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威兆半導(dǎo)體

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威兆半導(dǎo)體始終聚焦功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究,憑借多年的科研攻關(guān)已成為少數(shù)同時具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET/IGBT單管、模塊以及特殊半導(dǎo)體制程設(shè)計能力的先進半導(dǎo)體設(shè)計公司。產(chǎn)品涵蓋傳統(tǒng)硅基及第三代化合物半導(dǎo)體SiC和GaN,并廣泛應(yīng)用于消費類電源、汽車電子、電機驅(qū)動、工業(yè)電源、通信等

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威兆半導(dǎo)體動態(tài)

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深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司成立于2012年,總部位于深圳市南山智園崇文園區(qū),在珠海、上海、天津、香港、韓國水原等地設(shè)有研發(fā)中心及辦事處,是國家級高新技術(shù)企業(yè)和國家級專精特新“小巨人”企業(yè)。
自成立以來,威兆半導(dǎo)體始終聚焦功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究,憑借多年的科研攻關(guān)已成為少數(shù)同時具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET/IGBT單管、模塊以及特殊半導(dǎo)體制程設(shè)計能力的先進半導(dǎo)體設(shè)計公司。產(chǎn)品涵蓋傳統(tǒng)硅基及第三代化合物半導(dǎo)體SiC和GaN,并廣泛應(yīng)用于消費類電源、汽車電子、電機驅(qū)動、工業(yè)電源、通信等領(lǐng)域。
威兆半導(dǎo)體一直堅定不移地提升研發(fā)技術(shù)、供應(yīng)鏈技術(shù)整合、品質(zhì)管控、技術(shù)行銷等綜合能力,堅持以卓越的質(zhì)量和持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新為客戶創(chuàng)造價值,打造一流功率半導(dǎo)體價值運營體系,服務(wù)全球一流價值客戶。

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威兆半導(dǎo)體技術(shù)

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選型手冊:VS1606GS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

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選型手冊:VS3620GPMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

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選型手冊:VS1605ATM N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

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選型手冊:VSP002N03MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

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選型手冊:VSP007N07MS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

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選型手冊:VSO009N06MS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

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威兆半導(dǎo)體資訊

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選型手冊:VS3510AS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

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選型手冊:VS3618AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

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VS3615GE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

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威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能,適配低...

2025-12-03 標(biāo)簽:MOSFETMOS威兆半導(dǎo)體 409 0

選型手冊:VS40200AT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

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威兆半導(dǎo)體發(fā)布新一代高性能SiC MOSFET

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2024-09-03 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1.5k 0

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2024-09-02 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFETIGBT 7.7k 0

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