(jí)三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕...

2025-09-03 標(biāo)簽：晶圓光刻 1k 0

1um 以下的光刻深度，凹槽深度和寬度測(cè)量

一、引言 在半導(dǎo)體制造、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等高新技術(shù)領(lǐng)域，1um 以下光刻深度、凹槽深度和寬度的精確測(cè)量至關(guān)重要。這類(lèi)微小尺寸的測(cè)量精度直接影響產(chǎn)品...

2025-08-11 標(biāo)簽：光刻干涉儀白光干涉 773 0

中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸

極紫外光刻（EUVL）技術(shù)作為實(shí)現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前，LPP-EUV 光源是極紫外光刻機(jī)所采用的主流光源...

2025-07-22 標(biāo)簽：光刻EUV 1.2k 0

改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方...

2025-06-30 標(biāo)簽：光刻干涉儀 1k 0

用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻...

2025-06-18 標(biāo)簽：光刻Array 949 0

低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來(lái)的成...

2025-06-17 標(biāo)簽：光刻NMF干涉儀 872 0

TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在 TFT-LCD 顯示屏制造工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵工序之一，其效果直接影響顯示屏的質(zhì)量與性能。隨著 TFT-LCD 技術(shù)向高分辨率、窄邊框方向...

2025-06-13 標(biāo)簽：lcd顯示屏光刻 768 0

用于疊層晶圓的光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)向高密度、高性能方向發(fā)展，疊層晶圓技術(shù)成為關(guān)鍵。在疊層晶圓制造過(guò)程中，光刻膠剝離液的性能對(duì)工藝質(zhì)量和器件可靠性影響重大。同時(shí)，精確測(cè)...

2025-06-12 標(biāo)簽：光刻光刻膠 666 0

水平式光刻膠剝離工藝及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是光刻工藝的重要環(huán)節(jié)。水平式光刻膠剝離工藝憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)在工業(yè)生產(chǎn)中占據(jù)一席之地，而準(zhǔn)確測(cè)量光刻圖形對(duì)保障工...

2025-06-04 標(biāo)簽：光刻白光干涉儀 695 0

光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí)，精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)...

2025-05-29 標(biāo)簽：光刻光刻膠白光干涉儀 1.4k 0

納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 硅基 OLED 微型顯示器憑借高分辨率、高對(duì)比度等優(yōu)勢(shì)，在虛擬現(xiàn)實(shí)、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。納米壓印技術(shù)為其制備提供了新方向，而精確測(cè)量光刻圖形是...

2025-05-26 標(biāo)簽：OLED光刻白光干涉儀 663 0

Micro OLED 陽(yáng)極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù)，在微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中，陽(yáng)極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果，而光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量...

2025-05-23 標(biāo)簽：光刻測(cè)量干涉儀 809 0

清華大學(xué)在激光干涉光刻全局對(duì)準(zhǔn)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

圖1.拼接曝光加工系統(tǒng) 衍射光柵廣泛應(yīng)用于精密測(cè)量、激光脈沖壓縮、光譜分析等領(lǐng)域。干涉光刻作為一種無(wú)掩膜曝光光刻方法，在衍射光柵加工制造方面具有高效率、...

2025-05-22 標(biāo)簽：激光光刻 743 0