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標(biāo)簽 > 鍵合

鍵合

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鍵合資訊

全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)迎來(lái)密集突破期 光谷企業(yè)成功研發(fā)芯片“鍵合”裝備

全球半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)迎來(lái)密集突破期 據(jù)SEMI公布的《年終總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示在2025年;全球半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷售額預(yù)計(jì)達(dá)1330億美元,同比...

2026-03-19 標(biāo)簽:鍵合刻蝕ASML 1.4k 0

壓電納米定位臺(tái)在晶圓鍵合中實(shí)現(xiàn)晶圓納米級(jí)對(duì)準(zhǔn)

壓電納米定位臺(tái)在晶圓鍵合中實(shí)現(xiàn)晶圓納米級(jí)對(duì)準(zhǔn)

隨著AI大模型、高性能計(jì)算的快速發(fā)展,HBM高帶寬內(nèi)存、高端AI芯片、Chiplet異構(gòu)集成成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心方向,摩爾定律的演進(jìn)已從平面微縮轉(zhuǎn)向3D...

2026-03-05 標(biāo)簽:晶圓鍵合 98 0

NTC熱敏芯片鍵合工藝介紹

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新及進(jìn)步,NTC熱敏芯片鍵合工藝也不斷發(fā)展。目前,芯片鍵合工藝為順應(yīng)行業(yè)發(fā)展需求,正逐步往高度集成、低功耗、高可靠的方向前進(jìn)。為了...

2026-02-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NTC鍵合 239 0

一文了解銅球鍵合技術(shù)演進(jìn)

一文了解銅球鍵合技術(shù)演進(jìn)

相較于傳統(tǒng)的金(Au)絲鍵合,銅(Cu)絲憑借其卓越的電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率、抗電遷移能力及顯著的成本優(yōu)勢(shì),逐漸成為先進(jìn)封裝領(lǐng)域明星材料?!究茰?zhǔn)測(cè)控】持續(xù)關(guān)注鍵...

2026-02-11 標(biāo)簽:鍵合 125 0

半導(dǎo)體芯片鍵合技術(shù)概述

半導(dǎo)體芯片鍵合技術(shù)概述

鍵合是芯片貼裝后,將半導(dǎo)體芯片與其封裝外殼、基板或中介層進(jìn)行電氣連接的工藝。它實(shí)現(xiàn)了芯片與外部世界之間的信號(hào)、電源和接地連接。鍵合是后端制造中最關(guān)鍵的步...

2026-01-20 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體鍵合 712 0

細(xì)節(jié)距時(shí)代微電子鍵合測(cè)試的技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展

細(xì)節(jié)距時(shí)代微電子鍵合測(cè)試的技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展

隨著集成電路的封裝密度不斷提升,鍵合焊盤節(jié)距正從傳統(tǒng)的150μm級(jí)別向50μm甚至更小的尺度發(fā)展。這種微型化趨勢(shì)不僅對(duì)制造工藝提出了更高要求,也對(duì)質(zhì)量控...

2026-01-14 標(biāo)簽:微電子鍵合 186 0

隱形失效:金屬間化合物尖刺如何“欺騙”半導(dǎo)體鍵合強(qiáng)度測(cè)試

隱形失效:金屬間化合物尖刺如何“欺騙”半導(dǎo)體鍵合強(qiáng)度測(cè)試

在微電子封裝領(lǐng)域,金-鋁(Au-Al)球形鍵合是連接芯片與外部電路的關(guān)鍵工藝。一個(gè)理想的鍵合點(diǎn)應(yīng)具備高強(qiáng)度與高可靠性。然而,當(dāng)焊接本身存在初始缺陷,并經(jīng)...

2026-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝鍵合 299 0

鋁絲鍵合的具體步驟

鋁絲鍵合常借助超聲楔焊技術(shù),通過(guò)超聲能量實(shí)現(xiàn)鋁絲與焊盤的直接鍵合。由于鍵合所用劈刀工具頭為楔形,使得鍵合點(diǎn)兩端同樣呈楔形,因而該技術(shù)也被叫做楔形壓焊。超...

2025-07-16 標(biāo)簽:芯片焊盤鍵合 1.9k 0

芯片鍵合強(qiáng)度如何評(píng)估?推拉力測(cè)試機(jī)測(cè)試方法與標(biāo)準(zhǔn)解讀

芯片鍵合強(qiáng)度如何評(píng)估?推拉力測(cè)試機(jī)測(cè)試方法與標(biāo)準(zhǔn)解讀

在電子元器件領(lǐng)域,芯片失效問(wèn)題一直是工程師們最為棘手的挑戰(zhàn)之一??茰?zhǔn)測(cè)控小編發(fā)現(xiàn),芯片失效往往在量產(chǎn)階段甚至產(chǎn)品出貨后才被發(fā)現(xiàn),此時(shí)可能僅有少量失效樣品...

