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半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

晶圓制造工藝流程及常用名詞解釋

在現(xiàn)代電子工業(yè)中，晶圓（Wafer）作為半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料，其制造過程復(fù)雜且精細(xì)，直接決定了最終芯片的性能和質(zhì)量。晶圓制造工藝流程涵蓋了從原材料準(zhǔn)備到...

2024-10-23 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓制造 5.7k 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 3.6k 0

一片晶圓可以切出多少芯片

作為一名芯片工程師，經(jīng)常跟回來的wafer打交道，你知道一片成品的wafer具體有哪些部分組成嗎?

2024-10-23 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 6.9k 0

簡述光刻工藝的三個主要步驟

“ 光刻作為半導(dǎo)體中的關(guān)鍵工藝，其中包括3大步驟的工藝：涂膠、曝光、顯影。三個步驟有一個異常，整個光刻工藝都需要返工處理，因此現(xiàn)場異常的處理顯得尤為關(guān)鍵”

2024-10-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓硅片 3.8k 0

一文詳解肖特基接觸和歐姆接觸

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2024-10-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體肖特基電流電壓 2.2萬 0

晶圓鍵合技術(shù)的類型有哪些

晶圓鍵合技術(shù)是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，它通過將兩塊或多塊晶圓在一定的工藝條件下緊密結(jié)合，形成一個整體結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、MEMS（...

2024-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓鍵合 2.8k 0

光敏電阻的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

光敏電阻，又稱光電阻或光導(dǎo)管，是一種利用半導(dǎo)體材料在光照下電阻發(fā)生變化的元件。它作為基本的光電傳感器件，廣泛應(yīng)用于光控開關(guān)、光電計數(shù)、光電測距、光電測量...

2024-10-21 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體光敏電阻 5.3k 0

溫濕度傳感器可以應(yīng)用在哪些場合

溫濕度傳感器作為環(huán)境監(jiān)測的重要工具，其應(yīng)用范圍廣泛，涵蓋了從日常生活到工業(yè)生產(chǎn)、科學(xué)研究等多個領(lǐng)域。一、日常生活領(lǐng)域智能家居在智能家居系統(tǒng)中，溫濕...

2024-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體智能家居溫濕度傳感器 4.1k 0

如何通過霍爾效應(yīng)測量半導(dǎo)體中電子和空穴的遷移率?

在半導(dǎo)體中，除了能帶寬度外，一個重要的物理量是電荷載流子(電子和空穴)的遷移率。在本教程中，我們將研究霍爾效應(yīng)，這使我們能夠?qū)嶒?yàn)性地確定半導(dǎo)體中的這一物...

2024-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測量 3.6k 0

合科泰三極管TIP42A的應(yīng)用領(lǐng)域

半導(dǎo)體三極管也稱雙極型晶體管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號，也用作無觸點(diǎn)開關(guān)，是電子電路的核心元件。本期，合科...

2024-10-21 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體放大電路 1.4k 0

npn輸出是正還是負(fù)

NPN晶體管是一種雙極型晶體管，它由兩個N型半導(dǎo)體層和一個P型半導(dǎo)體層組成。在NPN晶體管中，電流的流動方向是從發(fā)射極（Emitter）到基極（Base...

2024-10-21 標(biāo)簽：電流半導(dǎo)體晶體管 4.6k 0

半導(dǎo)體封裝技術(shù)的類型和區(qū)別

半導(dǎo)體封裝技術(shù)是將半導(dǎo)體集成電路芯片用特定的外殼進(jìn)行封裝，以保護(hù)芯片、增強(qiáng)導(dǎo)熱性能，并實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部與外部電路的連接和通信。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝...

2024-10-18 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝技術(shù) 5.1k 0

臺積電第三季度業(yè)績超預(yù)期，股價創(chuàng)歷史新高

近日，臺積電（TSMC）在美股市場大放異彩，周四收盤時股價大漲超過9.79%，創(chuàng)下歷史新高，市值更是達(dá)到了驚人的1.07萬億美元。這一強(qiáng)勢表現(xiàn)主要得益于...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺積電 AI 1.2k 0

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2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶閘管電極 1.8k 0

Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀 CVD 清洗終點(diǎn)優(yōu)化

上海伯東日本 Atonarp Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀, 基于四級桿的質(zhì)量分離, Aston 質(zhì)譜分析儀設(shè)計緊湊, 適用于氣體分析和...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體分析儀 CVD 937 0

Aston 質(zhì)譜儀等離子體刻蝕過程及終點(diǎn)監(jiān)測

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2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體分析儀監(jiān)測 1.2k 0

Aston 質(zhì)譜分析儀搭配 Scrubber 半導(dǎo)體尾氣處理設(shè)備進(jìn)行氣體檢測

半導(dǎo)體工藝一般會產(chǎn)生各種工藝氣體和顆粒材料副產(chǎn)品, 有害氣體需要以受控方式進(jìn)行處理. 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜分析儀與 Scrub...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體分析儀氣體檢測 1.5k 0

GaN和SiC功率器件的特性和應(yīng)用

如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 氮化鎵 3.1k 0

半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)解析

主要介紹幾種常用于工業(yè)制備的刻蝕技術(shù)，其中包括離子束刻蝕（IBE）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、以及后來基于高密度等離子體反應(yīng)離子的電子回旋共振等離子體刻蝕...

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制備工藝刻蝕 3.9k 0

倒裝芯片封裝技術(shù)解析

倒裝芯片是微電子電路先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)。它允許將裸芯片以面朝下的配置連接到封裝基板上，芯片和基板之間通過導(dǎo)電“凸起”進(jìn)行電氣連接。

2024-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝 Chip 2.6k 0

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個螺旋槳都是電機(jī)直連的簡單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動原理”中講述。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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802.11ac與11基站測試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測量。n的區(qū)別，802.11n無線網(wǎng)卡驅(qū)動，802.11n怎么安裝。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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