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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

文章:2951個(gè) 瀏覽:52552 帖子:39個(gè)

碳化硅資訊

問(wèn)界M9累計(jì)大定突破80000臺(tái),共推出四款車(chē)型

具體來(lái)看,問(wèn)界M9車(chē)身尺寸分別為5230/1999/1800mm,軸距為3110mm,風(fēng)阻系數(shù)低至0.264;共有5種外觀顏色可選,包括兩款純色和三款雙拼配色。

2024-05-11 標(biāo)簽:高壓電池碳化硅問(wèn)界 1.6k 0

河南澠池縣碳化硅半導(dǎo)體材料及砷化鎵襯底固廢綜合利用項(xiàng)目

5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導(dǎo)體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項(xiàng)目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導(dǎo)體材料團(tuán)隊(duì)執(zhí)行總監(jiān)李有群對(duì)該項(xiàng)目做了詳細(xì)介紹。

2024-05-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體砷化鎵碳化硅 2.4k 0

長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地宿舍樓提前封頂,預(yù)計(jì)明年7月投產(chǎn)

該項(xiàng)目專注于第三代半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)和生產(chǎn),涵蓋新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能、充電樁、電力電網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。項(xiàng)目投產(chǎn)后,預(yù)計(jì)每年可產(chǎn)出36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓及...

2024-05-10 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率器件碳化硅 1.7k 0

先導(dǎo)中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品

在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導(dǎo)中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實(shí)力,推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。

2024-05-09 標(biāo)簽:模塊碳化硅 1.5k 0

新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

新品 | 用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板

新品用于2kV碳化硅MOSFET模塊的數(shù)字驅(qū)動(dòng)評(píng)估板評(píng)估板EVAL-FFXMR20KM1HDR可以幫助客戶快速啟動(dòng)基于2kV碳化硅MOSFET樣機(jī)的特性...

2024-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅數(shù)字驅(qū)動(dòng)器 1.1k 0

江蘇天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)6月投產(chǎn)

據(jù)“金龍湖發(fā)布”公眾號(hào)消息,目前,江蘇天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目機(jī)電安裝工作已進(jìn)入后期收尾階段。相關(guān)負(fù)責(zé)人稱,后續(xù)重要工作將是吊頂完成,各系統(tǒng)的追位...

2024-05-08 標(biāo)簽:晶片碳化硅 1.4k 0

PI擬收購(gòu)Odyssey以推動(dòng)PowiGaN技術(shù)研發(fā)

PI方面強(qiáng)調(diào),此舉將提升公司獨(dú)特的PowiGaN技術(shù)的研發(fā)實(shí)力,這是其廣泛用于InnoSwitch IC、HiperPFS-5功率因數(shù)校正IC等一系列產(chǎn)...

2024-05-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅晶圓制造 1.3k 0

河南中宜創(chuàng)芯500噸碳化硅半導(dǎo)體粉體生產(chǎn)線完成,純度高達(dá)99.999%

據(jù)了解,該公司乃我國(guó)最大的碳化硅粉體研發(fā)、制造與銷售商,主營(yíng)業(yè)務(wù)包括電子級(jí)高純碳化硅粉體以及碳化硅襯底的生產(chǎn)與銷售。

2024-05-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體生產(chǎn)線碳化硅 2.3k 0

今日看點(diǎn)丨英飛凌將向小米 SU7 供應(yīng)碳化硅功率模塊及芯片至 2027 年;英特爾組建日本芯片后端制造自動(dòng)化團(tuán)

1. 英特爾組建日本芯片后端制造自動(dòng)化團(tuán)隊(duì) ? 隨著美國(guó)和日本尋求降低其半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的地緣政治風(fēng)險(xiǎn),英特爾將與14家日本公司合作開(kāi)發(fā)技術(shù),以實(shí)現(xiàn)封裝等“...

