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工藝技術

自對準硅化物工藝詳解

源漏區(qū)的單晶硅和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率，自對準硅化物(salicide)工藝能夠同時減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻，降低接觸電...

2025-05-28 標簽：CMOS 工藝柵極 2.9k 0

源漏擴展結構概述

源漏擴展結構（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應中起到重要作用。SDE（源漏擴展結構）引入了一個淺的...

2025-05-27 標簽：工藝制造工藝 MOS 1.2k 0

玻璃通孔技術的五個獨特優(yōu)勢

TGV（Through Glass Via）工藝之所以選擇在玻璃上打孔，主要是因為玻璃在以下五個方面相較于硅具有獨特優(yōu)勢。

2025-05-23 標簽：芯片工藝通孔 1.2k 0

互連層RC延遲的降低方法

隨著集成電路技術節(jié)點的不斷減小以及互連布線密度的急劇增加，互連系統(tǒng)中電阻、電容帶來的 RC耦合寄生效應迅速增長，影響了器件的速度。圖2.3比較了不同技術...

2025-05-23 標簽：集成電路 CMOS 工藝 1.9k 0

一文詳解快速熱處理技術

在納米尺度集成電路制造領域，快速熱處理（RTP）技術已成為實現(xiàn)器件性能突破與工藝優(yōu)化的核心工具。相較于傳統(tǒng)高溫爐管工藝，RTP通過單片式作業(yè)模式與精準的...

2025-05-22 標簽：集成電路半導體工藝 2.7k 0

定向自組裝光刻技術的基本原理和實現(xiàn)方法

定向自組裝光刻技術通過材料科學與自組裝工藝的深度融合，正在重構納米制造的工藝組成。主要內容包含圖形結構外延法、化學外延法及圖形轉移技術。

2025-05-21 標簽：工藝制造納米 2.4k 0

注入增強型IGBT學習筆記

為了協(xié)調IGBT通態(tài)特性與關斷特性及短路特性之間的矛盾，提高器件的綜合性能和可靠性，在IGBT中引入了一種電子注入增強效應（Injection Enha...

2025-05-21 標簽：工藝 IGBT 功率器件 1.7k 0

無結場效應晶體管器件的發(fā)展歷程

2010年，愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結場效應晶體管，器件結構如圖1.15所示。從此，半導體界興起...

2025-05-19 標簽：半導體工藝晶體管 1k 0

詳談X射線光刻技術

隨著極紫外光刻（EUV）技術面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn)，X射線光刻技術憑借其固有優(yōu)勢，在特定領域正形成差異化競爭格局。

2025-05-09 標簽：工藝 X射線光刻技術 1.7k 0

一文詳解電子束光刻技術

本文系統(tǒng)梳理了直寫式、多電子束與投影式EBL的關鍵技術路徑，涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應校正與系統(tǒng)集成等方面，并探討其在精度、效率與成本間的技術矛盾...

2025-04-30 標簽：工藝光刻電子束 4.5k 0

芯片制造中的阻擋層沉積技術介紹

本文介紹了在芯片銅互連工藝中需要阻擋層的原因以及關鍵工藝流程。

2025-05-03 標簽：芯片半導體工藝 3.5k 0

半導體選擇性外延生長技術的發(fā)展歷史

選擇性外延生長(SEG)是當今關鍵的前端工藝(FEOL)技術之一，已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點平面CMOS中首次...

2025-05-03 標簽：半導體工藝晶體管 4.1k 0

IBIS模型中的Corner參數(shù)處理

本文聚焦IBIS（I/O Buffer Information Specification）模型中的Corner（Typ/Min/Max）參數(shù)處理，系統(tǒng)...

2025-04-23 標簽：工藝模型電源完整性 1.3k 0

芯片離子注入后退火會引入的工藝問題

本文簡單介紹了芯片離子注入后退火會引入的工藝問題：射程末端（EOR）缺陷、硼離子注入退火問題和磷離子注入退火問題。

2025-04-23 標簽：芯片半導體工藝 2.1k 0

芯片內互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術解析

裝片工序完成后，芯片雖已穩(wěn)固于載體（基板或框架）之上，但其表面預設的焊盤尚未與封裝體構建電氣連接，因而需通過內互聯(lián)工藝實現(xiàn)導通。

2025-04-23 標簽：芯片工藝超聲波 1.7k 0

倒裝芯片鍵合技術的特點和實現(xiàn)過程

本文介紹了倒裝芯片鍵合技術的特點和實現(xiàn)過程以及詳細工藝等。

2025-04-22 標簽：pcb 工藝鍵合 2.9k 0

通孔電鍍填孔工藝研究與優(yōu)化

為了提高高密度互連印制電路板的導電導熱性和可靠性，實現(xiàn)通孔與盲孔同時填孔電鍍的目的，以某公司已有的電鍍填盲孔工藝為參考，適當調整填盲孔電鍍液各組分濃度，...

2025-04-18 標簽：pcb 印制電路板工藝 2.4k 0

TSSG法生長SiC單晶的原理

SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下，SiC并無熔點，一旦溫度攀升至2000℃以上，便會直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預測，只有在壓強高達1...

2025-04-18 標簽：晶體工藝 SiC 1.3k 0

半導體封裝中的裝片工藝介紹

裝片（Die Bond）作為半導體封裝關鍵工序，指通過導電或絕緣連接方式，將裸芯片精準固定至基板或引線框架載體的工藝過程。該工序兼具機械固定與電氣互聯(lián)雙...

2025-04-18 標簽：半導體封裝工藝 3.8k 0

芯片封裝中銀燒結工藝詳解

本主要講解了芯片封裝中銀燒結工藝的原理、優(yōu)勢、工程化應用以及未來展望。

2025-04-17 標簽：工藝焊接芯片封裝 3k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計算機市場行情；制定計算機組裝計劃；能夠選購組裝需要的硬件設備，并能合理配置、安裝計算機和外圍設備；安裝和配置計算機軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設備；清晰描述出現(xiàn)的計算機軟硬件故障。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡通信標準的嵌入式模塊，內置無線網(wǎng)絡協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應用的重要組成部分。
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在眾多的51系列單片機中，要算國內STC 公司的1T增強系列更具有競爭力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內的具有大容量程序存儲器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機內部就自帶高達60K FLASHROM，這種工藝的存儲器用戶可以用電的方式瞬間擦除、改寫。
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