2025-07-14 標(biāo)簽:芯片鍵合推拉力測(cè)試機(jī) 971 0

提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法

提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法

關(guān)鍵詞:鍵合晶圓;TTV 質(zhì)量;晶圓預(yù)處理;鍵合工藝;檢測(cè)機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而,鍵合...

2025-05-26 標(biāo)簽:晶圓鍵合 1.2k 0

青禾晶元發(fā)布全球首臺(tái)獨(dú)立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備

青禾晶元發(fā)布全球首臺(tái)獨(dú)立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備

2025年3月11日,香港——中國(guó)半導(dǎo)體鍵合集成技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)青禾晶元半導(dǎo)體科技(集團(tuán))有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“青禾晶元”)宣布,正式推出全球首臺(tái)C2W...

2025-03-12 標(biāo)簽:鍵合 1.2k 0

青禾晶元新廠房開(kāi)工,混合鍵合與C2W技術(shù)引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)

近日,青禾晶元集團(tuán)在天津?yàn)I海高新區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)園迎來(lái)了新廠房的開(kāi)工儀式,這標(biāo)志著公司邁入了規(guī)?;l(fā)展的新篇章。

2025-02-15 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體鍵合 991 0

PDMS和硅片鍵合微流控芯片的方法

鍵合PDMS和硅片的過(guò)程涉及幾個(gè)關(guān)鍵步驟和注意事項(xiàng),以確保鍵合質(zhì)量和穩(wěn)定性。以下是基于提供的搜索結(jié)果的詳細(xì)解釋。 等離子處理工藝的作用 等離子處理工藝在...

2025-01-09 標(biāo)簽:微流控芯片硅片鍵合 1.5k 0

熱壓鍵合機(jī)(TC Bonder)在HBM的應(yīng)用

熱壓鍵合機(jī)(TC Bonder)在HBM的應(yīng)用

熱壓鍵合機(jī)TC Bonder(Thermal Compression Bonding)是一種用于半導(dǎo)體封裝過(guò)程中熱壓鍵合的專用設(shè)備。在高帶寬內(nèi)存(HBM...

2024-11-29 標(biāo)簽:芯片鍵合HBM 8.2k 0

混合鍵合:開(kāi)創(chuàng)半導(dǎo)體互聯(lián)技術(shù)新紀(jì)元

如今我們的生活中充滿了各種智能化設(shè)備,從智能手機(jī)到智能家居,再到可穿戴設(shè)備,它們已經(jīng)成為我們?nèi)粘I畈豢苫蛉钡囊徊糠帧.?dāng)我們沉浸在這些設(shè)備帶來(lái)的便利時(shí),...

2024-11-18 標(biāo)簽:晶圓鍵合半導(dǎo)體制造 2.3k 0

微流控芯片的熱鍵合和表面改性鍵合的工藝區(qū)別

微流控芯片是一種在微尺度下進(jìn)行流體操控的裝置,廣泛應(yīng)用于生物、化學(xué)、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。在微流控芯片的制造過(guò)程中,鍵合技術(shù)是至關(guān)重要的一步,它決定了芯片的密封性...

2024-10-28 標(biāo)簽:微流控芯片鍵合 1.1k 0

芯片鍵合-真空熱壓鍵合機(jī)使用方法

一、使用前的準(zhǔn)備 放置要求 真空熱壓鍵合機(jī)應(yīng)放置在穩(wěn)固的水平操作臺(tái)上,保證機(jī)器處于平穩(wěn)狀態(tài)。同時(shí)要放置在通風(fēng)、干燥、無(wú)腐蝕性氣體、無(wú)大量塵埃的潔凈環(huán)境中...

2024-10-18 標(biāo)簽:芯片鍵合 1.9k 0

PMMA微流控芯片的鍵合介紹

微流控芯片 鍵合前PMMA的表面處理 在粘合之前對(duì)被粘接物表面進(jìn)行處理是粘合工藝中最重要的環(huán)節(jié)之一。初始的粘接強(qiáng)度和耐久性完全取決于膠粘劑接觸的表面類型...

2024-08-13 標(biāo)簽:微流控芯片鍵合微流控 1.1k 0

青禾晶元獲超3億元融資,加速鍵合設(shè)備及襯底產(chǎn)線布局

近日,北京青禾晶元半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“青禾晶元”)宣布成功完成新一輪融資,融資總額超過(guò)3億元人民幣。此輪融資由深創(chuàng)投、遠(yuǎn)致星火、芯朋微等知...

2024-07-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC鍵合 2k 0

ASMPT與美光攜手開(kāi)發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備

在半導(dǎo)體制造技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)中,韓國(guó)后端設(shè)備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項(xiàng)重要的合作。據(jù)悉,ASMPT已向美光提供了...

2024-07-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體美光鍵合 2.3k 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
  • 海思
    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
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