2024-05-07 標(biāo)簽:英飛凌英特爾功率模塊 2.3k 0

模塊化碳化硅(SiC)器件評(píng)估的深入分析

模塊化碳化硅(SiC)器件評(píng)估的深入分析

碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領(lǐng)域的格局,帶來(lái)了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是,汽車(chē)應(yīng)用正從SiC技術(shù)中...

2024-05-06 標(biāo)簽:SiC模塊化碳化硅 2k 0

厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長(zhǎng)取得新進(jìn)展

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為了解決難題,聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室采用的是提拉式物理氣相傳輸(Pulling Physical Vapor Transport, PPVT)法,成功生長(zhǎng)出直徑為6...

2024-04-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體單晶碳化硅 2.1k 0

碳化硅功率器件:高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)

碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見(jiàn)的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、碳化硅Schottky二...

2024-04-29 標(biāo)簽:MOSFET功率器件碳化硅 1.2k 0

SiC正在成為儲(chǔ)能主流,相關(guān)行業(yè)即將爆發(fā)?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)在當(dāng)前的儲(chǔ)能系統(tǒng)中,尤其是涉及到高壓、高頻、高效能應(yīng)用時(shí),寬禁帶半導(dǎo)體材料如SiC(碳化硅)正越來(lái)越受到青睞,因?yàn)檫@種材料...

2024-04-29 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 5.1k 0

江西罡豐科技年產(chǎn)40萬(wàn)片第三代半導(dǎo)體襯底外延建項(xiàng)目

在電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源及工業(yè)自動(dòng)化等行業(yè)的推動(dòng)下,碳化硅市場(chǎng)需求日益增長(zhǎng)。然而,在碳化硅的總成本構(gòu)架里,襯底環(huán)節(jié)占據(jù)大頭,且遠(yuǎn)高于外延和制造等環(huán)節(jié)。

2024-04-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)工業(yè)自動(dòng)化碳化硅 2.4k 0

羅姆旗下SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議,擴(kuò)大碳化硅襯底供應(yīng)

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2024 年 4月22,中國(guó) – 羅姆(東京證交所股票代碼: 6963) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroel...

2024-04-26 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體碳化硅 1.2k 0

TPAK SiC優(yōu)選解決方案:有壓燒結(jié)銀+銅夾Clip無(wú)壓燒結(jié)銀

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2024-04-25 標(biāo)簽:SiC碳化硅Clip 2.1k 0

SiCrystal與意法半導(dǎo)體新簽協(xié)議,擴(kuò)大碳化硅襯底供應(yīng)

羅姆與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱ST)宣布,雙方將在意法半導(dǎo)體與羅姆集團(tuán)旗下SiCrystal公司現(xiàn)有的150mm(...

2024-04-23 標(biāo)簽:晶圓意法半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)IC 1.1k 0

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開(kāi)啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFE...

2024-04-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)英飛凌MOSFET 2.2k 0

深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)

深圳基本半導(dǎo)體公司成功研發(fā)溝槽型碳化硅MOSFET器件結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)

具體來(lái)說(shuō),該結(jié)構(gòu)由以下幾部分組成:首先是n+型碳化硅襯底,接著是n-型漂移層和n型電流傳輸層,這三者自下而上依次排列。在n型電流傳輸層的頂部,從外部向內(nèi)...

2024-04-19 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1.5k 0

Microchip宣布推出全新的集成作動(dòng)電源解決方案

在可持續(xù)發(fā)展和減排這個(gè)重要目標(biāo)的推動(dòng)下,航空業(yè)需要先進(jìn)高效和低排放的飛機(jī)。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo),航空動(dòng)力系統(tǒng)開(kāi)發(fā)商正在向電作動(dòng)系統(tǒng)轉(zhuǎn)型,推動(dòng)多電飛機(jī)(MEA...

2024-04-18 標(biāo)簽:microchip電機(jī)驅(qū)動(dòng)電磁干擾 1.4k 0

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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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